Fターム[2G001MA08]の内容
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Fターム[2G001MA08]に分類される特許
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X線分析装置および方法
【課題】結晶構造を有する試料から発生する散乱線および不純線を抑制し、回折X線を回避することができるX線分析装置等を提供する。
【解決手段】本発明のX線分析装置は、試料Sを試料Sの所定点周りに回転させながら1次X線2を照射し、試料Sから発生する2次X線4の強度を試料Sの回転角度と対応させた回折パターンを取得して記憶し、回折パターンを、2次X線4の強度を示す直線で強度の高低方向に走査しながら、直線が示す強度以下の強度をもつ回折パターン上の点を候補点とし、隣接する候補点間の回転角度差の最大値が所定の角度になったときに走査を止めて候補点の回転角度を記憶し、試料Sの測定点の座標に応じて、記憶した候補点の回転角度の中から測定点の座標に最も近い回転角度を読み出し、読み出した回転角度に試料Sを設定するとともに、試料Sの測定点を検出器7の視野V内に配置する。
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転動体の検査方法、転動体の製造方法および転動体
【課題】セラミックス製転動体の全体を漏れなく、かつ短時間で検査することが可能な転動体の検査方法、当該検査方法を採用した転動体の製造方法、およびその製造方法により製造された転動体を提供する。
【解決手段】転動体91の検査方法は、転動体91に光源12からX線99を照射する工程と、転動体91を透過したX線99を検出部13にて検出する工程と、検出されたX線99のデータを演算して画像を作成する工程と、画像に基づいて転動体91の欠陥を検出する工程とを備える。そして、X線99を照射する工程では、光源12に対向する転動体91の領域全体にX線99が照射されつつ、光源12が転動体91の周りを相対的に回転し、画像を作成する工程では、転動体91の周り1周分のX線99のデータが演算されて画像が作成される。
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半導体欠陥検査装置ならびにその方法
【課題】回路設計データを用いた半導体ウェーハ上の欠陥を自動的に検出し、欠陥発生原因の推定を行う半導体欠陥検査装置ならびにその方法を提供する。
【解決手段】回路設計データ1160から検査対象回路パターンと比較するために,欠陥発生要因毎に定められた形状変形項目について設計データに変形を加え,複数の形状を作成する(1192)。作成された形状群302と実パターンの比較により欠陥を検出する。また、それらの欠陥の発生原因を推定し,原因別に欠陥を分類する。
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X線吸収端法による元素別定量分析方法及び元素別定量分析装置
【課題】放射光装置(高エネルギー電子蓄積リング)等の大がかりな装置を用いることなく、比較的簡易な連続X線光源を用い、被測定物に含有される各元素の平均密度、全量等を非破壊で測定することのできる定量分析方法、及び、そのような定量分析方法を実施することのできる元素別定量分析装置を提供する。
【解決手段】炭素系冷陰極電子源、チタンよりも原子番号の小さい導電性の軽元素からなり、冷陰極電子源から放出された電子が入射面に入射され、入射方向に対して前方にX線を放出するターゲット、及び、該ターゲットで発生したX線以外のX線を遮蔽する遮蔽部材を具備する連続X線光源と、エネルギー弁別型検出器とを用いて、被測定物のX線吸収スペクトルにおける含有各元素の吸収端ジャンプ量を求め、あらかじめ標準試料等で決定した元素別の質量吸収端ジャンプ係数と前記含有各元素の吸収端ジャンプ量に基づき、被測定物に含有される各元素について同時にX線透過経路上の面密度を測定することを特徴とする。
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X線回折装置、X線回折装置のデータ解析方法、X線回折装置の制御方法およびその方法を実現するためのプログラム
【課題】2次元検出器を用いた場合であっても極点図測定を正確に行うことが可能なX線回折装置を提供する。
