【課題】短時間で干渉性のＸ線を試料に位置合わせ可能な試料分析装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線光軸と試料１との位置合わせ時、分光器１１により、干渉性のＸ線または干渉性のＸ線の光軸と一致させた光軸を有するＸ線から、試料測定時よりも長い波長のＸ線を抽出して照射し、分析対象の試料１へのＸ線の照射位置に開口部１４ｈを有し照射位置外に照射されるＸ線を吸収するＸ線吸収層１４ｃが形成された試料保持部１４により、照射位置外に照射されるＸ線を吸収し、検出器１５により、試料保持部１４に保持される試料１に照射したＸ線の透過Ｘ線強度を検出する。 （もっと読む）

【課題】高精度の元素分析を可能にする可搬型の蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
【解決手段】本発明の蛍光Ｘ線分析装置１は、可搬型の蛍光Ｘ線分析装置であり、試料室状のシールドケース３１を着脱可能であり、シールドケース３１を装着した状態でシールドケース３１内に配置した試料の蛍光Ｘ線分析を行うことができる。蛍光Ｘ線分析装置１は、シールドケース３１が装着されずに使用される場合は、外部へ放射するＸ線の強度が所定の強度以下の小さい強度に抑えられ、シールドケース３１が装着された状態で使用される場合は、より大きい強度でＸ線を放射することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】質量数の大きな元素から小さな元素まで分析でき、各元素の分析において十分な分析性能が得られる散乱イオン分析装置及び散乱イオン分析方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、分析可能な各元素に対応するビーム軸方向における試料台１４からアパーチャ１６までの第１の距離Ｌ１とアパーチャ１６からイオン検出器２０までの第２の距離Ｌ２とアパーチャ１６の開口１６ａの大きさφａとを予め取得しておき、この取得しておいた情報から分析の対象とする元素の種類に基づいて試料Ｓを分析するときの第１の距離Ｌ１と第２の距離Ｌ２とアパーチャ１６の開口１６ａの大きさφａとを決定し、この決定に基づいて試料台１４とアパーチャ１６とイオン検出器２０とのうちの少なくとも２つをビーム軸に沿って移動させると共にアパーチャ１６の開口１６ａの大きさを変更することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化合物固体における伝導電子の原子軌道成分の割合を、実験室レベルで定量的かつ簡便に得ることができる原子軌道解析装置を提供する。
【解決手段】光電子分光で励起光として用いたとき反跳効果が無視できる低い光子エネルギを有する第１のＸ線を照射する第１照射部と、光電子分光で励起光として用いたとき反跳効果を観測しうる高い光子エネルギを有する第２のＸ線を照射する第２照射部と、第１のＸ線及び第２のＸ線それぞれを２以上の多元化合物からなる化合物固体試料に照射することで、その試料内部の伝導電子を励起し光電子に変換する励起部と、第１のＸ線により変換された光電子の第１運動エネルギと第２のＸ線により変換された光電子の第２運動エネルギとを分析する光電子分析部と、分析された第１運動エネルギ及び第２運動エネルギとのずれを解析することで、その試料の伝導電子の原子軌道成分の割合を定量的に同定する原子軌道解析部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 走査型電子顕微鏡を用いた、汎用性の高いドメイン観察方法を提供する。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて、観察試料に電子線を照射して得られる反射電子像によりドメイン観察を行なう試料観察方法であって、試料を鏡面研磨し、研磨面に導電性を有する蒸着膜を形成して前記観察試料を作製する試料準備工程と、前記観察試料を、走査型電子顕微鏡で、前記電子線の加速電圧を３ｋＶ以上１０ｋＶ以下となるように設定するとともに、反射電子走査画像の輝度及び分布量を表示可能な輝度範囲内に平均的に分布するように設定するコントラストの条件に比べてコントラストを強調する条件で観察する観察工程と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢにより試料を作製する際に試料の表面に形成されたアモルファス層の厚さを、試料を破壊することなく正確に確認、評価する。そして、その結果に基づいて、多くの時間と手間を掛けることなく、アモルファス層を的確に可能な限り低減、除去して、良好な観察を行うことができるＴＥＭ試料を提供する。
【解決手段】表面にアモルファス層が形成されている試料の表面に電子線を照射し、試料を透過して得られた電子回折図形の輝度に基づいて、アモルファス層の厚さを評価する。電子回折図形内の回折スポットを結ぶ直線における輝度のラインプロファイルの内、最も高い輝度をＹ２とし、最も低い輝度をＹ１としたときの輝度の比率（Ｙ１／Ｙ２）を、アモルファス層の厚さが既知である他の試料における輝度の比率（Ｙ１／Ｙ２）と比較してアモルファス層の厚さを評価して、アモルファス層の厚さが所定の値以下となるまで、アモルファス層を低減、除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小型の装置で簡便にガラス中の金属粒子の状態を検出する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のガラス中の金属粒子の状態検出方法は、Ｘ線を対象物に照射する照射部と、前記対象物を透過したＸ線を受光する受光部とを有するＸ線検査装置を備え、前記照射部と受光部との間に前記対象物として金属粒子を含んだガラスを配置し、前記照射部から前記ガラスにＸ線を照射し、同ガラスを透過したＸ線を前記受光部により受光し、同受光部におけるＸ線の透過量の分布から前記ガラス中の金属粒子の状態を検出する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線分析と熱分析との両方を同時に行う装置において、それらの分析の測定条件の関連を測定者が容易に、迅速に、且つ正確に把握でき、きめ細かな設定を可能にする。
【解決手段】 Ｘ線分析装置による測定と熱分析装置による測定とが同時に行われるＸ線分析及び熱分析同時分析装置において、Ｘ線分析測定のための測定所条件を記憶するＸ線条件記憶メモリと、熱分析測定のための測定条件を記憶する熱条件記憶メモリと、画像信号に従って画面３３上に画像を表示する画像表示装置とを有し、熱条件記憶メモリに記憶された熱分析測定条件を示す折線グラフＴ及び、Ｘ線条件記憶メモリに記憶されたＸ線分析測定条件を示す複数の縦線Ｘの両方を、画面３３上に同時に表示する。折線グラフＴは温度変化曲線であり、隣接する一対の縦線Ｘは１回のＸ線分析測定が行われるタイミング及び時間を示している。 （もっと読む）

