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Fターム[2G001RA05]の内容

Fターム[2G001RA05]に分類される特許

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【課題】測定感度および測定精度が高く、効率の良い、半導体ウェハプロセス用希ふっ酸溶液の不純物分析方法を提供すること。
【解決手段】希ふっ酸溶液を浸漬槽から採取するA工程と、液中のSiの質量数28、Pの質量数31およびPO不純物の質量数47の質量スペクトル強度を計測するB工程と、採取した希ふっ酸溶液を乾燥濃縮して固形化するC−1工程、この固形物中のSi、P、PO元素の真空中でのエネルギー強度を測定するC−2工程と、前記固形物の真空中での質量スペクトル強度を計測するC−3工程、C−3工程で求めた目的の不純物の質量スペクトル強度とマトリックス質量のスペクトル強度とを合わせたスペクトル強度と目的の不純物の質量スペクトル強度との強度比を求め、この強度比によって前記B工程で求めた質量スペクトル強度を補正して、希ふっ酸溶液中のSi、P,POの真の不純物量を求める。 (もっと読む)


【課題】 蛍光X 線分析装置において高精度な分析結果を得る方法及び装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板を酸蒸気に暴露する工程と、酸蒸気に暴露された前記半導体基板の表面の不純物を酸溶液で走査回収する工程と、前記走査回収した酸溶液を前記半導体基板上で濃縮乾燥させ濃縮乾燥物に変える工程と、前記濃縮乾燥物を全反射蛍光X線分析で測定し第一の測定値を得る工程と、前記半導体基板を酸蒸気に暴露する工程の後に、前記半導体基板上で前記濃縮乾燥物の位置とは異なる位置を全反射蛍光X線分析で測定し第二の測定値を得る工程と、前記第二の測定値を用いて前記第一の測定値の精度の確認を行う工程とにより半導体基板の分析を行う方法。 (もっと読む)


【課題】排ガス中に含まれるCl-濃度を測定することができるガス分析装置、水銀除去システム、ガス分析方法及び排ガス中の水銀除去方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るガス分析装置10は、NH4Cl、SO3の両方を含む排ガス11が送給される煙道12から排ガス11Aを抜出す排ガス抜出し管13と、排ガス抜出し管13に設けられ、抜出した排ガス11A中に含まれる煤塵を除去する捕集器14と、排ガス抜出し管13に設けられ、排ガス11A中に含まれるNH4Cl、SO3の両方を析出させるロールフィルタ15と、ロールフィルタ15で析出されたNH4Cl、SO3の両方を含む試料にX線を照射させて試料から発生する蛍光X線を検出して排ガス11A中に含まれるNH4Cl、SO3の両方を測定する測定装置19とを含む。 (もっと読む)


【課題】無機酸化物系材料中のエトリンガイト量を精度良く定量する。
【解決手段】無機酸化物系材料を、5mmより小さい粒度まで粗粉砕し、150μm以下の粒度のものを篩いとり、全体に対する150μm以下の粒度の質量割合を測定した上で、前記150μm以下の粒度の材料中に含まれるエトリンガイトの量を定量分析し、それを質量割合で割り戻すことにより、無機酸化物系材料中のエトリンガイトの量を測定することができる。 (もっと読む)


【課題】 半導体単結晶基板の結晶欠陥を、高感度に検出し精度良く評価することのできる半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板を水素雰囲気下800〜1100℃で熱処理した後、該熱処理した半導体単結晶基板の表面に顕在化した結晶欠陥の検出を行うことによって、前記半導体単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とする半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法。 (もっと読む)


【課題】層界面領域に達する前に、照射面の層界面領域への近接を検出することが可能な電子分光分析方法を提供する。
【解決手段】試料に電子を励起させる励起線を照射し、試料から放出され、第1の層の構成元素に由来する第1の電子の信号強度を測定し、試料から第1の電子とともに放出され、第2の層の構成元素に由来する第2の電子の信号強度であって、前記第2の層が前記試料の表面を形成しているときに測定される運動エネルギーである第1の運動エネルギー(Ek(Si2s)、Ek(Si2p))よりも低い第2の運動エネルギー(Ek(1)、Ek(2)、Ek(3))を有する第2の電子の信号強度を測定し、第2の電子の信号強度の変化度合いが所定のレベルに達したときは、試料の分析条件を変更する。 (もっと読む)


