【課題】 構成の簡単なイオン化ポテンシャル測定装置を提供する。
【解決手段】 光源が、測定用の光を出射する。分光器が、光源から出射した光を、仮想面上において波長成分ごとに空間的に分離する。この仮想面上に、導電部材で形成された遮光部の一部に光透過領域が設けられた波長選択部材が配置されている。波長選択部材は、分光器で分光された光の一部の波長成分のみを透過させる。ステージが、波長選択部材を透過した光が入射する位置に、測定対象物を保持する。検出回路が、ステージに保持された測定対象物から放出された光電子が波長選択部材に到達する向きの電界を生じさせると共に、波長選択部材に到達した光電子の量に対応する物理量を測定する。 （もっと読む）

【課題】ｘ線光電子分光の帯電現象の解析により評価対象の材料中の電荷欠陥を定量的な計測を可能とする。
【解決手段】１ 試料にあたっているｘ線の照射面積を可変とするため複数の異なった孔径を有する稼動しぼりを試料の前面に設ける。 ２ 試料に当たっているｘ線の強度分布が均一であるように上記１の稼動絞りを用いて計測する手法。 ３ ｘ線の試料への照射開始、終了は、定常状態のｘ線源から放射されているｘ線を、ｘ線源と試料の間に設けた高速シャッターで行う。 （もっと読む）

【課題】大気雰囲気下、試料の表層のみを分析でき、しかも構成物質の分子量まで測定することのできる大気雰囲気測定表面分析装置を提供する。
【解決手段】先端から末端まで内部を貫通する貫通孔を有し、その先端部が試料表面に近接するように配置される探針と、前記探針の先端部周辺にプラズマを供給する手段と、前記探針と試料の間にパルス電圧を印加するための電源と、前記探針−試料間へのパルス電圧印加に起因して前記探針先端部と対する試料表面から脱離すると共に前記プラズマによる作用を受けて生成された試料イオンを前記貫通孔を介して真空室内へ導入するために前記探針の末端部の貫通孔開口部に近接して配置されるイオン導入手段と、前記真空室内に配置され前記イオン導入手段により導入された試料イオンを質量分析するための質量分析器とを備えた。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折を用いて、物体の表層の硬さの状態を非破壊で評価することができる方法を提供する。
【解決手段】マスター部品に対してＸ線回折を行い回折Ｘ線に基づく回折線幅を測定し、同回折線幅とマスター部品表面の硬度との関係を規定するデータベースと、同硬度と硬化層深さの関係を規定するマスターカーブを取得する。次に、検体である焼入量産品に対して前記と同様のＸ線回折を行い回折線幅を取得する。そして、前記データベース、マスターカーブおよび前記検体に係る回折線幅を用いて、検体表層の硬度および硬化層深さを推定し、同推定値に基づいて焼入量産品の表層の硬さの状態を評価する。 （もっと読む）

【課題】高い精度でモルタル圧縮強さ推定値を得る方法を提供することにより、セメントの品質異常を未然に防止することができる信頼性の向上した状態での出荷を可能とすること。
【解決手段】セメント製造プラントの運転において、品質管理情報として収集した、セメント中のクリンカー構成鉱物及び添加材の量の情報、クリンカー構成鉱物の結晶構造の情報、クリンカーの少量成分の量の情報、およびセメントの粉末度及び４５μｍ残分の情報を、過去に蓄積されているそれら情報及びモルタル圧縮強さ実測データの間の重回帰分析を基に求めたモルタル圧縮強さの推定式に適用することにより、モルタル圧縮強さを推定することを特徴とするセメントの品質推定方法。 （もっと読む）

【課題】 引張強度が４００Ｍｐａ以上の高強度フェライト鋼板について、その加工硬化特性を正確に評価可能な方法を提供する。
【解決手段】 成形されたフェライト鋼板の塑性変形を受けた部位において、同一方向性を有する転位セルが並んだ転位セル構造からなるフェライト結晶粒の存在割合を測定した後、該フェライト結晶粒の存在割合に基づいて、前記フェライト鋼板の加工硬化特性を評価することを特徴とするフェライト鋼板の加工硬化特性の評価方法。 （もっと読む）

【課題】微少量の試料であってもＸ線回折測定に用いることが可能な測定用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｘ線回折測定用シリコン基板であって、前記基板内に凹形状部分を１以上有し、前記凹形状部分の底の基板厚みが、０．１〜１００μｍの範囲であり、前記凹形状部分を除く前記基板の厚みが、２８０〜１０００μｍの範囲である基板である。 （もっと読む）