【解決手段】X線回折装置は、X線源と、試料を保持し、移動可能な保持台と、試料から回折により出射されるX線を検出する2次元検出器と、X線源と保持台と2次元検出器とを制御する制御処理部とを備える。制御処理部は、記憶手段と演算手段(工程(S50))と極点図作成手段(工程(S70))とを含む。記憶部は、2次元検出器により複数の条件下で検出されたX線の複数の強度データを記憶する。演算手段(工程(S50))は、複数の強度データについて、それぞれの強度データに対応するX線の試料における吸収量の差を補正するように、強度データに対する補正演算を行う。極点図作成手段(工程(S70))は、補正演算された補正後の複数の強度データを用いて試料の極点図データを作成する。
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分析装置
【課題】試料識別標記や特異元素で構成されたマスクや試料ホルダを要せず、試料を試料ホルダに搬送する前に試料ホルダを短時間で自動識別する分析装置を提供する。
【解決手段】本発明の分析装置は、カセット21の種類を識別するカセット部20と、試料Sが挿入される挿入口83、および、試料が載置される輪状の台座82を有する試料ホルダ8と、カセット21から試料ホルダ8へ試料Sを搬送する搬送手段23と、試料ホルダの挿入口の径方向端84または輪状の台座の内径方向端85を検出して、載置されるべき試料の直径に対応した試料ホルダの種類を識別する試料ホルダ識別信号を発信する試料ホルダ識別手段35と、カセット識別信号および試料ホルダ識別信号に基づいて、カセット21に収納されるべき試料の直径と試料ホルダ8の台座に載置されるべき試料の直径とが合致しているか、否かを判定する判定手段40とを備える。
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X線分析装置および方法
【課題】結晶構造を有する試料から発生する散乱線および不純線を抑制し、回折X線を回避することができるX線分析装置および方法を提供する。
【解決手段】X線分析装置は、試料Sを試料の所定点周りに360°回転させながら1次X線2を照射させて取得した回折パターンを記憶する制御手段15と、試料SのR−θ座標において試料の測定面上に位置することができる試料の平行移動範囲の上下限値のθ座標を、演算および/または記憶する演算記憶手段17と、演算および/または記憶されたθ座標の上下限値、および回折パターンに基づいて、隣り合う間隔がθ座標の上下限値範囲内の角度であって、回折X線を回避できる回避角度を選択するための選択手段とを備え、制御手段15が試料の測定点の座標に応じて、回避角度の中から測定点の座標に最も近い回避角度を読み出して、読み出した回避角度に試料を設定する。
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蛍光X線分析装置および方法
【課題】結晶構造が回転対称の試料だけでなく、回転対称でない試料であっても、簡単に精度のよい分析をすることができるコンパクトな蛍光X線分析装置を提供する。
【解決手段】本発明の蛍光X線分析装置は、結晶構造を有する試料Sが載置される試料台8と、試料Sに1次X線2を照射するX線源1と、試料Sからの2次X線4を検出する検出手段7と、試料台8を回転させる回転手段11と、試料台8を平行移動させる平行移動手段12と、試料Sの回転角度とその角度で発生する2次X線4の強度とを対応させて取得した回折パターンに基づいて、隣り合う間隔が180°未満であって、回折X線を回避できる回避角度を少なくとも3つ選択するための選択手段17とを備え、制御手段15が、試料台8、回転手段11および平行移動手段12が当該装置の他の構造物と干渉しない回避角度に試料Sを設定するように回転手段11を制御する。
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位相情報の解析方法、該位相情報の解析プログラム、記憶媒体、X線位相イメージング装置
【課題】窓フーリエ変換法を用いた解析において、解像度の更なる向上を図ることが可能となる位相情報の解析方法等を提供する。
【解決手段】光あるいはX線を含む波長の波の干渉によるモアレ像の周期的パターンを解析し、位相波面を含む位相情報を取得する位相情報の解析方法であって、
前記モアレ像の周期的なパターンの少なくとも一部を、窓関数によって窓フーリエ変換する工程と、
前記窓フーリエ変換されたモアレ像における、位相情報を担うスペクトルの情報と、前記位相情報を担うスペクトルの情報に重畳している位相情報を担っていないスペクトルの情報とを解析的に計算する工程と、
