【課題】簡単な方法で、精度よく結晶軸比を測定できる結晶軸比測定方法を提供する
【解決手段】測定対象物である結晶材料の晶帯軸［ＵＶＷ］に収束電子線を入射して、収束電子線回折パターンの透過ディスクに現れたＨＯＬＺ線（１ａ）の極座標（θ１ａ，ρ１ａ）と、晶帯軸［ＷＶＵ］，晶帯軸［ＵＷＶ］及び晶帯軸［ＶＵＷ］から選ばれる晶帯軸（なお、入れ替えた指数にはバーが付いていてもよい）に収束電子線を入射して、収束電子線回折パターンの透過ディスクに現れた、前記ＨＯＬＺ線（１ａ）と対称の線指数のＨＯＬＺ線（１ｂ）の極座標（θ１ｂ，ρ１ｂ）を測定し、ρ１ａとρ１ｂとの差分（Δρ_ＥＸＰ）を求めて、該差分（Δρ_ＥＸＰ）の値をフィッティングパラメータとして用いて結晶軸比を算出する。 （もっと読む）

【課題】走査装置を通過するコンベヤシステムとの互換性を有し、かつ高速な走査が可能なＸ線検査システムを提供する。
【解決手段】物品を検査するＸ線画像化検査システムは、撮像容積（１６）の周りに延在し、放射されるＸ線が撮像容積を通過できるように配向された複数の点状放射源（１４）を構成するＸ線放射源（１０）を有する。Ｘ線検出器アレー（１２）は同様に走査容積の周りに延在し、点状放射源からの撮像容積（１６）を通過したＸ線を検出し、この検出されたＸ線に基づく出力信号を生成するように構成されている。コンベヤ（２０）は撮像容積（１６）を通過して物品が運ばれるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定において、プロファイル中心部分から離れた部分の成因についても解析可能とする。
【解決手段】バルク結晶等の試料をＸ線回折測定して構造解析する。このとき、スキャン角度をΔθ、反射指数ｈｋｌ面と試料表面との角度を面角度をθｃとして、Ｘ線回折プロファイルの横軸をΔθ／sinθｃとしてプロットし、解析対象ピークのピーク拡がり形状が、結晶のモザイク性により生じる局所的なtwist分布に起因して生じるピーク拡がり形状であるか否かを判定する方法において、Ｘ線回折プロファイルを広開口角条件と狭開口角条件の２種類の条件で測定し、両開口角条件で不変性を示すピーク拡がり形状部分がtwist分布に起因した普遍的分布に対応することを同定する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定において、主ピークから離れたサブピーク部分の成因についても解析可能とする。
【解決手段】バルク結晶等の試料をＸ線回折測定して構造解析する。このとき、スキャン角度をΔθ、反射指数ｈｋｌ面と試料表面との角度を面角度をθｃとして、Ｘ線回折プロファイルの横軸をΔθ／sinθｃとしてプロットし、解析対象ピークのピーク拡がり形状が、結晶のモザイク性により生じる局所的なtwist分布に起因して生じるピーク拡がり形状であるか否かを判定する方法において、主ピークから離れた部分に現れるサブピークの成因が、不均一なtwist分布中の大きくtwistした特異な部分からのピークであるか否かを判定する工程を備えている。つまりサブピークの形状自体は一致しなくても、サブピーク観測位置が指数ｈｋｌに依存しない場合には、サブピークの成因が、不均一なtwist分布中の大きくtwistした特異な部分からのピークであると判定する。 （もっと読む）

【課題】ビームラインが短く、分解能が高く、且つ短時間で２次元領域の測定が可能な分析装置、特にＸＡＦＳ分析装置又は小角散乱Ｘ線分析装置を提供すること。
【解決手段】荷電粒子発生手段によって生成された荷電粒子を内部に周回させる荷電粒子周回手段（１）と、
周回する荷電粒子の周回軌道（１３）上に配置された横長ターゲット（１４）に、周回する荷電粒子を衝突させて発生したＸ線を分光して単色Ｘ線を発生させる分光手段（２）と、
分光手段（２）から出力される単色Ｘ線を測定対象の試料（４）に照射し、試料（４）から出力されるＸ線を測定する測定手段（３）とを備える。 （もっと読む）