【課題】試料の３次元的な元素構成を原子レベルで高精度に分析する際に、分析中の試料の移動を不要とし、試料の取り付け・取り外し等の作業が不要な元素分析装置および当該元素分析装置に使用可能な試料ホルダ等を提供する。
【解決手段】被測定体を搭載する電子顕微鏡用の試料ホルダ１０において、前記被測定体に照射される電子線が通過可能な開口２８、２８’を有する筐体１６と、前記筐体１６の内部に設けられ、前記被測定体から離脱した元素の位置および飛行時間を測定する検出手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの膜の特性をインラインで測定して、定期的なモニタリング作業を不要にした半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に複数の膜を積層して成膜する。この基板１上に形成され上記基板１上の特定エリアを示すパターンを認識し、この特定エリアのみの上記複数の膜に、Ｘ線をマイクロ化されたスポット径で照射して、Ｘ線反射率測定によって、上記各膜の特性を測定する。 （もっと読む）

【課題】磁性多層膜中の磁気特性を乱すことなくＸ線磁気円２色性を測定し、層界面近傍の磁気特性又は膜厚方向の磁気特性分布を観測する。
【解決手段】磁性多層膜１の積層構造に基づく干渉により反射Ｘ線強度が強くなる入射角θで入射したＸ線５により、磁性多層膜１中に励起される定在波の電界強度Ｅ（イ）、Ｅ（ロ）が、磁性多層膜１中の層１ａ、１ｂの界面で最大強度を有するように入射角θを制御し、入射Ｘ線５を進行方向に対して右廻り円偏光及び左廻り円偏光に切換え、切換え前後のＸ線吸収の差分を測定して、磁性多層膜１のＸ線磁気円２色性を測定する。定在波の腹及び節の位置を入射角θにより制御し、最大電界強度の位置を測定すべき界面に合わせることで、界面近傍の磁気特性が選択的に測定される。 （もっと読む）

【課題】磁気試料表面に形成されている磁区形状を、従来にない高分解能かつ高速に観察可能な検査技術を提供する。
【解決手段】スピン偏極電子源と、前記スピン偏極電子源から出射されるスピン偏極電子線を磁区構造を有する磁気試料に照射する照射光学系と、前記磁気試料を載置するステージと、前記磁気試料から反射した電子線を結像し検出する結像光学系とを備えたＳＰＬＥＥＭ観察部２００と、前記磁気試料表面を清浄化し、前記ＳＰＬＥＥＭ観察部へ搬送する清浄化手段２０８、２１６と、前記結像光学系から得られる画像データを解析する画像処理部とを有し、前記画像データをもとに前記磁気試料面の磁区形状を検査することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】測定試料中の臭素化合物の同定を高精度、非破壊で迅速に行なうための臭素化合物の分析方法および分析装置を提供する。
【解決手段】測定試料のＸ線吸収スペクトルを測定し、Ｂｒ−Ｋ吸収端近傍での吸収端の立ち上がりピークＡと該立ち上がりピークＡよりも高エネルギー側に現れるピークＢとのエネルギー間隔ΔＥならびに該立ち上がりピークＡおよび該ピークＢの強度比Ａ／Ｂを検出する測定ステップと、エネルギー間隔ΔＥの値と強度比Ａ／Ｂの値との組み合わせで測定試料に含まれる臭素化合物の構成元素の結合状態を特定する解析ステップとを含む臭素化合物の分析方法である。 （もっと読む）

【課題】短時間で感光体の性能を測定することができる感光体性能測定装置を実現する。
【解決手段】本発明は、荷電粒子ビームを発生させる荷電粒子ビーム発生手段１０と、荷電粒子ビームを屈曲させる電子レンズ１１と、荷電粒子ビームの通過を制限するアパーチャ１２と、荷電粒子ビームを偏向させるビーム偏向手段１３と、荷電粒子ビームが感光体１８に当たることによって発生する２次荷電粒子を検出する２次荷電粒子検出手段１６と、光源１７を有する感光体性能測定装置において、性能測定時に前記電子レンズの少なくとも２つは屈折力を変化させ、該屈折力を変化させる電子レンズはアパーチャより荷電粒子ビーム発生手段側と感光体側のそれぞれに少なくとも１つ配置してあり、測定の第１段階から第２段階への移行時にアパーチャより荷電粒子ビーム発生手段側の電子レンズ１１の屈折力を調整し、且つ、感光体側の電子レンズ１４の屈折力を弱める構成とした。 （もっと読む）