【課題】 弾性膜の試料室を形成する部位に、しわや弛み(撓み)を確実に無くすことができる蛍光X線分析装置のセルを提供する。
【解決手段】 弾性膜11がセル本体12と膜固定体13との間に固定される際に、弾性膜11の外周部がセル本体12に係止されるように構成される蛍光X線分析装置のセル1において、セル本体12は、外周部が係止された弾性膜11を平面状にして支持すべく、凹部121aの周りに環状の支持部121bを備え、膜固定体13は、平面状にして支持された弾性膜11における支持部121bよりも内方且つ開口部132よりも外方の部位を押圧すべく、環状の押圧部131cを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明はX線光電子分光装置並びに全反射X線光電子分光装置に関し、試料表面を極めて平坦にすることにより、高精度の試料分析ができるようにしたX線光電子分光装置,全反射X線光電子分光装置を提供することを目的としている。
【解決手段】試料表面上を帯電液滴エッチング法を用いてエッチングするエッチング手段と、エッチングした試料表面に全反射条件を満たす全反射臨界角以下の角度でX線を照射するX線照射手段と、X線を照射した試料表面から放出される光電子を解析することにより試料の表面近傍の深さ方向分析を行なう解析手段と、を含んで構成される。 (もっと読む)


【課題】電子分光法及び電子分光を行う装置に関する。特に、試料から表面層を選択的に除去するために用いることのできる電子分光用イオン源に関する。
【解決手段】電子分光装置2は内部に試料台6を設置した超高真空容器4を備える。イオン銃8は超高真空容器4内に伸びており、多環式芳香族炭化水素イオンビーム10を供給する。イオンビームは使用の際、試料台の上の試料に向けられる。光子源12は、使用時に試料上に投射する光子ビーム14を供給するのに適合している。真空容器4の内部には光電子分光器16が設置され、使用時に試料から放射される電子18を検出する。 (もっと読む)


【課題】表面に酸化膜を有する溶融亜鉛系めっき鋼板、電気亜鉛系めっき鋼板及び冷延鋼板について、表面の酸化物厚さを、既存手法より簡便・迅速、かつ正確に評価できる品質管理方法及び前記鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】溶融亜鉛系めっき鋼板の表面に0.1〜5kVのなかから選ばれる加速電圧で加速された電子ビームを照射し、表面から発生する2次電子量に対応した信号強度を測定して信号強度数値として数値化する数値化ステップと、得られた信号強度数値が所定範囲に入るか否かにより、前記溶融亜鉛系めっき鋼板がその表面に所定性状の酸化膜を有しているか否かを判定する判定ステップとを有することを特徴とする、表面に酸化膜を有する溶融亜鉛系めっき鋼板の品質管理方法。 (もっと読む)


【課題】
タンパク質等の高分子構造におけるカイラリティ分布や、磁区構造の解析を高分解能で行うことが可能な走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
レーザー201と半導体202を備えたスピン偏極電子源等を搭載した走査電子顕微鏡を用いて、スピン偏極電子線203を照射した試料208からの反射電子209の強度やスピン偏極度を反射電子検出器210などを用いて測定することにより、試料208内部の高分子のカイラリティ構造や磁化ベクトルを可視化することができる。 (もっと読む)


【課題】システム自体と基板の汚染を防止する蛍光X線分析システム、それに用いるプログラムを提供する。
【解決手段】蛍光X線分析システム100は、基板1を測定する蛍光X線分析装置40と、基板1の被測定物2を反応性ガスにより溶解する気相分解装置20と、溶液で被測定物2を回収して基板1の表面に保持する試料回収装置30と、基板1を、蛍光X線分析装置40から気相分解装置20へ、気相分解装置20から試料回収装置30へ、および試料回収装置30から蛍光X線分析装置40への搬送を行う搬送装置50と、蛍光X線分析装置40、気相分解装置20、試料回収装置30および搬送装置50を制御するとともに、被測定物2の測定値が所定の分析閾値未満の基板1であるか、否かを識別する制御装置60とを有する制御装置60とを備える。 (もっと読む)


【課題】バーミキュライト中の角閃石系石綿の含有量を、これまでの検出限界値を超える極く微量まで正確に、かつ短時間で効率よく定量できる方法を提供する。
【解決手段】バーミキュライトを、90℃以上に加熱した酸水溶液で酸処理した後、固液分離し、固形分について角閃石系石綿を定量することを特徴とするバーミキュライト中の角閃石系石綿の定量方法。 (もっと読む)


