【課題】蛍光Ｘ線分析法による成分定量において分析精度を向上できる試料の予備成形方法およびそれを用いる成分定量方法を提供することを目的とする。
【解決手段】加圧して本成形した後で蛍光Ｘ線分析法に用いられる試料を予備成形する方法であって、平均粒径Ｄ５０が３０μｍ以下の金属または合金粉末を型に充填して成形し、この成形体５のＸ線が照射される面５ａの全面を押込み率を１０〜４０％にして加圧することを特徴とする試料の予備成形方法である。本発明の予備成形方法は、成形体５のＸ線が照射される面５ａの全面を押込み率を１０〜４０％にして加圧する際に、成形体５のＸ線が照射される面の全面を加圧するパンチ４と、このパンチ４を案内するガイド３とを用いるのが好ましく、金属または合金粉末として、希土類−鉄−ホウ素系合金の酸化物粉末を用いるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／ＴＥＭ分析のためにサンプルを抽出および取り扱うための改善された方法および装置を提供すること。
【解決手段】本発明の好適な実施形態は、ラメラを基板表面を有する基板から抽出するための装置であって、１以上のステージ・コントローラに接続された基板用の可動ステージと、マイクロプローブと、可動ステージ上に設けられて基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダが基板を保持しているときに基板表面に対してある斜角で基板表面に光を当てるための斜照明と、基板を撮像する光学顕微鏡とを備える。 （もっと読む）

【課題】試料表面の付着物質を精度よく検出できる半導体装置の検査方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２の上に反射膜１３と薄膜１４とを順に形成してなる試料１１の表面に、反射膜１３の臨界角θｃよりも浅い入射角θで入射Ｘ線８２ａを照射し、入射Ｘ線８２ａの照射により薄膜１４表面の付着物質８６から放出される蛍光Ｘ線８３を検出することで、試料１１の表面の付着物質８６を検出する。 （もっと読む）

【課題】 外場遮断後も試料状態が変化するため、外場遮断後に試料中のイオンの分布状態が短時間で変化する試料に適用することは困難であった。
【解決手段】 イオン化する物質を有する高分子材料の被測定部に厚みが１０ｎｍ以下の金属膜を形成することで、前記イオンの運動を抑制した状態で、表面分析装置を用いて前記被測定部を測定する。 （もっと読む）

【課題】試料表面及び厚さ方向の構造を精度よく分析できる試料構造の分析方法及び分析装置を提供する。
【解決手段】この分析装置は、試料２００が配置されるステージ１０３と、Ｘ線照射機１０１と、Ｘ線検出器１０２と、針状電極１０５と、針状電極１０５と同期してレーザーを走査するレーザー照射装置１０６と、少なくともステージ１０３、該ステージ１０３に設置される試料２００、及び針状電極１０５が収容される真空チャンバ１２１と、電源装置１０８とを備え、試料２００にＸ線１１１を照射して、該試料にて回折されたＸ線１１２をＸ線検出器１０２で検出する工程と、試料２００に高電圧及びレーザー１１３を印加して、針状電極１０５と試料２００の間に生じた電界強度とレーザーパワーにより、該試料表面を電界蒸発して掘削する工程とを交互に行うように制御されている。 （もっと読む）

【課題】極めて容易に短時間で軟質合金の分析用試料を作製することを可能とする。
【解決手段】成型容器１に入れられた軟質合金２を表面３Ａが鏡面仕上げされた成型部材３の表面３Ａに接した状態で加圧成型することにより、軟質合金２の分析用試料２を作製する。成型部材１は、表面の凹凸が１μｍ以下に鏡面仕上げされている。軟質合金２を加圧成型する際の加圧力が、６０ｋｇ重／ｃｍ２以上である。軟質合金２は、展性を有する金属材料である。 （もっと読む）