前記位相情報を担っていないスペクトルの情報を、前記位相情報を担うスペクトルの情報から分離し、前記位相波面を含む位相情報を取得する工程と、を有する構成とする。
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X線応力測定方法
【課題】従来のエリアディテクタ方式の3軸応力測定法の問題点を解決し、より精度の高い測定方法を提供すること。
【解決手段】被検物にX線を照射して得られる回折環に基いて3軸応力を測定する方法である。第一の態様では、4つの入射方向(φ0 = 0°、90°、180°、270°)にてX線を斜めに照射して各々回折環を得、φ0 =(0°、180°)では(σx −σz )、τyzを求め、φ0 =(90°、270°)では(σy−σz )、τxz を求め、これらの回折環からτxyσz を求め、もって6個の3軸応力成分を得る。第二の態様では、垂直入射と2つの斜め入射φ0 =(0°、90°)によって回折環を得、垂直入射ではτxz、τyz を、φ0 = 0°では(σx−σz )、τxy を、φ0 = 90°では(σy −σz )、τxy を求め、これらの回折環からσz を求め、もって6個の3軸応力成分を得る。
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基板の検査装置、および、基板の検査装置における基板の欠陥分布を得る方法
【課題】欠陥画像を記憶するメモリのオーバフローが発生した場合でも基板の全面についての欠陥分布を早期に得ることができる基板の検査装置、および、基板の検査装置における基板の欠陥分布を得る方法を提供する。
【解決手段】基板の画像を取得し、画像比較により差のある画素を抽出し、該画素の信号量が予め設定された閾値を超えた場合に欠陥候補と判定し、欠陥候補の代表画素の座標を記憶装置へ記憶し、記憶装置の容量がオーバフローした場合、またはオーバフローの前に、閾値の値を変更して欠陥候補の判定を継続し、基板の欠陥分布をディスプレイへ表示する。
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サンプルホルダー
【課題】円柱状、円筒状、球状の試料をホルダーの所定位置に確実かつ安定的に保持することができるサンプルホルダーを提供することを目的とする。
【解決手段】円筒状のホルダー本体1と、複数の分割部に分割され上記ホルダー本体内に格納された円形ブロック状の治具3とを具備し、かつ上記治具3の上面中央部には断面V字状の保持凹部32が形成されていると共に、該治具3の径が上記ホルダー本体1の内径よりも小さく設定されており、上記保持凹部32に試料を載置すると共に上記治具の各分割部31を外側に移動させて上記ホルダー本体1内周面に当接させ、この状態で上記試料sを治具3の上面に保持するサンプルホルダーを提供する。
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磁気ディスク
【課題】近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、また用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで、良好な信頼性特性を有する磁気ディスクを提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも磁性層と保護層が設けられた磁気ディスクであって、カーボン60(C60)をエッチング用のガスとして用いたESCA(エスカ)にて測定される磁性層中のアルゴン(Ar)含有量が許容値となるように磁性層の成膜条件、具体的には成膜時のガス圧を設定し、この設定した成膜条件により磁性層を形成する。
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CT装置およびCT装置の較正方法
【課題】撮影倍率を変更しても都度較正を行なうことなく寸法精度のよい断面像を得る。
【解決手段】撮影距離FCDと検出距離FDDを設定するシフト機構(撮影距離設定手段、検出距離設定手段)7と、第一の撮影距離FCDを設定してスキャンして得た既知の大きさの第一の基準体の第一の断面像上の大きさと、第二の撮影距離FCDを設定してスキャンして得た第一の基準体の断面像上の大きさとから、FCD及びFDDの誤差を求め較正する較正計算手段を有する。
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非水電解質二次電池検査装置