入射Ｘ線が非晶質材料標本へ向けて広角セクターにおいて放射され、この標本がＸ線を反射する。
本方法は、
− 実験光子強度測定値を入射角の関数として記録するステップと、
− 反射の前に標本内への入射波の侵入長ｌに依存する状態で、少なくとも前記標本内での吸収現象を考慮しながら、前記実験強度を補正するステップと、
− 正規化係数（α）に従い、前記実験強度から得られた補正強度を電子強度に関連付ける正規化ステップと、
− 離散化された関数Ｑ．ｉ（Ｑ）を計算するステップ、但しｉは、補正および正規化された実験強度の測定値から得られた減衰強度、Ｑは量（ｓｉｎθ／λ）に比例する波散乱ベクトルの絶対値、２θは散乱角、λは放射された波の長さであって、前記正規化定数（α）は関数Ｑ．ｉ（Ｑ）の値に対する線形回帰により得られたアフィン直線（４２）の傾きを最小化すべく再帰的に変化し、各反復を行う間に減衰強度の値が侵入長ｌについて計算され、前記関数Ｑ．ｉ（Ｑ）が前記最小の傾きに対応して求められる（４１）ステップと、
− Ｑ．ｉ（Ｑ）に依存する動径原子濃度ρ（ｒ）の分布に基づいて構造因子を決定するステップとを含んでいる。
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【課題】複数個の試料から同時にスペクトル像を取得し、スペクトル像より抽出された電子エネルギー損失スペクトルから、高精度のケミカルシフトを測定することが可能な透過型電子顕微鏡装置，試料ホルダ，試料台及びスペクトル像の取得方法を提供する。
【解決手段】透過電子顕微鏡装置１は、電子線３を放射する電子銃と、放射された電子線３を収束する収束レンズ４と、収束された電子線３が放射され、試料を配置する複数個の試料台２０，２１と、試料台を移動する試料移動制御装置２２と、複数個の試料を透過した電子線３を結像する結像レンズ系７と、結像された電子線３の有するエネルギー量により電子線３を分光し、エネルギー分散軸及びエネルギー分散軸と直交する方向とで収束位置を異ならせたスペクトル像を出力して複数個の試料より同時にスペクトル像を取得する電子分光器８と、取得したスペクトル像を表示する画像表示装置１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】同一の生体組織試料について、電子像観察だけでなく、蛍光像観察、そして透視像観察等を行うことも可能な、複数の観察用光源を備えた多光源顕微鏡を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡の光源である電子銃とそれ以外の少なくとも１種の光源を有し、試料を同一位置で観察可能な多光源顕微鏡であって、蛍光を観察するための光学顕微鏡２０と走査型電子顕微鏡２とからなり、該走査型電子顕微鏡の電子ビームの光軸と同軸となるように該光学顕微鏡のカセグレン鏡１２が該走査型顕微鏡の鏡筒内に配置されてなり、反射面が非球面型であるカセグレン鏡を用いる。 （もっと読む）