【課題】試料棒と低温ガス吹付方向とが鋭角になる場合があるＸ線分析装置において試料に霜が付着する現象を解消する試料冷却装置を提供する。
【解決手段】試料棒２３によって支持された試料Ｓをω軸線を中心として回転させ、試料ＳにＸ線を照射し、試料Ｓから出るＸ線をＸ線検出器１１によって検出するＸ線分析装置１に用いられる試料冷却装置５である。試料Ｓに冷却ガスを吹付けるノズル２６と、試料Ｓを通過したガスを開口３４を通して吸引するガス吸引装置２８とを有する。試料棒２３はω軸線を中心として回転するときに試料Ｓを頂点とする円錐面を形成するように移動し、ノズル２６は試料棒２３とノズル２６のガス吹付方向とが９０度以下の鋭角になることがあるように設けられている。ガス吸引装置２８は、試料棒２３とノズル２６のガス吹付方向Ｄとが鋭角を成すときに、試料棒２３に当ったガスをその流路を曲げるように吸引する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを利用する微細加工により、微細粒子の凝集体からなる膜の断面を、透過電子顕微鏡観察する目的の薄片化試料を作製する際、微細加工端面に露呈する微細粒子の剥落を防止でき、また、薄片化された部位の大気暴露を防止可能な、薄片化試料の作製方法を提供する。
【解決手段】微細粒子の凝集体からなる膜から抽出した試料片に対し、その二つの断面に集束イオンビームを利用する微細加工を施し、薄片化を行う工程中、各断面に微細加工を施した後、微細加工端面を被覆する、均質な材料からなる薄膜をそれぞれ形成する。形成される均質な材料からなる薄膜は、微細加工端面に露呈する微細粒子の剥落を防止し、また、微細加工端面の大気暴露を防止する、被覆膜として利用される。 （もっと読む）

【課題】 非導電性の物体の微細形状を、物体の形態を変化させることなく観察可能とすること
【解決手段】 観察する物体の表面に液晶を被覆した観察試料を電子顕微鏡内に配置し、前記観察試料を加熱することにより前記液晶の膜厚を変更するとともに、前記走査型電子顕微鏡により前記観察試料を観察する。これにより最適な液晶の膜厚における観察が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 蛍光Ｘ 線分析装置において高精度な分析結果を得る方法及び装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板を酸蒸気に暴露する工程と、酸蒸気に暴露された前記半導体基板の表面の不純物を酸溶液で走査回収する工程と、前記走査回収した酸溶液を前記半導体基板上で濃縮乾燥させ濃縮乾燥物に変える工程と、前記濃縮乾燥物を全反射蛍光Ｘ線分析で測定し第一の測定値を得る工程と、前記半導体基板を酸蒸気に暴露する工程の後に、前記半導体基板上で前記濃縮乾燥物の位置とは異なる位置を全反射蛍光Ｘ線分析で測定し第二の測定値を得る工程と、前記第二の測定値を用いて前記第一の測定値の精度の確認を行う工程とにより半導体基板の分析を行う方法。 （もっと読む）

【課題】 観察対象部位が試料内部にある場合でも、集束イオンビーム加工装置を用いた断面加工を行って走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡を用いて精度の高い観察ができる電子顕微鏡用試料の作製方法を提供する。
【解決手段】 透明性を有する試料の内部に存在する観察対象部位とその試料の表面に存在する所定の目標物とが同一画像上に現れるように光学顕微鏡で試料を撮像し、撮像された顕微鏡像に基づいて、観察対象部位の位置情報を算出し、算出された観察対象部位の位置情報に基づいて、集束イオンビーム加工装置を用いて試料から観察対象部位を包含する微小片試料を摘出し、摘出した微小片試料を、集束イオンビームを照射することによって断面加工し、微小片試料の表面に観察対象部位を位置させる。 （もっと読む）