【課題】めっき膜の元素分析を行うのに際し、金属母材上に形成されためっき膜のみを分離するのに適した方法を提供すること。
【解決手段】本発明のめっき膜の分離方法においては、表面の一部にめっき膜が形成された金属母材を所定の溶解液に浸漬し、上記金属母材を溶解除去する工程(S4)を有する。
【効果】本分析方法によれば、めっき膜のみに由来する含有元素濃度の直接測定が可能になるので、鉛などの微量の含有物質濃度についても高い精度で測定することができる。 (もっと読む)


【課題】XRRによる膜厚測定結果に影響を与えることを抑制する手段を提供する。
【解決手段】X線源11からのビームは放物線多層膜ミラー15により進行方向を変えられ、制限スリット17により絞り込まれ、モノクロメータ21で波長選別が行われる。さらに制限スリット23によりビームが絞られ、回転可能に取り付けられた試料Sに照射される。試料表面で反射したビームは、さらに制限スリット25により絞られ、検出器27に入射する。試料Sは大気中に露出されており、X線Lが照射され、その反射強度の角度依存性を測定することができるように構成されている。試料Sの表面は高純度ガスで覆われるように工夫されており、試料Sの表面に大気中の吸着汚染ガスが付着することを阻止するようになっている。すなわち、ガスボンベ3からガス純化装置33にガス管37により導入されたガスは、純化された後にガス流量制御器35において流量が調節される。次いで、ガス供給器41から高純度ガスGが試料の表面に照射される。 (もっと読む)


【課題】多結晶材料又は複合材料を変形した場合に生じる不均一歪状態で、応力と歪を正確に測定することを目的とする。
【解決手段】反射電子検出器を装着した走査電子顕微鏡内に引張り装置を取り付け、反射電子像を撮影しながら試験片を引張り、反射電子像に現れる結晶粒の形の変化を測定し、結晶粒毎の歪量及び引張り方向に対する断面積を逐次演算する。 (もっと読む)


S/TEMサンプルの調製および分析用の改良された方法および装置である。本発明の好ましい実施形態により、TEMサンプル作成用、特に小さい形状(厚さ100nm未満)のTEMラメラ用の改良された方法が提供される。本発明の好ましい実施形態は、TEMサンプルの作成および分析のプロセスの労力を低減し、TEM分析のスループットおよび再現性を高めるために、TEMサンプル作成を一部または全部自動化する方法を提供することにより半導体ウェハ上に製造される集積回路または他の構造などの対象に対するS/TEMベースの計測用のインライン・プロセスも提供する。 (もっと読む)


【課題】真空チャンバー内にガスを導入し、試料表面でのガス反応を観察する光電子顕微鏡装置において、ガス導入に伴う鏡筒内の真空度の低下を抑制し、高分解能の観測を行えるようにする。
【解決手段】紫外光またはX線を試料(4)表面に照射することにより発生する光電子を鏡筒(7)内に配置した電子レンズ系(8、9)により結像して試料(4)の表面を観察する光電子顕微鏡装置において、鏡筒(7)の光電子の取り込み部(7a)外側に筒状のオープンチャンバー(13)を取り付け、このオープンチャンバー(13)の側面に真空引き用の細孔(14)を設ける。 (もっと読む)


【課題】絶縁物の分析対象となる領域における帯電を補正することにより、正確かつ再現性良く質量分析を行うことが可能な絶縁物の二次イオン質量分析方法を提供する。
【解決手段】本発明の絶縁物の二次イオン質量分析方法は、絶縁物である試料の表面に導電性の連続膜であるPt−Pd合金薄膜を成膜し、このPt−Pd合金薄膜付き試料に一次イオンビーム及び電子ビームを照射し、この試料から発生する二次イオンを引き出し、質量分析する。 (もっと読む)


【課題】 膜に保持された試料の試料交換を迅速に行うことができるとともに、分解能の低下を防ぐことができ、また真空室内の汚染を防止することができる試料検査装置及び試料検査方法並びに試料検査システムを提供する。
【解決手段】 試料検査装置は、第1の面32aに試料20が保持される膜32と、膜32の第2の面に接する雰囲気を減圧する真空室11と、真空室11に接続され、膜32を介して試料20に一次線7を照射する一次線照射手段1と、一次線7の照射により試料20から発生する二次的信号を検出する信号検出手段4と、真空室11内において、32膜と一次線照射手段1との間の空間を仕切るための開閉バルブ14とを備える。 (もっと読む)


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