【課題】トンネル磁気抵抗素子を利用した生体磁気センサーにおいて、トンネル磁気抵抗素子の高感度を達成し、高精度に生体磁気を計測する。
【解決手段】ゼロ磁界での強磁性金属磁化自由層４の容易磁化軸４ａは、強磁性金属磁化固定層６の容易磁化軸６ａに対してねじれの位置にある。好ましくはねじれの角が４５度から１３５度である。また、当該固定層が自由層より上層に積層され、固定層の面積は自由層の面積に対して小さくされる。当該固定層及び自由層がそれぞれ３層とされ、極薄非磁性体金属層を介して第１の強磁性体の磁化の向きと前記第２の強磁性体の磁化の向きとが反平行になる交換結合力を有する反平行結合膜構造体とされる。絶縁層としてはＭｇＯ、極薄非磁性体金属層としてはＲｕが適用される。 （もっと読む）

【課題】電流値を精度良く検知する。
【解決手段】磁気抵抗素子１１を備えた電流センサ１０であって、該磁気抵抗素子１１の、磁気抵抗素子１１自体に流すセンス電流に応じた出力変化（センス電流部１２による出力変化）と、磁気抵抗素子の近傍に配置される電気配線（電気配線ｗｄ２等の影響による出力変化）への電流に応じた出力変化と、の２つの出力変化に基づいて測定対象である負荷Ａへの電流を測定する。 （もっと読む）

【課題】第１の磁性部分と、第２の磁性部分と、第１の磁性部分と第２の磁性部分の間の
バリア層とを有するセンサスタックを含む磁気センサを提供する。
【解決手段】第１の磁性部分及び第２の磁性部分のうち少なくとも一方が、バリア層に隣接する正の磁気ひずみを有する第１の磁性層と、第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層の間の中間層とを有する多層構造を含む。この磁気センサは、その抵抗−面積（ＲＡ）積が約１．０Ω・μｍ^２であるとき、少なくとも約８０％のＭＲ比を有する。 （もっと読む）

【課題】ピン層の磁化方向とフリー層の磁化方向との成す角度に対して検出精度が異なることを簡素な構成で抑制することができると共に、応答速度を向上させることができる磁気センサを提供する。
【解決手段】磁化方向が所定方向に固定されたピン層１１および外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層１３を有し、ピン層１１の磁化方向とフリー層１３の磁化方向との成す角度に応じて抵抗値が変化する第１、第２磁気抵抗素子Ｒ１、Ｒ２を有する検出部１０を備える。そして、第１、第２磁気抵抗素子Ｒ１、Ｒ２をピン層１１の磁化方向が互いに直交する状態で直列接続し、検出部１０から第１、第２磁気抵抗素子Ｒ１、Ｒ２の中点電圧を検出信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】１つの基板に設けた複数の磁気抵抗素子部のピン磁性層を異なる方向に着磁させる。
【解決手段】基板１０を用意し、基板１０の一面１３の上方に複数の磁気抵抗素子部２２を形成する。次に、基板１０において一面１３から他面１４までを貫通する貫通孔１５を形成する。続いて、基板１０の一面１３側と他面１４側とのいずれか一方から他方に貫通孔１５を介して電流が流れる直線状の電流供給ライン４０を形成する。ここで、電流供給ライン４０としてワイヤ４１を用いる。この後、ワイヤ４１に電流を流すことによってワイヤ４１の周囲にワイヤ４１を中心とした同心円状の磁界を発生させると共に、基板１０全体を加熱して磁場中アニールを行う。これにより、複数の磁気抵抗素子部２２を構成するピン磁性層２２ａの磁化の向きがそれぞれ同心円状の磁界の接線方向に向くように着磁を行う。 （もっと読む）

【課題】１つの基板に形成した複数の磁気抵抗素子部のピン磁性層を任意の方向に着磁させたとしても、着磁による熱拡散の影響を低減する。
【解決手段】基板１０の一面１１の上方に各磁気抵抗素子部５０を形成する。次に、基板１０のうち各磁気抵抗素子部５０に対応する部分に溝１３を形成して空間部１４を形成する。この後、磁場の向きが第１の方向に設定された磁場中に、各磁気抵抗素子部５０が形成された基板１０を配置し、一方の磁気抵抗素子部５０を局所的に加熱して磁場中アニールを行い、当該磁気抵抗素子部５０のピン磁性層５１の磁化の向きを第１の方向に着磁する。また、磁場の向きを第１の方向とは異なる第２の方向に設定した磁場中において、他方の磁気抵抗素子部５０を局所的に加熱して磁場中アニールを行い、当該磁気抵抗素子部５０のピン磁性層５１の磁化の向きを第２の方向に着磁する。 （もっと読む）