【課題】半導体試料に加えられるダメージの影響の低減が可能で、より鮮明な不純物濃度分布に関する情報を取得することが可能な半導体の不純物分布測定用試料の製造方法および不純物分布測定方法を提供すること。
【解決手段】収束イオンビームを用いて、ｐ型とｎ型のうちの１つ以上の導電型の不純物を含む半導体基板から半導体片を切り出す切出工程Ｓ１１０と、切出工程Ｓ１１０で切り出した半導体片を、１０μｍ以下の厚さの導電性の箔の上に固定して電気的に接続する箔固定工程Ｓ１２０と、箔固定工程Ｓ１２０で導電性の箔の上に固定された半導体片に、所定の希ガスイオンを照射して、切出工程Ｓ１１０で生じたダメージ層の一部または全部を除去して半導体試料を形成するダメージ緩和工程Ｓ１３０と、を備える構成を有する。 （もっと読む）

【課題】頻繁に試料を回転させることなく、また正確な試料の面合わせを必要とせず、高精度に結晶材料の構造あるいはひずみを測定できるイオン分光分析装置を提供する。
【解決手段】散乱角１８０°（観察角０°）を取り囲む方向と散乱角１３５°（観察角４５°）を取り囲む方向に二次元位置敏感・時間分析型検出器１４，１５を配置する。 （もっと読む）

【課題】複数材料によって起こる一連の化学反応を時間分割分析し得る装置及び方法を提供する。
【解決手段】流路Ｌを構成する管状反応容器２に複数の測定用ポイントたる測定位置２１、２２、２３、２４、２５を設定するとともに、この各測定位置２１、２２、２３、２４、２５ごとに第１材料ｒ１、第２材料ｒ２、第３材料ｒ３及び触媒Ｃによって起こる反応の進行段階が定常となるように、流速維持装置１によって流路Ｌ内の流速を維持しておき、この各測定位置２１、２２、２３、２４、２５における反応状態を管状反応容器２の外側に配した測定装置３によって測定する。
（もっと読む）

【課題】従来の手法では、（１）装置のコスト（２）真空領域作成の必要性（３）空間分解能と観察領域 において問題があった。
【解決手段】従来の干渉電子顕微鏡法で用いられている電子線バイプリズムの代わりに直径１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の極めて細い導電性のファイバを使用する。ファイバのフォーカスのずれた影、あるいはファイバに電位を印加することによって電子線がファイバ中央に重なることで生じる輝線が試料による電子線の位相変化量のファイバに直交する方向に関する微分に比例した距離だけ直線からずれることを利用し、このずれ量を予め位相変化量を定量的に評価した別の試料によるずれ量と比較、較正することにより定量化することで、試料による電子線の位相の微分量、ひいてはこれを積分することにより絶対位相変化量に変換し、可視化する。 （もっと読む）

ＣＴ画像を単一の回転で取得することができ、ＣＳＣＴ画像の取得は、数回の回転を必要とする。本発明の例示的な実施の形態によれば、ＣＴ／ＣＳＣＴ装置が提供され、最初の回転の間に取得されたＣＴデータを使用して、後続する回転のために取得パラメータを最適化する。さらに、後続するＣＳＣＴスキャンのために電流の変調を決定するか又は最適な電圧を設定するため、プリスキャナで取得された投影データも使用される。
（もっと読む）

【課題】収束電子線回折（ＣＢＥＤ）像に現れる高次ラウエゾーン（ＨＯＬＺ）線に基づいて結晶の格子定数又は格子歪み量の測定・解析を行う場合において、処理時間を短縮することができる技術を提供する。
【解決手段】情報処理装置を用いて、ＣＢＥＤ像から得られるＨＯＬＺ線に基づいて格子定数を算出する結晶構造の解析方法であって、前記格子定数をパラメータとしてパラメータ設計手法を用いてシミュレーションによりＨＯＬＺ線の交点間距離の要因効果図を作成し、その作成した要因効果図から、前記格子定数をパラメータとする方程式を作成し、その作成した方程式に、観察された実際のＨＯＬＺ線の交点間距離を代入して格子定数を算出する。 （もっと読む）

【課題】 高い三次元位置分解能で高精度の蛍光Ｘ線三次元分析を可能とする蛍光Ｘ線三次元分析装置を提供する。
【解決手段】 試料を載置するための移動ステージと、X線源及び前記X線源から照射されるX線を試料内部において集光点に集光する照射側集光光学部とを有するX線照射集光手段と、移動ステージに載置される試料から発生する蛍光Ｘ線を集光する検出側集光光学部及び検出側集光光学部により集光される蛍光X線を受けてその検出を行う検出器とを有する蛍光X線検出手段と、移動ステージを三次元に移動させる駆動手段と、検出側集光光学部の焦点と、照射側集光光学部の集光点とを試料内部において一致させる調整手段とを備える。 （もっと読む）