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Fターム[2G001KA20]の内容

Fターム[2G001KA20]に分類される特許

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【課題】検査結果データの目視による再確認を容易かつ有効的に行うことができる物品検査装置を提供すること。
【解決手段】物品検査装置1は、被検査物Wを検査して検出信号を出力する検査部3と、検査部3からの検出信号に基づいて被検査物Wの良否を判定する判定部5と、被検査物W毎の検査部3の検出信号、判定部5の良否判定結果および検査時刻を含む検査結果データと、装置の動作来歴データと、から構成される検査記録情報を蓄積する検査記録蓄積部9と、検査記録蓄積部9に蓄積された検査記録情報から目視再確認用の検査結果データを抽出するための抽出条件を複数記憶する記憶部7と、記憶部7に複数記憶された抽出条件から所望の抽出条件の選択操作を行う表示操作部4と、表示操作部4により選択された抽出条件を満たす検査結果データを検査記録蓄積部9から抽出する制御部8と、制御部8が抽出した検査結果データを表示する表示操作部4と、を備えた (もっと読む)


【課題】大規模な施設を要することなくMRT用のX線ビームを生成することができる。
【解決手段】子ビームが照射されると制動X線をX線ビームXとして出射する金属ターゲット5と、スリット状のX線透過部6aを有し、X線ビームXの一部分がX線透過部6aを透過し、X線透過部6a以外の領域に入射したX線ビームXを遮蔽するように、金属ターゲット5のX線ビームXの出射方向下流側に配置されたX線遮蔽体6と、出射されるX線ビームXの発生点の径がX線透過部6aの入口部の長手方向に沿った長さより短い電子ビームを金属ターゲット5に照射する電子ビーム発生装置と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】簡単な手段によって被検出物内への異物の混入の有無の判断を容易にするX線異物検出装置を提供すること。
【解決手段】X線異物検出装置は、異物Yが混入したおそれのある被検出物にX線を照射するX線照射部1と、前記被検出物を透過したX線を受けて発光する発光部3と、前記発光した光を受光する受光部4とを備えるX線異物検出装置であって、前記受光部3が受光した光から、被検出物の白黒画像を生成し、前記白黒画像中の一定の濃度値の範囲に対して、その濃度値に応じた色彩を付したカラー画像を生成する画像生成部9を有する。 (もっと読む)


【課題】液体の蒸発に無関係な微量液滴の体積の測定を、精度良くかつ正確に実現する。
【解決手段】基板上に複数の空間を形成し、空間の一部に標識物質を含む測定用液体を分注するとともに、他の一部の空間に標識物質のみの液体を入れ、分注した測定用液体中の標識物質の物性を検出するとともに、標識物質のみの液体の物性を検出し、両検出値により分注後の測定用液体の体積を測定する。前記空間は前記基板とは別体に形成した隔壁の上下に貫通する複数の通孔とし、開口上下端の周囲に形成した溝にはOリングを設ける。また、前記空間の一部を液体を入れない空間とし、前記標識物質の液体の物性検出時の参照用空間として用いる。また、隔壁の空間を密封する蓋を備え、標識物質のみを入れる空間には標識物質を全て充填して蓋により密封して光路長を規定しても良い。 (もっと読む)


【課題】本発明は、マイクロCTを用いたステント内再狭窄評価方法に関する。
【解決手段】本発明は、血管内部にステントを植え込み、一定期間が経過した後、ステントが植え込まれた部分の血管の再狭窄の具合をマイクロCTを用いて定量的に分析し、3次元立体像を得ることにより、より正確な分析が可能なマイクロCTを用いたステント内再狭窄評価方法に関する。 (もっと読む)


【課題】ゴム材料中の充填剤の分散状態を、鮮明に観察しうる観察方法を提供する。
【解決手段】充填剤を含有するゴム材料の観察方法であって、走査型透過電子顕微鏡を用いてゴム材料の電子線透過画像を取得する撮像工程と、この撮像工程で得られた画像又はこの画像を加工した二次情報を観察する観察工程とを有し、前記撮像工程は、前記走査型透過電子顕微鏡の焦点を前記ゴム材料の厚さの中央領域に合わせることを特徴とするゴム材料の観察方法である。 (もっと読む)


【課題】未知の組成/幾何学形状を含む試料での用途に適し、かつ、測定データの自動デコンボリューション及び表面下の像の自動生成を可能にする荷電粒子顕微鏡による可視化法を提供する。
【解決手段】複数(N)の測定期間中に荷電粒子のプローブビームを試料の表面に照射する手順であって、各測定期間は、対応するビームパラメータ(P)の値を有し、値は、ある範囲から選ばれて、かつ異なる測定期間の間で異なる。各測定期間中に試料によって放出される誘導放射線を検出する手順、測定量(M)と各測定期間とを関連付ける手順、各測定期間での測定量(M)の値を記録することで、データ対{Pn,Mn}(1≦n≦N)からなるデータ組(S)をまとめることを可能にする手順を有する。データ組(S)を自動的に処理するのに数学的手法が用いられる。 (もっと読む)