【課題】コヒーレント性を有するＸ線を、結晶性のある測定試料に照射することによって得られるスペックル状の回折光を用いて、該測定試料の結晶の不均一構造の分布を、容易に得ることができる方法を提供する。
【解決手段】コヒーレントなＸ線光を２分岐し、一方を、結晶性を有する測定試料に照射して得られたスペックル状の回折光と、他方のＸ線光を単結晶の参照結晶に照射して得られた回折光とを、二次元の検出器上で干渉させてホログラムパターンを取得し、このホログラムパターンに対してフーリエ変換を行って、該測定試料の結晶性の不均一性などの結晶構造に関する空間分布情報を得るようにする。こうすることで、スペックル状の回折光から直接、オーバーサンプリング法を用いた演算処理に比べ、容易に上記情報を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜に機械的な力を加えずに、密度（硬さ）等の薄膜の物性に関する測定を精度良く行なえるようにする。
【解決手段】薄膜３１に原子を打ち込み、前記薄膜３１に打ち込まれた原子に由来する信号を測定する。 （もっと読む）

【課題】本発明はＸ線分光装置に関し、広い波長範囲でＸ線の分光を再現性よく得ることができるＸ線分光装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 試料１１から発生した特性Ｘ線１３を受ける互いにほぼ９０°の角度で配置された２つの分光素子１，２と、該２つの分光素子からの分散光を同時に受けて電気信号に変換する位置敏感検出器１５と、該位置敏感検出器の出力を記憶するメモリと、該メモリに記憶されたデータを読み出して所定の画像処理を行なう画像処理部と、該画像処理部の出力を受けて分光情報を表示する表示部と、を有して構成される。 （もっと読む）

