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Fターム[2G001KA20]の内容

Fターム[2G001KA20]に分類される特許

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【課題】半導体プロセスでの原位置・非接触温度測定のための改善された方法および装置を提供することである。
【解決手段】単結晶シリコンウェハをプロセスチャンバに配置し、第1と第2の入射X線源をそれぞれ、プロセスチャンバ内の前記ウェハとコミュニケートさせ、所定の第1の放射波長のX線を前記第1のX線源から選択し、所定の第2の放射波長のX線を前記第2のX線源から選択し、ここで第1の放射波長と第2の放射波長は相互に異なっており、選択されたX線を前記ウェハ上の測定スポットにフォーカスし、前記ウェハから反射された第1と第2のX線を受信し、受信された第1の波長の反射X線と第2の波長の反射X線に基づいて、温度測定中のウェハのシフト運動または撓みを考慮してウェハの格子定数を検出し、格子定数によって決定されたウェハの温度を求める。 (もっと読む)


【課題】 被測定物に対して斜めから測定波を照射し被測定物から反射される反射波の回折角から被測定物のひずみを測定するひずみ測定方法において測定精度を向上する。
【解決手段】 本発明のひずみ測定装置は、被測定物24に所定の光束の測定波を照射する照射手段10と、被測定物24によって反射された反射波を検出する検出手段20と、検出手段20で検出される反射波を、被測定物24中及び/又はその近傍に設定される測定領域から反射される反射波に制限する制限手段16,18と、検出手段20で得られた検出結果を、前記測定領域とその測定領域内に存在する被測定物との幾何学的関係から補正する第1補正手段と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】 X線による異物検出精度を要求レベルに維持しつつ処理能力を高めることができるX線異物検出装置を提供する。
【解決手段】 被検査物を搬送する搬送手段10と、搬送手段10により搬送される被検査物に所定の検査領域内でX線を照射して被検査物に含まれる異物を検出する異物検出手段20とを備えたX線異物検出装置において、搬送手段10が、検査領域内で並列する複数の管路状の搬送路p1、p2を有し、異物検出手段20が、複数の搬送路p1、p2の中の被検査物に向かってX線を照射するX線発生部21と、複数の搬送路中の被検査物を透過したX線を検出するX線検出部22とを含んで構成されている。 (もっと読む)


放射線不透過性ポリマー物品を形成するための組成物および方法が開示される。一つの態様では、放射線検査装置および方法を使用してそのような放射線不透過性ポリマー物品の存在および属性を決定する。本発明の放射線不透過性ポリマー物品は、放射線不透過性材料、たとえばバリウム、ビスマス、タングステンまたはそれらの化合物を粉末化ポリマー、ペレット化ポリマーまたは溶媒もしくは水中のポリマー溶液、エマルションもしくは懸濁液と混合することによって作成することができる。本発明の放射線不透過性ポリマー材料は、放射線検出性物体を作成することに加えて、放射線防護物品、たとえば放射線防護服および爆弾格納容器を作成するために使用することもできる。また、ナノ材料の使用によって高められた放射線防護を達成することができる。本発明の原理は、火炎、化学的、生物学的および投射物の危険を含む他のタイプの危険に対して防護を提供するために使用することができる。

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【課題】 予備的情報を用いず、超格子サテライト次数の情報を考慮することなく、超格子構造の完全性を簡便かつ決定論的に解析する結晶の構造解析方法を提供する。
【解決手段】 所定の結晶面の基板上に形成された超格子構造結晶を、X線回折により測定して、該超格子構造結晶の異なる面指数の複数の反射プロファイルを取得し、測定された各反射プロファイルにおいて、該反射プロファイル中に観測されるサテライト次数の異なる複数のサテライトピーク同士を、該サテライトピークの頂点を揃えて重ね合わせて、該サテライトピーク同士の拡がり形状を比較し、前記各反射プロファイルにおける前記サテライトピーク同士が、サテライト次数に依らず、全て同一の拡がり形状を有しているか否かを判定して、超格子構造の完全性を確認する。 (もっと読む)


【課題】電子顕微鏡で観察される回折像を用いた各種結晶試料のナノメータ分解能を有する歪み、応力を測定し、2次元分布のための装置、手法方法を実現することを目的とする。
【解決手段】電子線を試料に微小かつ平行に照射し、これにより得られる結晶構造を反映した回折像のスポット間距離を画素検出器もしくは位置検出器で測定し、測定位置情報と合わせて電子顕微鏡拡大像上に応力の2次元分布を重ねて表示する。
【効果】高速かつ高分解能で微小な結晶中の歪み、応力を試料の構造情報に合せて表示できる。 (もっと読む)


