Fターム[2G003AB00]の内容
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電圧、電流、電力の増幅率、利得 (5)
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熱抵抗 (13)
素子の温度 (74)
極性判別 (4)
オープン、ショート検出(断線、短絡検出) (103)
品種判別 (22)
Fターム[2G003AB00]に分類される特許
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測定装置
【課題】太陽電池モジュールに複数形成されたセルの出力値を検出する。
【解決手段】本発明に係る擬似太陽光照射測定装置100は、擬似太陽光を受光して発電する、太陽電池モジュール30に複数形成されたセル31に対して相対的に移動可能に設けられ、セル31の出力値を検出する検出ヘッド26を有する測定部20を備える。
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半導体素子の検査方法及び半導体検査装置
【課題】電界効果トランジスタにおける電流コラプスの発生の有無を迅速に判定する。
【解決手段】電界効果トランジスタ101をオン状態にするとともに、電界効果トランジスタ101のドレインに第1電圧を印加した状態において、電界効果トランジスタ101の第1オン抵抗を算出する第1の工程と、電界効果トランジスタ101をオフ状態にし、前記第1電圧よりも大きい第2電圧を、電界効果トランジスタ101のドレインに印加する第2の工程と、電界効果トランジスタ101をオン状態にするとともに、電界効果トランジスタ101のドレインに前記第2電圧を印加した状態において、電界効果トランジスタ101の第2オン抵抗を算出する。
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半導体デバイスのソフトエラー率の検証方法
【課題】半導体デバイスの宇宙線中性子に起因する故障に対する耐性を短期間で確保するための宇宙線中性子ソフトエラーの解析する半導体デバイスのソフトエラー率の検証方法を提供する。
【解決手段】ユニーク番号を設定した各セルに対して、セル毎(ごと)にセル個別パラメータを登録し、乱数に基づき中性子による核破砕反応発生座標の計算を行い、生成する2次イオンの核種・エネルギー・進行方向を計算し、セル内のセル種類毎パラメータに含まれる敏感領域情報と計算した2次イオンの核種・エネルギー・飛行方向から、2次イオンの飛跡計算に基づきセル単位での記憶ノード反転エラー発生とSETパルス発生を計算し、計算したセル単位での記憶ノード反転またはSETパルスが、半導体デバイス上のロジック回路全体でソフトエラーとして顕在化するかの判定を行い、ソフトエラーとして顕在化した場合に、エラー数としてカウントし、ソフトエラー率を計算する。
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集積回路の試験のための装置およびそれを実施する方法
本発明は集積回路(2)を試験する装置(1)に関するものであり、該装置は、試験される集積回路(2)を受ける台(3)を備えている。この台(3)は、集積回路(2)に電力を供給して作動させるための回路(4)と、試験中に集積回路(2)の機能を測定する回路(5)とを有している。本装置は、さらに、集積回路(2)に対して陽子(7)を照射する照射装置(6)を備え、厚さが変化しているマスク(8)が、集積回路(2)上の照射到達領域(9)と集積回路(2)の埋込領域(10)との間に介在していることを特徴とするものである。 (もっと読む)
伝送線路基板及び高周波部品の測定装置
【課題】マイクロストリップ線路を構成する伝送線路基板を用いて高周波部品の特性を測定する際に、伝送線路基板とコプレーナプローブとの接続部分で高周波信号の伝送特性が劣化するのを防止できる伝送線路基板及び測定装置を提供する。
【解決手段】伝送線路基板2において、コプレーナプローブ50を接続するための測定用端子部20には、信号導体線16を挟むように、グランド導体22、及び、グランド導体22とグランド層12とを接続する導電性スルーホール24が設けられるが、信号導体線16の先端部分は、両側の導電性スルーホール24同士を接続する線分との交点位置で切断され、その先端部分にコプレーナプローブ50を接続できるようにされている。この結果、コプレーナプローブ50を接続した際に測定用端子部で生じる伝送特性が劣化するのを防止できる。
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パラメータ抽出方法及び装置
【課題】電力変換回路に用いられる電界効果型トランジスタの等価回路モデルにおけるパラメータを比較的簡単な方法において高精度に抽出することにより、高精度な回路シミュレーションが行える環境を提供する。
【解決手段】電力変換回路に用いられる電界効果型トランジスタの等価回路モデルにおいて、ゲート−ソース間容量Cgs、ゲート−ドレイン間容量Cgd、及びチャネル電流源Ichを、電界効果型トランジスタの誘導性負荷におけるスイッチング波形から抽出する。
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フォトカプラの寿命予測装置、電力変換装置およびフォトカプラの寿命予測方法
【課題】フォトカプラを介してPWM信号の伝送を行いながら、フォトカプラの寿命を予測できるようにする。