【課題】非水電解質二次電池内部の電極間に存在する気泡およびX線吸収率の低い異物を検出することができる非水電解質二次電池検査装置を提供する。
【解決手段】非水電解質二次電池100に平行X線310を照射するX線照射手段300を設け、X線照射手段によって照射された平行X線が非水電解質二次電池を透過したときに生ずる透過X線311を、屈折像によりX線検知手段320で検知する。
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転動装置及びこの転動装置を用いた転動装置内部観察方法
【課題】X線照射に代表される電子線照射によって得られた転動装置の断層データによって内部の状態を把握することに適した転動装置を提供する。
【解決手段】内側軌道部材3と、外側軌道部材2と、前記内側軌道部材及び前記外側軌道部材との間で転動する転動体4と、前記内側軌道部材及び前記外側軌道部材の間に充填した潤滑剤6とを転動装置構成部材とし、これら転動装置構成部材にX線を照射することで当該転動装置構成部材の断面についてのX線吸収率データを得るとともに、このX線吸収率データに基いて、前記断面内でのX線吸収率を所定の階調でもって表すデータを取得し、当該データに基づいて画像表示装置で表示することにより前記内側軌道部材と前記外側軌道部材の間の内部状態を観察することが可能な転動装置1において、前記内側軌道部材、前記外側軌道部材、前記転動体及び前記潤滑剤のX線吸収係数を異なるものとした。
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試料ホルダ及びこれに用いられる樹脂フィルム
【課題】試料が、球体や円筒体や丸頭ネジのような半球部を持つものなどの、転がり易いものであっても、その試料の蛍光X線分析を安定して精度良く行う。
【解決手段】試料ホルダ1は、球体の試料100が上側に載置されて自身を介してX線が下側から試料100に照射される載置部としての樹脂フィルム11と、樹脂フィルム11が張設されるように樹脂フィルム11の周辺部を支持する筒状の支持体12と、を備えている。樹脂フィルム11には、その中央部に、試料100の転がりを防止する転がり防止部としての凹部11aが形成される。
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半導体基板の不純物分析方法と不純物分析装置
【課題】半導体基板の外周面に存在する不純物を簡易的に分析する方法を提供する。
【解決手段】測定対象となる半導体基板4を分割構造のステージ2で挟持し、半導体基板4の外周面とステージ2の外周面とで、半導体基板4の外周面を中心とする平坦部Fを形成する。半導体基板4の外周面とステージ2の外周面とで形成された平坦部FにX線を全反射条件で照射し、半導体基板4の外周面から発生した不純物の蛍光X線を検出する。蛍光X線の検出結果に基づいて半導体基板4の外周面の不純物による汚染状態を評価する。
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半導体欠陥検査装置、および半導体欠陥検査方法
【課題】
電気的評価を行わなくても、最適なプロセス条件を決定することができる半導体欠陥検査装置、および半導体欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】
試料を検査して得られる欠陥の種類を記憶したデータベースを参照して、抽出した欠陥の種類を特定し、試料の領域ごとに欠陥の種類別の欠陥密度を求め、表示するようにしたものである。また、試料を検査して得られる欠陥の種類を記憶したデータベースを参照して、抽出した欠陥の種類を特定し、試料の製造プロセスごとに欠陥の種類別の欠陥密度を求め、表示するようにしたものである。
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欠陥検査方法および欠陥検査装置
【課題】
ノイズ成分を抑制した2次電子画像を得て、高精度の欠陥検査を可能とする欠陥検査方法ないし欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】
電子顕微鏡により、欠陥検査対象物において繰り返しパターンを有する欠陥検査対象領域の観察画像を取得し、予め登録されているマスキング用パターンを観察画像に重ね、観察画像からマスキング用パターンで覆われた領域の信号を除去した欠陥検査用画像を得、欠陥検査用画像を用いて、繰り返しパターンの欠陥検査を行う。
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