【課題】 成膜製品の製造工程に組み込み、製品を製造ラインから抜き取ることなく、薄膜検査を実施可能とする。
【解決手段】 検査対象を配置する試料台10と、試料台10を移動する位置決め機構20と、第1,第2の旋回アーム32,33を備えたゴニオメータ30と、第1の旋回アーム31に搭載され、かつシールドチューブ内にX線管およびX線光学素子を内蔵したX線照射ユニット40と、第2の旋回アーム33に搭載されたX線検出器50と、試料台10に配置された検査対象を画像認識するための光学カメラ70とを備える。 (もっと読む)


【課題】
ナノ薄膜積層体の膜厚と界面幅を、測定範囲1mm以下の領域で、計測可能な微小部積層構造検査装置を提供する。
【解決手段】
X線源と試料の間に、分光素子と集光素子があり、X線源で発生したX線を分光素子で単色化し、集光素子により試料位置で、水平方向と垂直方向のX線束の大きさが10μm以下と1mm以下に集光して試料に照射する、分光素子と試料の間にある薄膜散乱体で散乱された入射X線のエネルギーと強度を散乱X線検出器で測定し、試料で鏡面反射されたX線を反射X線検出器で測定する、そして散乱X線検出器と反射X線検出器の出力を入れることで、入射X線と計測する反射X線のエネルギーを一致させて、散乱X線と反射X線の強度を計数するエネルギー同期計測装置を有し、入射X線のエネルギーを変えながら、試料からの蛍光X線の影響のない反射率を測定する微小部積層構造検査装置。 (もっと読む)


【課題】組成成分が分からない蒸気タービンロータにおいて、応力集中部となる蒸気タービンロータの翼植込み部などの強度および余寿命時間を、その後の運用に支障をきたすことなく、非破壊的に評価する蒸気タービンロータの余寿命評価装置および蒸気タービンロータの余寿命評価方法を提案することを目的とする。
【解決手段】組成成分が不明な蒸気タービンロータ10において、組成成分を特定して蒸気タービンロータ10を構成する金属材料を特定し、特定された金属材料の情報、および蒸気タービンロータ10の使用温度、応力、作動時間に基づいて、記憶部103に記憶されている強度特定データと比較対照して、蒸気タービンロータ10の現状の強度を特定し、余寿命時間を推定することができる。また、蒸気タービンロータ10の以後の運転に支障を与えることなく、非破壊的に余寿命を評価することができる。 (もっと読む)


【課題】反射電子線検出装置において、結晶粒界とその方位情報を得る他に、磁性材料解析機能や、特定結晶方位の分布検査機能を付加し、より広範な解析を行うことがでるようにする。
【解決手段】操作部14を使ったオペレータの操作により、解析情報の取得領域が電子線照射軸に対して垂直とされたとき、システム制御部15の制御に基づいて、前記電子線像における前記取得領域の縦方向に画素の輝度を積算し、解析情報として試料の磁区パターン情報を得、システム制御部15に送る。システム制御部15は、前記磁区パターン情報に応じた画像を表示部13に表示する。 (もっと読む)


【課題】
測長SEMは、高真空に保たれた試料室にウェーハを搬入して半導体デバイスの線幅や穴径を測長する装置であり、測長SEMを使用して、真空中の装置状態を容易に把握する。他の真空装置についても適用できるようにする。
【解決手段】
真空中の駆動系の状態、真空バルブ、真空状態や電子光学系の状態を画面化したことにより真空中の装置状態の把握を可能とした。また、各種センサのON/OFFタイミング、Open/Closeタイミングおよび真空の状態をタイミングチャート化し時間計測や、リファレンスデータとの比較を可能とした。
この機能を有することにより、装置保守点検や装置修理時に的確な判断を行う
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【課題】 被検査物を均一な層厚で安定供給できるならし方法を実現し、被検査物を連続的に安定供給可能な構成簡素な被検査物のならし装置およびX線異物検出システムを提供する。
【解決手段】 搬送路21を搬送される粘ちょう性の被検査物にX線を照射し、透過X線量に基づいて被検査物中の異物を検出するX線異物検出装置20の搬送路21の上流側に配置される被検査物のならし装置50であって、外部から圧送供給される被検査物を取り込む導入部と、搬送路21と平行な一対の平行壁面および該平行壁面の両端部同士を連結する連結壁面が形成され、導入部からの被検査物を導入部内とは異なる所定の断面形状で吐出する吐出口部と、を有する吐出ノズル51を備え、その吐出口部は、被検査物の搬送路上の層厚に対応する一定の開口高さおよび該高さより大きい開口幅を有する横長の吐出口形状を有している。 (もっと読む)


【課題】 感光体等の試料の絶縁耐性をμmオーダーの精密度で評価する。
【解決手段】 絶縁耐性を評価すべき試料0を保持手段により保持し、帯電手段により帯電させて厚さ方向に電界強度を与え、走査手段11Aによる荷電粒子ビームで2次元的に走査し、走査により検出信号を信号検出手段25で得、得られた検出信号に基づき、試料0の絶縁耐性を評価する。 (もっと読む)