【解決手段】ゲート信号発生器5にて生成されたゲートドライブ用PMW信号SU1、SD1をフォトカプラFU1、FU2をそれぞれ介してゲートドライバ9、11にそれぞれ絶縁伝送するとともに、寿命予測装置21、22にそれぞれ入力し、フォトカプラFU1、FU2の出力信号SU2、SD2の立ち下がりの傾きに基づいて、フォトカプラFU1、FU2の電流変換効率を寿命予測装置21、22にてそれぞれ推定し、フォトカプラFU1、FU2が寿命限界に到達する時期を予測する。
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半導体装置の測定方法および検査装置
【課題】検査装置が設置されている室温や装置内部の雰囲気温度ならびに治具温度が変化しても、安定かつ正確に電気特性値を測定することを可能にする。
【解決手段】検査装置11に、半導体装置12を載置する測定部13と、コンピュータ装置14と、測定部13の近傍の雰囲気温度を検出する温度検出手段である温度センサ15とを設置し、コンピュータ装置14には、半導体装置12に電流を供給して駆動する駆動手段16と、駆動された半導体装置12の電気特性を測定する特性測定手段17と、温度センサ15により検出した温度に基づき、予め設定された演算方法で測定した電気特性値を補正演算する演算手段である補正手段18と、補正手段18により補正された電気特性値が判定基準に対して良品か不良品かを判定する判定手段19とを設ける。
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帯電電位測定プローブ及びこのプローブを用いた帯電電位分布測定システムと帯電電位分布測定装置
【課題】電子部品などの測定対象の電位分布をより精細に、より高速で且つ視覚的に得ることにより、帯電の影響を容易に評価できる帯電分布測定システムを提供する。
【解決手段】帯電電位検出部分が直径0.5mm以下のプローブを用い、帯電電位を測定するプローブの検出部及び回路を最適化することにより、より微小領域の帯電電位の測定を可能にし、プローブを二次元に走査することにより、高分解能の帯電電位分布を短時間で測定する。
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撮像素子の欠陥検査方法及び欠陥検査支援プログラム
【課題】複数の撮像素子が作りこまれた半導体ウエハ全体に現われる欠陥の分布や傾向を、煩わしい作業を伴うことなく、簡単且つ直感的に把握可能にする。
【解決手段】半導体ウエハ16に形成された複数の撮像素子14の各々から得られた画像データP,Q,R,Sを、半導体ウエハ16上の位置に対応する仮想上の位置にマッピングして、合成画像データ18を生成し、合成画像データ18に基づく合成画像を表示装置11に表示させる。
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撮像素子検査システムにおける光源の調整方法及び装置
【課題】実態に即したメンテナンスを行うことが可能な撮像素子検査システムにおける光源の調整方法を提供する。
【解決手段】まず、検査対象となる撮像素子12と同一品種の光源調整用撮像素子であって、撮像素子12の検査を行う際の理想的な撮像条件と同じ条件下での撮像により得られる撮像データAが既知の光源調整用撮像素子を準備する。光源13のメンテナンスのタイミングになると、検査工程が一時中断され、光源調整用撮像素子が載置部11へと搬送されて載置され(S1)、撮像素子12を検査する際の撮像条件と同じ条件で、光源調整用撮像素子により撮像が行われる(S2)。光源調整用撮像素子から撮像データBが出力されると、撮像データBと撮像データAが比較され、両者が一致していない場合(S3:NO)は、光量調整用信号が生成されて光源13の光量調整が行われる(S4)。
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微細回路検査用異方導電性フィルム
【課題】40μ以下の微細配線に対応し、繰り返し使用が可能で、低い接続荷重で検査可能な微細回路検査用異方導電性フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁樹脂を含む支持基材を複数の導電性粒子が互いに絶縁された状態で厚み方向に貫通しており、各導電性粒子は支持基材の表面および裏面から突出した突出部分を有する略球状であり、該導電性粒子の平均粒径は5〜40μmかつ最大粒径は5〜50μmであり、導電性粒子間の平均間隔は該導電性粒子の平均粒径の0.5〜5倍である、微細回路検査用異方導電性フィルム。
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固体撮像素子の検査方法
【課題】水平画素混合読み出しによる色変化の度合いを効率よく検査することができる固体撮像素子の検査方法を提供する。
【解決手段】CCDイメージセンサ2は、ラインメモリ12を備え、動画モード時に、水平方向に離れた同色の複数の画素信号を加算して読み出す、水平画素混合読み出しを行う。受光領域15および水平転送CCD13の一部を含むように部分的にスポット光を照射した状態で、動画モードを実行する。このスポット光は、光源から発せられた光を、部分的に開口が設けられた遮光板によって規制することにより生成し、水平転送CCD12の左端を含む領域30、水平転送CCD12の中央部を含む領域31、および水平転送CCD12の右端を含む領域32に照射する。
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光源装置とこれを有する撮像素子検査装置
【課題】CCDの各画素の入射光に対する位相シフト特性検査を可能にする光源装置とこれを有する撮像素子検査装置を提供すること。