【課題】屋外に配置されている構造物の表面に付着している物質の正確な量がより簡便に分析できるようにする。
【解決手段】ステップＳ１０１で、屋外に配置された測定対象となる構造物の表面に直接Ｘ線を照射する。次に、ステップＳ１０２で、元素の蛍光Ｘ線測定を行い元素の第１蛍光Ｘ線強度を得る。次に、ステップＳ１０３、Ｘ線の吸収量が既知の基材に対象となる元素が既知の含有量で含まれている内標準試料を構造物に重ねた状態で、内標準試料を通して構造物の表面にＸ線を照射する。次に、ステップＳ１０４で、元素の蛍光Ｘ線測定を行い上記元素の第２蛍光Ｘ線強度を得る。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射を受けて遮蔽板が高温度となって遮蔽板の支持部材に熱膨張が発生して遮蔽板が移動しても、良好な断面試料を作製する試料作製装置を提供する。
【解決手段】遮蔽板を試料の一部が露出しその他が遮蔽されるように配置し、遮蔽板と試料６の露出部分に跨るようにイオンビームを試料６に照射することにより、試料６の露出部分をエッチングして試料断面を作製する試料作製装置であって、遮蔽板ステージ９と、前記遮蔽板ステージ９により基端部を支持され、先端側が自由端となされた支持部材と、前記支持部材の先端側に支持された遮蔽板とを備え、前記支持部材は、前記遮蔽板の前記支持部材の基端側に向かう一側縁が前記イオンビームの照射位置となるように該遮蔽板を保持し、この遮蔽板により前記イオンビームが遮蔽される位置に設置された前記試料の該遮蔽板の一側縁から露出した箇所への前記イオンビームによる加工を行わせるようにした。 （もっと読む）

【課題】しきい光電子分光を効率的に行うことができる装置および方法を提供する。
【解決手段】しきい光電子分光装置１は、第１光源１０、第２光源２０、照射光学系３０、真空容器４０、分子線生成部５０、撮像部６０および検出部７０を備える。準備段階において、分子線生成部による分子線生成タイミングに対する第１光源による第１パルス光出力タイミングを各値に設定して、分子線生成部による分子線生成，第１光源による第１パルス光出力および撮像部による蛍光撮像を行う。続く測定段階において、準備段階で撮像部による蛍光撮像により得られた蛍光像に基づいて決定されるタイミングおよび照射位置となるように、分子線生成部による分子線生成タイミングに対する第２光源による第２パルス光出力タイミングを設定するとともに、分子線への第２パルス光の照射位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】良好な分析感度を有し、且つ、分析結果のバラツキが少なく、蛍光Ｘ線分析に用いるのに好適な固体試料が容易に得られる蛍光Ｘ線分析用試料作製器具を提供する。
【解決手段】試料原料収容孔１１が形成された金枠１２と、金枠収容孔１４が形成された金枠収容板１５と、金枠収容板１５を載置するための基台１３と、金枠収容板１５に収容された金枠１２を挟むように金枠収容板１５に対向した位置に配置されて金枠１２を加圧するための加圧盤１６とを有する試料成型治具１０と、金枠１２を含む金枠収容板１５を載置するための土台２１と、土台２１に対向する位置に配置されて土台２１に載置された金枠収容板１５を保持するための保持部材２２と、保持部材２２で土台２１に保持された金枠収容板１５から成型された固体試料を押し出すための試料押出手段２３が形成されたレバー２４とを有するオーバーフロー除去治具２０とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】透過型電子顕微鏡法（ＴＥＭ）研究に適した材料試料（ＴＥＭ「薄片」）、特にＨＲＴＥＭ薄片（ＨＲ＝高分解能）、その製造プロセス、及び当該プロセスを実行する装置。
【解決手段】ＴＥＭ薄片を製造するプロセスは、厚さを有する板状基板を支持体に取り付けるステップ（Ｓ１）と、第１ストリップ状凹部を基板の第１面に、支持体に対して第１角度で、粒子ビームを用いて製造するステップ（Ｓ３）と、第２ストリップ状凹部を基板の第２面に、支持体に対して第２角度で、粒子ビームを用いて製造するステップ（Ｓ５）であって、第１ストリップ状凹部第２ストリップ状凹部が、薄肉の重なり領域を形成するようにする。薄片は、厚肉のリム領域及び薄肉の中央領域を有し、第１ストリップ状凹部を薄片の第１の平坦面に、第２ストリップ状凹部を薄片の第２平坦面に有し、第１凹部及び第２凹部は、相互に鋭角又は直角を形成する。 （もっと読む）