【課題】連続的に巻き取られるような連包ワークにおける個装袋毎の質量測定や空袋検査及び欠品検査をリアルタイムに且つ連続的に行うこと。
【解決手段】搬送される連包ワークWの境界位置を境界検知部5で検知し、この検知した検知信号を所定の信号処理後に境界信号として質量積算部11に出力する。また、ライン質量算出部10は、X線検出器4からのX線透過データに基づいて連包ワークWに吸収されたX線吸収量を算出し、ラインセンサ1周期分を合算した後に風袋部分のX線吸収量を減算して得られた内容物のみのX線吸収量に質量換算係数を乗算したライン質量値を質量積算部11に出力する。そして、質量積算部11において、境界信号の入力タイミングに応じてライン質量値の積算を開始し、次に入力した境界信号の入力タイミングでライン質量値の積算を終了して個装袋の内容物質量値を得る。 (もっと読む)


【課題】多結晶材上に非晶質材が積層されてなる積層膜において、積層膜を構成する非晶質材の内部歪みを精緻に特定することができる非晶質材の内部歪み特定方法を提供する。
【解決手段】多結晶材上に非晶質材が積層されてなる積層膜における非晶質材の内部歪みを特定する方法であって、X線回折法を使用して、多結晶材1の第1の内部歪みを測定する第1のステップと、多結晶材1'上に非晶質材2を形成して積層膜5を作製する第2のステップと、X線回折法を使用して、積層膜5を構成する多結晶材1'の第2の内部歪みを測定する第3のステップと、第1の内部歪みと第2の内部歪みの差分から非晶質材2の内部歪みを特定する第4のステップからなる。 (もっと読む)


【課題】微細化あるいはハイアスペクト化された凹部を有する構造体に対するパターン検査の精度を向上させることができるパターン検査方法およびパターン検査装置を提供することである。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、構造体が有する凹部にX線または真空紫外線を集光させ、前記集光させた前記X線または前記真空紫外線を前記凹部の内部において伝播させて前記凹部の底面に到達させ、前記底面で反射または前記底面を透過した前記X線または前記真空紫外線の強度を検出することにより前記凹部の欠陥の有無を検査することを特徴とするパターン検査方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】X線回折分析と蛍光X線分析の両方の分析により単結晶構造解析を行うX線分析装置の提供。
【解決手段】X線源2と、X線源が放射するX線を単結晶試料へ入射させる光学系3と、単結晶試料を支持する試料台4と、回折X線検出器5と、回折検出器5を角度移動させる回転駆動系6と、回折X線測定データ保存部と、回折X線の測定データに基づいて結晶構造のデータ解析を行う構造解析データ解析部と、エネルギー分散型蛍光X線検出器7と、蛍光X線測定データ保存部と、蛍光X線の測定データに基づいて蛍光X線分析を行う蛍光X線解析部と、蛍光X線分析データ保存部と、蛍光X線分析データを取得するとともに構造解析データ解析部へ出力する、蛍光X線分析データ取得手段と、を備える複合X線分析装置1であって、構造解析データ解析部は、蛍光X線分析データ取得手段が出力する蛍光X線分析データに基づいて、結晶構造のデータ解析を行う。 (もっと読む)


【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なIII族窒化物結晶基板、エピ層付III族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本III族窒化物結晶基板1は、結晶基板の表面層の均一歪みが1.9×10-3以下であり、結晶基板の表面層の不均一歪みが130arcsec以下であり、均一歪みと不均一歪みとは、それらの一方が小さくなるほど他方が小さくなる関係を有し、結晶基板の主表面1sの面方位が、結晶基板の(0001)面または(000−1)面1cから<10−10>方向に10°以上80°以下で傾斜している。 (もっと読む)


【課題】目視用の作業者を必要とせず、従来に比べて被検査体の内容物の個数を正確に検査する。
【解決手段】X線検査装置1は、内容物が収容体に縦詰めして整列収容された被検査体Wを順次搬送させながらX線を照射し、このX線の照射に伴うX線濃度データからなるX線透過画像に基づいて被検査体Wを検査するものであり、X線透過画像から内容物に相当する内容物領域を抽出し、さらに抽出した内容物領域から内容物の整列方向と直交する方向の内容物の凸部領域を抽出して計数する画像処理手段13と、画像処理手段13による凸部領域の計数値に基づいて内容物の個数を判別する判別手段14とを備える。 (もっと読む)


【課題】縞走査法を用いて被検体の位相微分画像を生成する放射線撮影装置において、格子の移動精度を向上させる。
【解決手段】X線源とX線画像検出器との間に第1の格子21と第2の格子22とが対向配置されている。走査機構は、第1の格子21に対して第2の格子22を、格子線に直交する方向(x方向)に対して角θをなす方向に相対的に並進移動させ、第1の格子21に対する第2の格子22の相対位置を複数の走査位置に順に設定する。X線画像検出器は、各走査位置において、第2の格子22により生成されるG2像を検出して画像データを生成する。位相微分画像生成部は、X線画像検出器により生成される複数の画像データに基づいて位相微分画像を生成する。第1及び第2の格子21,22に代えて、線源格子を上記方向に並進移動させてもよい。 (もっと読む)