【課題】 フェノール樹脂成形品中に含有されているフェノール樹脂の分散状態を正確に確認することができるフェノール樹脂の分析方法を提供することにある。
【解決手段】 フェノール樹脂を含有する組成物もしくはその硬化物中におけるフェノール樹脂の分散状態を分析する方法であって、前記フェノール樹脂にホウ素、窒素、フッ素、ケイ素、リン、硫黄、塩素、臭素、ヨウ素から選ばれる元素を有する官能基を導入し、該元素の分散状態を検出することにより、フェノール樹脂の分散状態を分析することを特徴とするフェノール樹脂の分析方法。 (もっと読む)


【課題】X線検査によって不良品と判定された物品が、良品側に混入することを確実に防止できるX線検査システムを提供する。
【解決手段】X線検査装置10は、物品5をコンベア41によって搬送しつつX線を照射することによって、物品5のX線画像データを取得する。次に、X線画像データに基づき、物品5に異物が混入しているか否かの検査を実行する。振分装置80は、X線検査装置10による異物検査の結果に基づき、物品5を良品用のコンベア82と不良品用のコンベア83とに振り分ける。振分処理後、光電センサ85、86の検出結果に基づき、正しく振り分けられたか否かの確認処理が実行される。これにより、X線検査装置10によって不良品と判断された物品5が良品側のコンベア82に混入することを防止でき、物品5の振分動作を確実に実行できる。 (もっと読む)


【課題】 薄膜と薄膜が形成されている基板の材料とが同じ材料を含んでいても、薄膜の微小領域における被覆率の測定を行うことができる薄膜の被覆率評価方法を提供する。
【解決手段】 検量線作成用の、シランカップリング膜2を形成したシリコン基板5をS−SIMS測定法で測定し、シランカップリング膜2に含まれる有機系のPFPEイオン強度値と、シリコンイオン強度値との検量線用イオン強度比(PFPEイオン強度値/シリコンイオン強度値)を取得する。検量線用イオン強度比を基にして被覆率を求めるための検量線を作成する。次に、実際のシランカップリング膜2が形成されたシリコン基板5をS−SIMS測定法で測定し、シランカップリング膜2に含まれるPFPEイオンの強度値とシリコンイオン強度値の試料イオン強度比を取得する。作成した検量線を用いて、試料イオン強度比から被覆率を評価する。 (もっと読む)


【課題】 非破壊検査においてタイヤを構成するゴム層同士の境界が識別可能な空気入りタイヤおよびそのタイヤの非破壊検査方法を提供する。
【解決手段】 一対のビード部10と、少なくとも2枚のカーカスプライからなるカーカス12と、少なくとも2層のベルト層15と、トレッド部20と、サイドウォール部30とを備える空気入りラジアルタイヤ1である。少なくとも2枚のカーカスプライのコーティングゴムに金属微粉体が混入され、かつ、各カーカスプライ毎に金属微粉体の濃度が異なる。あるいは、少なくとも2層のベルト層のコーティングゴムに金属微粉体が混入され、かつ、各ベルト層毎に金属微粉体の濃度が異なる。 (もっと読む)


前記データにある複数の信号に対する信号波形を決定し、信号の時間的位置を含む信号に対するパラメータを推定し、前記信号波形と前記推定されたパラメータとから信号のエネルギーを決定することで、検出出力データ内の個別信号を分離する。 (もっと読む)


本発明は、放射線撮影装置に関するものである。この装置は、重水素−重水素間のまたは重水素−三重水素間の核融合反応によって生成された実質的に単一エネルギーの高速中性子を生成するための中性子線源であるとともに、シールされたチューブ状のまたは同様の態様の中性子線源を具備している。装置は、さらに、撮影対象をなす対象物を実質的に透過し得る程度に十分なエネルギーを有したX線源またはガンマ線源と、中性子線源とX線源とガンマ線源とを包囲するコリメート用ブロックであるとともに、実質的に扇型形状でもって放射させるための1つまたは複数のスロットが形成されているような、ブロックと、を具備している。さらに、線源から放射された放射エネルギーを受領しさらにその受領したエネルギーを光パルスへと変換する複数のシンチレータ画素を備えた検出器アレイを具備している。
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【課題】 入射ビームのビーム厚みによる回折X線像のぼけを低減し、かつ、ダイナミックレンジの大きな画像を再生することにより、明度差のある鮮明なポトグラフ画像を得ること。
【解決手段】 ビーム厚みが経時的に変化した入射X線ビーム2を測定試料3に入射して回折させ、該回折した回折X線ビーム4を2次元の回折画像として画素単位で経時的に連続して画像検出部150にて検出し、演算処理部200において、該検出された2次元の回折画像の画素毎に、入射X線ビーム2の経時的なビーム厚みの変化量Δξに対する回折X線ビーム4のX線強度の明度変化率ΔM/Δξを算出し、該2次元の回折画像の算出値である明度変化率ΔM/Δξを画素毎に積算し、該積算した積算値マトリックスImをポトグラフ画像として生成する。 (もっと読む)


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