【課題】小さい磁気ヒステリシス、高い線形性、及び高い検出感度を併せ持つ電流センサを提供すること。
【解決手段】磁化方向が略固定された強磁性固定層及び外部磁界に対して磁化方向が変動するフリー磁性層を含んで構成された複数の磁気検出部（３２）と、前記フリー磁性層にバイアス磁界を印加するハードバイアス層を含んで構成された複数の永久磁石部（３３）と、が交互に接して配置された磁気抵抗効果素子（１２ａ、１２ｂ）を備え、隣接する前記永久磁石部（３３）の間隔が２０μｍ〜１００μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 動作点の変動と抵抗値比のばらつきを抑制することができると共に、温度特性を改善した磁気センサを提供する。
【解決手段】 磁気センサ１は、センサ回路部２を備える。このセンサ回路部２は、第１および第３の磁気抵抗素子Ｒ1，Ｒ3を直列接続した第１の直列回路６と、第２および第４の磁気抵抗素子Ｒ2，Ｒ4を直列接続した第２の直列回路７とを備え、第１の直列回路６と第２の直列回路７とを並列接続したブリッジ回路５によって構成される。第１ないし第４の磁気抵抗素子Ｒ1〜Ｒ4の表面は絶縁膜１２によって覆われる。また、第３の磁気抵抗素子Ｒ3および第４の磁気抵抗素子Ｒ4の表面には、絶縁膜１２を挟んで磁性材料からなる磁束集磁膜１３が形成される。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の出力を低下させずに耐環境性の向上を図ること。
【解決手段】半導体に磁界を加えると抵抗が変化する磁気抵抗体１０を備えている磁気抵抗素子で、磁気抵抗体１０が、基板１１上に設けられた薄膜状の半導体層１２ａからなる感磁部１２と、感磁部１２上に配置された複数の短絡電極１３，１３とを備え、半導体層１２ａの厚みが、０．４μｍ以上０．８μｍ以下である。半導体層１２ａの延在方向に対して垂直方向の半導体層の幅をＷ、複数の短絡電極間の一定間隔の距離をＬとしたときに、距離Ｌと幅Ｗの比であるＬ／Ｗが、０．１８以上０．２２以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、従来技術をさらに改良した装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係るホールセンサの代表的な構成は、第１の接続接点および第２の接続接点および第３の接続接点を備える第１のホール素子と、第４の接続接点および第５の接続接点および第６の接続接点を備える第２のホール素子と、第７の接続接点および第８の接続接点および第９の接続接点を備える第３のホール素子と、第１０の接続接点および第１１の接続接点および第１２の接続接点を備える第４のホール素子とを有しており、第１のホール素子および第２のホール素子および第３のホール素子および第４のホール素子は直列につながれている。 （もっと読む）

【課題】 高い信号出力を有するスピン蓄積型磁気再生ヘッドおよび高密度の磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 第１の電極層の一端上に、第１の絶縁層を介して積層された第１の強磁性体層と、第１の電極層の他端上に、第１の絶縁層よりも大きな接合面積を持つ第２の絶縁層を介して積層された第２の強磁性体層と、第１の強磁性体層に接続されている検出電極と、第２の強磁性体層に接続されている第２の電極層とを備え、第１の電極層の幅l_bが、第１の絶縁層から第２の絶縁層方向に向かうにつれ大きくなり、かつ第１の絶縁層と第２の絶縁層の間で一定の幅を持つ部分l_aを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ素子の消費電力を低減する。
【解決手段】ＭＲ素子１０は、基板１１と、基板１１上に設けられたＭＲ膜１２とを備えている。ＭＲ膜１２は、ジグザグ状に折れ曲がる直線１２ａが更に多重にジグザグ状に折れ曲がる形状１２ｂを有する。直線１２ａは、複数の形状部１２１，１２２，１２３を形成している。それぞれの形状部１２１，１２２，１２３は、互いに平行な複数の長方形１２ｃがジグザグ状に直列に接続された形状を有し、かつジグザグ状に互いに直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】磁性体コアを励磁することにより取得される計測結果に基づいて算定する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも１つのギャップを磁路中に有し、かつ第１、及び第２の透磁率をそれぞれ有する磁性体を具備する磁性体コアの磁化曲線を算定する方法であって、磁性体コアを第１、及び第２の透磁率をそれぞれ有する磁性体コアであると仮定することにより、磁性体コアの磁界の強さ、及び磁束密度を算定する方法であり、磁性体コアに具備される第１の透磁率を有する磁性体の断面の断面積、及び断面形状は、前記磁路に亘り一定であり、磁性体コアに具備される第２の透磁率を有する磁性体の断面の断面積、及び断面形状は、前記磁路に亘り一定であることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】 磁性パターンを有する被検知物を磁気抵抗効果素子から微小距離離間させた非接触状態で、安定して感度良く被検知物の磁性パターンを検出する磁気センサ装置を得る。
【解決手段】 搬送路を搬送される被検知物と、この被検知物の一方の面に磁極が配置され、前記被検知物に交差する交差磁界を生成する磁石と、前記被検知物の他方の面に設けられ、出力端子を有し、前記交差磁界内を搬送される前記被検知物の磁気成分による前記交差磁界の搬送方向成分の変化を抵抗値の変化として出力する磁気抵抗効果素子とを備えた。 （もっと読む）