【課題】
タンパク質等の高分子構造におけるカイラリティ分布や、磁区構造の解析を高分解能で行うことが可能な走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
レーザー201と半導体202を備えたスピン偏極電子源等を搭載した走査電子顕微鏡を用いて、スピン偏極電子線203を照射した試料208からの反射電子209の強度やスピン偏極度を反射電子検出器210などを用いて測定することにより、試料208内部の高分子のカイラリティ構造や磁化ベクトルを可視化することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線システム、ＣＴシステム及び同様のシステムにおいて物質組成を算出する。特に、画像化される物質の実効原子番号を決定する又は推定することを可能にする。
【解決手段】放射線検査モダリティによって画像化された物体を形成する物質の原子番号を算出する手法を提供する。この方法は、第一のエネルギ・レベルにおいて取得された物体の第一の単色画像及び第二のエネルギ・レベルにおいて取得された該物体の第二の単色画像にアクセスするステップ（７６）を含んでいる。第一の単色画像と第二の単色画像との間の質量減弱係数の比を求めることができる（７８）。この質量減弱係数の比に基づいて物体の物質の原子番号を算出することができる（８２）。 （もっと読む）

【課題】物体内の高コントラスト像を一度に、且つ容易に得ることのできる、新しい非破壊分析方法および非破壊分析装置を提供する。
【解決手段】 単色平行Ｘ線１を物体２に照射し、物体２からの屈折Ｘ線等３を透過型結晶分析体４ａに入射させ、その屈折Ｘ線等３を透過型結晶分析体４ａの動力学的回折作用によって前方方向回折Ｘ線４１ａと回折方向回折Ｘ線４２ａとに分光する際に、透過型結晶分析体４ａの厚さを、予め、物体がないときに、前方方向回折Ｘ線４１ａおよび回折方向回折Ｘ線４２ａのいずれか一方の強度が略ゼロとなるような厚さに設定する。 （もっと読む）

【課題】無機リン、特に樹脂中に含まれている赤リンを、簡便、かつ迅速に分析し、有機リンを識別する方法を提供する。
【解決手段】樹脂の試料を粉砕し、粉砕された試料に、放射光を照射して、Ｘ線吸収微細構造測定を行い、光子エネルギー２１４０ｅＶ〜２１７０ｅＶの範囲での吸収の有無により、無機リンの含有の有無を判定し、有機リンとの識別をすることを特徴とする樹脂中の無機リンの分析方法。 （もっと読む）

【課題】微小領域の歪みを簡単に測定できるようにする。
【解決手段】立方晶の金属組織に１５ｎｍ〜１００μｍ間隔で電子線を照射して、後方散乱電子回折像法より測定点毎に結晶方位を決定し、決定した結晶方位分布および隣接する前記測定点間の方位角度差より、格子歪を決定し、前記格子歪に基づいて金属組織上における残留応力分布を求める。また、求めた残留応力分布および測定対象の金属材料の降伏応力に基づいて塑性域と判定された領域において、前記方位角度差と前記金属材料の弾性限とに基づいて、塑性変形により生じた角度差を算出し、前記算出した角度差に基づいて、幾何学的に必要な転位の転位密度を予測する。 （もっと読む）

トモグラフィーを含む非侵入的な多工程処理を、電池の特性を決定するために適用する。
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【課題】恐れのある物を特定するために、再構成されていないスキャンデータの解析を行うＣＴスキャンシステム及びＣＴスキャン方法を提供すること。
【解決手段】手荷物のＣＴスキャンの恐れのある物の判断方法は、バッグの完全な再構成の必要性をなくす。スキャン中にＣＴスキャンデータが解析され、考えられる恐れのある位置を特定する。この解析は、バッグ中の対象物を表現する線図に基づいて解析される。対象物の質量、大きさ、位置、及び原子番号は、この線図データに基づいて決定される。何らかの考えられる恐れは、データを変更し再構成して、恐れの表示を向上させる。２つのエネルギーのスキャンを使用して、考えられる恐れの解像度の密度の決定にも使用できる。 （もっと読む）