検出器出力データ内の個々の信号を分離する方法および装置であって、方法は、検出器出力データをデジタル系列として取得するかまたは表現すること、データ内に存在する信号の信号形態を取得するかまたは確定すること、数学的変換に従って信号形態を変換することによって変換済み信号形態を形成すること、数学的変換に従ってデジタル系列を変換することによって、変換済み信号を含む変換済み系列を形成すること、少なくとも変換済み系列および変換済み信号形態の関数を評価し、それにより、関数出力を提供すること、関数出力のモデルに基づいて関数出力の少なくとも１つのパラメータを確定すること、および、関数出力の少なくとも１つの確定されたパラメータから信号のパラメータを確定することを含む、方法および装置。方法は、関数出力をモデル化することによってモデルを形成することを含んでもよい。
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【課題】
電子分光器および透過型電子顕微鏡を用いて、エネルギー損失量と位置情報の軸が直交する二軸で形成されスペクトル像において、エネルギー損失量と位置情報の軸が直交する二軸で形成される二次元の電子線位置像から算出される電子線位置を基準電子線位置と比較し、各電子線位置の相違点に基づき、歪み量を算出することにより、分析対象試料のスペクトル像の歪みを高効率かつ高精度に補正する。
【解決手段】
エネルギー損失量と位置情報が直交する二軸で形成されるスペクトル像について、スペクトル像の歪みを高効率かつ高精度に補正する方法および装置を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】 ＸＡＦＳを用いて、結晶性アルミノシリケート中のＦｅの分散性を評価する新たな方法を提供する。
【解決手段】 Ｆｅを含有する結晶性アルミノシリケートのＦｅのＸＡＦＳスペクトルを測定し、ＦｅのＫ−吸収端よりも３〜７ｅＶ低エネルギー側の吸光度から、Ｆｅを含有する結晶性アルミノシリケート中のＦｅの分散性を評価する方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハの評価の良い部分の領域や悪い部分の領域が分かる半導体検査装置のデータ処理方法とデータ表示方法と半導体検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いた吸収電流測定方法を用いて、ウェハ２３のコンタクトホール界面状況を評価する半導体検査装置において、電子銃１０によって所定の電子ビームサイズでコンタクトホールを照射し、その際に測定される吸収電流値をコンタクトホールサイズで正規化した値をグラフ化し、そのグラフから任意の領域を指定して、表示装置１５０に表示されるウェハ上のマップにその測定点を表示する。 （もっと読む）

【課題】物質の構造因子テンソルの決定に必要なＸ線領域の偏光解析の方法は既に提案されているが、構造因子テンソルの迅速決定および測定感度向上のために、偏光解析結晶を用いる場合には、種々の問題を解決しなければならない。
【解決手段】試料からの散乱Ｘ線強度の入射偏光依存性を測定・解析することで、偏光解析結晶を使用することなく構造因子テンソルを決定する方法。 （もっと読む）

【課題】高精度に試料表面の磁化分布を分析可能な表面分析装置及び分析方法を提供する。
【解決手段】試料２から放出され、ターゲット３に衝突して散乱された２次電子を、複数の測定位置に配置された電子検出器４−１〜４−４により検出し、回転部５により、試料面に対して垂直方向を回転軸として各電子検出器４−１〜４−４を回転させて、次の測定位置に移動させて２次電子の検出処理を繰り返させ、演算処理部７が、それぞれの測定位置における、電子検出器４−１〜４−４の検出値の加算値をもとに、２次電子のスピン成分を算出する。 （もっと読む）

【課題】高コントラスト観察とライン分析による粒子内の組成分析を可能とし、コアシェル粒子を容易に同定する。
【解決手段】被検物であるコアシェル粒子を担体に担持する工程を含むことを特徴とするコアシェル粒子の分析法である。このコアシェル粒子の分析法には、更に、コアシェル粒子が担持された担体を電子顕微鏡によりコアシェル構造であることを確認する工程、及びコアシェル粒子が担持された担体を電子顕微鏡により組成分析する工程を付加することができる。 （もっと読む）

【課題】 介在物を介して結晶粒が時間の経過と共にどのように変化するのかを、従来よりも容易に且つ正確に解析できるようにする。
【解決手段】 固定点ｉがインヒビターｋの中心位置ｂｋに固定されているときの、固定点ｉが属する粒界ｕの粒界エネルギーＥｉと、中心位置ｂｋから解放されて平衡位置にあるときの、解放された固定点ｉが属する粒界ｕの粒界エネルギーＥｉ'と、固定点ｉｋが解放されるときの、当該固定点ｉが属する粒界ｕの粒界エネルギーＥｉ''とを算出する。そして、粒界エネルギーＥｉ'が粒界エネルギーＥｉよりも小さく、粒界エネルギーＥｉ''と粒界エネルギーＥｉとの差が障壁エネルギーＥ０よりも小さい場合にｎ（ｎは４以上の整数）重点である固定点ｉｋを、（ｎ−１）重点の固定点ｉｋにすると共に、当該固定点ｉｋとラインを介して相互に接続される三重点を、解放する点として発生させる。 （もっと読む）

【課題】 介在物を介して結晶粒が時間の経過と共にどのように変化するのかを、従来よりも容易に且つ正確に解析できるようにする。
【解決手段】 、粒界点の位置を変化させた結果、ラインｐがインヒビターｋを追い越してしまっているか否かを判定し、追い越してしまっている場合には、インヒビターｋの中心位置ｂｋに固定点ｉｋを発生させ、これに伴い、インヒビターｋを追い越したラインｐの両端点（粒界点）を通るラインの変更処理を行う。したがって、インヒビターｋ付近における結晶粒Ａ（粒界ｕ）の挙動を可及的に忠実にシミュレーションすることができる。 （もっと読む）