【課題】等価膜校正時に測定セルの上下ブロック間に校正用具を手作業で配置するときに、校正用具が濾紙に接触することがなく、濾紙の位置が変化して等価膜校正の再現性が悪くなることを防止することができるダスト計を提供する。
【解決手段】開閉可能な上ブロック102、下ブロック104を有するとともに、内部にガス流路106及びβ線照射路が形成され、ガス流路を流れる気相中のダストを上下ブロックで挟持した濾紙108上に吸引捕集する測定セル100を備えたダスト計において、上記測定セル100の下ブロックの上面の濾紙が配置される部分を含む領域に、深さが濾紙の厚さより大きい凹部118を形成し、濾紙が上記凹部118の底面に接触するようにする。 (もっと読む)


【課題】X線反射率法および中性子反射率法において、均一ではない、面内の場所ごとに異なる構造を持つ薄膜・多層膜について、表面や界面、特定深さ位置における2次元の電子密度分布および核散乱長密度分布を画像化する方法及びその装置を提供する。
【解決手段】本発明では、微小ビームを作製してXYスキャンを行う方法によらず、通常のX線反射率法および中性子反射率法において用いられるものと同じサイズのビームを用い、数学的な画像再構成のアルゴリズムによって、表面や界面、特定深さ位置における2次元の電子密度分布および核散乱長密度分布の画像が得られる装置を開発した。 (もっと読む)


【課題】製品基板毎に態様の異なる被爆量を好適に管理すること。
【解決手段】電子部品が実装された基板の撮像要部をX線で撮像するX線撮像装置に用いられるX線被爆量管理システムにおいて、前記基板Wを製品毎に特定する基板特定手段と、特定された製品基板に係る累積被爆量Hを演算する累積被爆量積算手段とを備えている。X線撮像を実施する際の累積被爆量Hが個々の製品基板毎に演算されるので、例えば、再検査や、抜き打ち検査が生じて、被爆量が製品基板毎に異なるような事態が生じても、各製品基板が上限値を超えて被爆しないように管理することができる。 (もっと読む)


【課題】X線検出領域を挟んで搬送方向の上流側と下流側に搬送コンベア分割されている場合でも、上流側コンベアと下流側コンベアとの隙間から落下する被検査物からの落下物がX線検出領域内に侵入しないX線異物検出装置を提供する。
【解決手段】被検査物Wを所定の搬送方向Yに搬送する搬送コンベア8と、搬送コンベア8により搬送される被検査物WにX線を照射するX線発生部21と、被検査物Wを透過したX線を検出するX線検出部22とを備え、搬送コンベア8がX線検出領域Aを挟んで搬送方向Yの上流側(上流側コンベア8a)と下流側(下流側コンベア8b)とに分割されたX線異物検出装置1において、X線発生部21によるX線照射中はX線検出領域A内に被検査物Wからの落下物Dが侵入しないように、X線検出領域Aに向けて常にエアーを吹き付けるエアー吹付け手段31を備えた。 (もっと読む)


【課題】本発明は、シリコン(Si)基板を用い電鋳法で格子の金属部分をより緻密に形成し得る金属格子の製造方法および前記金属格子ならびにこれを用いたX線撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の金属格子DGは、第1Si部分11とこの上に形成され第2Si部分12aおよび金属部分12bを交互に平行に配設した格子12とを備え、第2Si部分12aは、金属部分12bとの間に第1絶縁層12cを有し、その頂部に第2絶縁層12dを有する。金属格子DGは、シリコン基板上にレジスト層を形成し、これをリソグラフィー法でパターニングして除去し、ドライエッチング法で除去部分を所定の深さHまでエッチングして凹部(例えばスリット溝等)を形成し、この凹部の形成面側の全面に堆積法によって絶縁層を形成し、凹部の底部の絶縁層を除し、電鋳法で凹部を金属で埋めることで製造される。 (もっと読む)


【課題】 荷電粒子光学装置において試料キャリアの温度を決定する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、荷電粒子光学装置において試料キャリアの温度を決定する方法に関し、該方法は、荷電粒子のビームを用いた試料キャリアの観測を含み、その観測は、その試料キャリアの温度に関する情報を与える。本発明は、TEM、STEM、SEM又はFIBなどの荷電粒子光学装置が、試料キャリアの温度に関する変化を観測するために使用することができるという見識に基づく。その変化は、力学的変化(例えば、二次金属)、結晶学的変化(例えば、ぺロブスカイトの)、及び発光変化(強度又は減衰期間)であってよい。望ましい実施形態において、異なる熱膨張係数を持つ金属(208、210)を示す2つの二次金属(210a、210b)を示し、反対方向に湾曲する。その2つの二次金属間の距離は、温度計として使用され得る。 (もっと読む)


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