【課題】複数の検査パターンを積算して行う欠陥検査を、一つの検査パターンによって行い、ＴＦＴアレイ検査の検査時間を短縮する。
【解決手段】荷電粒子ビームをＴＦＴアレイ上で走査して走査画像を形成し、走査画像から欠陥ピクセルを検出する走査ビーム検査装置であって、走査制御部と、二次電子を検出する検出器と、検査信号を印加する検査信号印加部と、検査信号を印加したＴＦＴアレイを二次元的に走査して走査画像を形成し、走査画像から各ピクセルの信号強度を検出する信号強度検出部と、信号強度をデータ処理することによって欠陥ピクセルを抽出するデータ処理部とを備える。データ処理部は、ピクセルの信号強度を複数の閾値と比較し、信号強度が、複数の閾値で区分される正常強度範囲と欠陥強度範囲の何れの強度範囲にあるかを検出する比較部と、信号強度が欠陥強度範囲にあるピクセルを欠陥ピクセルとして判定する判定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】多結晶固体のＥＢＳＤ測定から得られる前記多結晶固体の結晶方位情報と位置情報とを含む数値データを使用して、実材料を詳細に反映した材料特性の三次元数値解析を、詳細でかつ誤差の少なく実行できるようにする。
【解決手段】多結晶固体を構成する結晶粒に対して、後方散乱電子回折装置を用いて１つの結晶粒について複数の測定点を含むように測定対象の各結晶粒を計測されて得た数値データＡ_iを入力し、入力された数値データＡ_iを有限要素に割り付け、前記有限要素に三次元テンソルで表わされる物性値を与えて有限要素モデルを構築し、該有限要素モデルを用いて前記数値データＡ_iを数値解析する。 （もっと読む）

【課題】後方散乱電子線回折（ＥＢＳＤ）法により得られた塑性変形を受けていない多結晶材料の結晶情報を用いて、多結晶材料が巨視的変形を受けた際の微視組織の不均一変形状態を、簡易な方法で迅速且つ確実に予測し、多結晶材料の塑性変形時の機械特性を正確に得る。
【解決手段】多結晶材料からなる試料について、後方散乱電子線回折法によって得られた各測定点の結晶情報を用いた多結晶材料の変形特性を予測する際に、各測定点の結晶情報を入力するステップと、入力された各測定点の結晶情報を用いて、各測定点と１対１に対応するように要素分割し、離散化モデルを作成するステップと、離散化モデルを用いて、所定の境界条件の下に変形解析を行うステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】ナノビーム電子回折法の格子歪測定精度を向上し、結晶試料における局所領域の応力・格子歪を高精度に測定する。
【解決手段】回折スポット１４と透過スポット１５の間隔（あるいは異なる回折スポットの間隔）１６（Ｋ）と格子面間隔ｄとの間には、Ｋ＝１／ｄの関係がある。従って、スポット間隔Ｋの変化から格子面間隔の変化、すなわち格子歪を知ることができる。コンデンサレンズ絞り２を明瞭に観察することにより、回折スポット間隔の測定精度を高くする。この結果、格子歪の測定精度が向上する。そこで、電子回折図形を観察し記録するステップにおいて、コンデンサレンズ絞り２に焦点が合うように中間レンズ１１を調整する。これにより、結晶試料４における局所領域の応力・格子歪を高精度に測定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも光子密度の高い単色Ｘ線を発生することができ、単色化されたＸ線の波長を変更することができるＸ線集光装置を提供すること。
【解決手段】複数の結晶素子（１１ａ、１１ｂ）を備え、
光源と焦点とを通る直線をｘ軸、該ｘ軸に直交する方向をｙ軸、入射角を決めるパラメータをαとして、ｘ軸上に位置する長さ２Ｌの弦を有し、かつｘ^２＋（ｙ−Ｌ／tanα）^２＝Ｌ^２（１−１／tan²α）で表される円弧上に、前記結晶素子が配置され、
前記光源が前記弦の一方の端点（Ａ）に位置し、前記焦点が前記弦の他方の端点（Ｂ）に位置し、
前記光源から放射されたＸ線が前記結晶素子によって反射されて前記焦点に集光するように、前記結晶素子の結晶格子面の方向が決定されている。 （もっと読む）