【課題】厚みが大きく、表面の凹凸の大きい薄膜の堆積量を、β線を用いて真空中で測定可能な装置を提供する。
【解決手段】チャンバーと、前記チャンバーを排気するための真空ポンプと、基板上に堆積した薄膜にβ線を照射するβ線源と、照射したβ線の後方散乱を検出する放射線検出器と、前記チャンバー内に配置され、前記検出器の出力信号を増幅する回路と、前記チャンバー内に配置され、前記回路を収容し、前記回路周囲を大気圧に保持する容器と、前記容器内に前記チャンバーの外から冷却ガスを供給する配管とを備える薄膜堆積量計測装置とする。 （もっと読む）

【課題】触媒濃度の極めて低い条件下においてＥＰＭＡ分析を実施するに際し、高強度の電子線の照射に対して亀裂の起点となり得る触媒コート層と包埋樹脂層の間の低強度な界面の存在を許容しながら、ゴースト信号がマッピングされることのない、高精度のＥＰＭＡ分析結果を得ることのできる触媒特定方法を提供する。
【解決手段】マトリックス担体に金属触媒が担持されてなる触媒コート層１０において、該金属触媒の濃度もしくは分布を特定する触媒特定方法であり、触媒コート層１０上にダミー層３０を形成し、該ダミー層３０上に包埋樹脂層２０を形成する第１のステップ、電子線を照射した際の金属触媒に固有のＸ線強度を測定する電子プローブマイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）を使用して、包埋樹脂層２０とダミー層３０と触媒コート層１０に該電子線を照射して、触媒の濃度もしくは分布を特定する第２のステップ、からなる。 （もっと読む）

【課題】
デバイス等の不良原因となる１μmほどの微小絶縁物試料等の分析前処理として、帯電の支障を少なくし、周辺の基材を混合することなく目的物のみをサンプリングすることを目的とする。
【解決手段】
試料の観察、サンプリング領域に電位制御が可能で導電性により形成された端子を接触させる機構を考案した。本機構は前記観察、サンプリング領域の周囲に接触する導電性の端子とこの端子の移動を精密に制御する動作機構と端子に電圧を印加するための電位制御機構と端子をアースおよび電位制御機構に接続する機構とから成り、前記端子を試料の近傍に接触させることにより観察、サンプリングの過程で生じる電荷をアース線を通して逃がすものである。 （もっと読む）

【課題】試料観察面の帯電を簡易な手段で防止でき、生体試料等において、乾燥後も収縮等の変形を抑制でき、さらに収縮痕へのイオン液体の部分的な残留により試料本来の像が妨げられることを抑制できる電子顕微鏡による試料観察用の液状媒体とそれを用いた試料観察方法を提供する。
【解決手段】水への溶解度が550g/100g water以上または10重量%水溶液での浸透圧が0.7 Osmol/kg以上のイオン液体、特に下記式（I）：


（式中、R¹〜R⁴は炭素数1〜5のアルキル基、または−R⁵−Aで示される水溶性官能基（R⁵は炭素数1〜5のアルキレン基、Aは水酸基等を示す。）を示し、その少なくとも１つは水溶性官能基である。X^-は、アルキルスルホン酸イオン等のアニオンを示す。）で表されるイオン液体を必須成分として含有することを特徴とする。 （もっと読む）