【解決手段】光源11と、前記光源からの光を被検物である撮像素子25に照射する光学系と、前記光源から射出される光を変調する光源変調装置22とを有する光源装置50と、前記撮像素子に照射する光の周波数が設定可能な発信回路23と、前記発信回路から出力された信号の位相をシフトする位相シフト回路24と、前記位相シフト回路で位相シフトされた変調信号で前記光源を変調する光源変調装置50と、前記撮像素子が形成されたウエハーに電力を供給する電力供給部40と、前記光源装置から光が照射された際の前記撮像素子からの信号を検出して前記検出信号と前記位相シフトされた信号とを対比するテスタ装置60を有する撮像素子検査装置。
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不良検出方法
【課題】 ウェーハ毎に発生した不良の分布に基づき、半導体集積回路の製造工程に用いた異常製造装置を検出可能な不良検出方法を提供する。
【解決手段】 ウェーハに複数の領域区分を設定する。テストにおける対象ロット内の対象ウェーハのウェーハ内の不良の位置情報を抽出する。対象ウェーハ毎に不良のウェーハ面内での分布の偏りを領域区分に基づいて定量化する第1ウェーハ特徴量を計算する。この第1ウェーハ特徴量から対象ロット毎の第1ロット特徴量を算出する。処理履歴情報から対象ロットの製造工程で使用した製造装置を対象ロット毎に抽出する。第1ロット特徴量毎に、製造工程毎の製造装置間の有意差検定を行う。有意差のある製造装置を第1異常装置として検出する。
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固体撮像素子の検査装置および検査方法
【課題】 色むらを形状や位置によらず正確に検出することが固体撮像素子の検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】 CCDイメージセンサが露光された後、CCDイメージセンサを駆動して画像データを取得し、取得した画像データに対してデジタル化し、補間処理を施す。次いで、この画像データをR,G,Bの色別の画像プレーンに分割し、各画像プレーンのゲイン調整を行い、平滑化してランダム雑音を取り除く。そして、R,G,Bの各画像プレーン間の画素データ比を対応する画素ごとに算出し、各画素データ比を規格値(最大値および最小値)と比較して合否を判定する。CCDイメージセンサは、各画素データ比が規格値の範囲内であれば検査合格とされ、規格値の範囲外であれば、色むら不良として検査不合格とされる。
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半導体装置用検査装置およびこれを用いた半導体装置の検査方法
【課題】斜め方向パターンを持つようなデバイスの欠陥検査に際しても、検査精度の向上をはかり、高感度で、信頼性の高い半導体装置の検査方法を提供する。
【解決手段】 検査ユニット2000に対して支持台1002が相対的に回動可能に形成されており、支持台1002を検査ユニットに対して相対的に所望の値だけ回転し、その位置で固定する回転位置調整手段5000を具備した。
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固体撮像素子の検査方法および検査装置
【課題】 固体撮像素子の検査に要する処理時間を短縮して効率的に検査することができる固体撮像素子の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子の検査装置100は、素子駆動手段23と、光学条件設定手段25と、撮像画像データに対して画像処理を施す演算手段29と、固体撮像素子21の良否判定を行う判定手段とを備える。演算手段29は、検査装置100内部に備わる内部演算部35と、検査装置100に通信手段11を介して接続された外部演算部43A,43Bとを有し、更に内部演算部35の負荷状況が所定の状況範囲を超える場合に、外部演算部43A,43Bに負荷を分散させる制御部31を備える。
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受光デバイス測定装置および方法
【課題】受光デバイスの光学特性(受光特性)の測定を比較的精度よく低コストで実現する。
【解決手段】受光デバイス測定装置は、被検査対象の受光デバイス10に光を出射する第1発光デバイス15と、第1発光デバイスと異なる向きに光を出射する第2発光デバイス19と、第2発光デバイス19からの光を受光し、当該光の受光量に応じた出力を発生させる受光手段22と、測定手段(測定のための回路、ケーブルおよびLSIテスタ等)とを有する。測定手段は、第1発光デバイス15からの光を受光した被検査対象の受光デバイス10の特性を測定し、受光手段22からの出力に基づいて、当該測定結果を校正する、及び/又は、測定時における被検査対象の受光デバイス10への電源供給を制御する。
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トランジスタの特性を測定する回路
【課題】 ウエハ上に形成されるトランジスタの特性ばらつきを測定する回路の面積効率を向上させる。
【解決手段】 m×n個のセル回路2がマトリックスに配置されている。各セル回路2は、それぞれ第1および第2のトランジスタを含んで構成される。制御回路3は、セル回路マトリックスの行ごとに対応するセル回路2を制御する。制御回路4は、セル回路マトリックスの列ごとに対応するセル回路2を制御する。各セル回路2において、第1のトランジスタの特性を測定するときは、第2のトランジスタがスイッチとして使用され、第2のトランジスタの特性を測定するときは、第1のトランジスタがスイッチとして使用される。
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