【課題】出力を向上可能なスピン伝導素子を提供する。
【解決手段】 このスピン伝導素子は、半導体層３と、半導体層３上に第１トンネル障壁層５Ａを介して設けられた第１強磁性層１と、半導体層３上に、第１強磁性層１から離間し、且つ、第２トンネル障壁層５Ｂを介して設けられた第２強磁性層２と、を備え、半導体層３は、第１強磁性層１からその厚み方向に垂直な方向に沿って、第１強磁性層１から離れる方向へ広がる第１領域Ｒ１と、第１強磁性層１からその厚み方向に垂直な方向に沿って、第２強磁性層２に向かう方向に延びており、第１領域Ｒ１の不純物濃度よりも相対的に高い不純物濃度を有する第２領域Ｒ１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 分極率を向上可能なスピン素子、及びこれを用いた磁気センサ及びスピンＦＥＴを提供する。
【解決手段】
このスピン素子は、単結晶のＳｉからなる半導体層３と、半導体層３の表面上に形成された第１トンネル絶縁層Ｔ１と、第１トンネル絶縁層Ｔ１上に形成された第１強磁性金属層１とを備えている。半導体層３と第１トンネル絶縁層Ｔ１との間の界面におけるダングリングボンドの面密度が３×１０^１４／ｃｍ^２以下である。この際の分極率は、著しく向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】従来の磁気検出装置に比べて、配置による製造精度のばらつきを抑制した磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気検出装置１は、基板１０上に放射状に区分けされた領域のうち少なくとも対向する領域に配置され、第１の方向に長手方向を有する第１の磁気抵抗素子群と、放射状に区分けされた領域のうち、少なくとも対向する領域であって、第１の磁気抵抗素子と隣り合う領域に、第１の方向と直交する第２の方向に長手方向を有する第２の磁気抵抗素子群と、第１の磁気抵抗素子群の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子群の磁気抵抗素子を複数組み合わせて、当該組み合わせた複数の磁気抵抗素子を直列に接続したもので抵抗部分を構成し、複数の当該抵抗部分でブリッジ回路を構成する配線部とを有する。 （もっと読む）

【課題】センサ寸法の拡大が抑制され小型化に有利で、高いセンサ特性が安定して得られ、作製工程が複雑化しない、磁気センサを提供する。
【解決手段】抵抗素子を直列に接続した通電経路単位４１，４２，４３，４４のそれぞれに関し、一方端部は電源端子Ｖｃｃに電気的に接続され、他方端部は接地端子ＧＮＤに電気的に接続され、抵抗素子同士の接続部は出力端子Ｖｏ１〜Ｖｏ４に電気的に接続される。通電経路単位のそれぞれを構成する複数の抵抗素子の少なくとも１つは、磁気抵抗効果膜からなる磁気抵抗効果素子であり、電源端子は全ての通電経路単位につき共通化され、接地端子は全ての通電経路単位につき共通化される。全ての通電経路単位は絶縁膜の一方の面に接して形成され、絶縁膜の他方の面に接して配置された導電膜を用いて、電源端子共通化のための電源接続配線及び接地端子共通化のための接地接続配線が形成される。 （もっと読む）

【課題】磁電変換素子の消費電力を抑制する。
【解決手段】外部間欠電源からの間欠電源信号の電源オン時間より短いパルス幅のパルスを発生するパルス発生回路と、磁電変換素子と、パルスに基づいて磁電変換素子への間欠電源信号の電源オン時間内の信号印加時間を制御するスイッチと、を有する。磁電変換素子は、例えば、外部の磁界の有無により信号レベルの大小関係の異なる２つの検知信号を出力するＭＲ素子である。２つの検知信号を増幅するアンプと、増幅された２つの検出信号を比較するコンパレータと、を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて、信頼性の高い自己診断可能な電子回路及び磁界検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 検出回路２１と、検出回路からの検出信号を増幅させるオペアンプ２３と、検出回路と前記オペアンプとの間に接続されたマルチプレクサ２２と、オペアンプからの検出信号を演算処理するマイクロプロセッサ２４と、を有する。そして、高電圧の第１の診断信号と低電圧の第２の診断信号を夫々生成するための診断回路２５を有する。診断回路２５はマルチプレクサ２２に接続され、マルチプレクサ２２により選択された各診断信号３２，３３がオペアンプ２３を介してマイクロプロセッサ２４に入力可能とされている。マイクロプロセッサ２４では、第１の診断信号及び第２の診断信号に基づいて、電子回路が正常に機能しているか否かを診断可能とされている。 （もっと読む）