【課題】 ＴＭＲ素子の設置環境が高温環境下であってもＴＭＲ素子の絶縁破壊を防ぎ、さらにはノイズの影響を受け難く、高いＳ／Ｎ比を得ることができる磁気センサ装置を提供すること。
【解決手段】 トンネル磁気抵抗素子２と、該トンネル磁気抵抗素子２の両端子に一端が接続された一対のリード線３と、一対のリード線３の他端に接続されトンネル磁気抵抗素子２を電圧駆動または電流駆動して抵抗変化を検出する駆動検出回路４とを備え、該駆動検出回路４が、一対のリード線３の他端に接続された一対の出力端子４ａ間に少なくとも一対のダイオード６ａを互いに逆向きにして並列または直列に接続して構成された保護回路６を有している。 （もっと読む）

【課題】 精度が高く、効率のよい調整ができ、且つ部品点数を増やすことなく構成した３軸磁気センサを提供すること。
【解決手段】
外縁が円弧状の鍔部を有したひとつ以上の磁気センサ素子と、前記鍔部の外縁に内接する円弧状の縁部を有する壁部を少なくとも一部に備えたガイド部と、前記磁気センサ素子を固定する、前記ガイド部を有したひとつ以上の固定用ブロックと、前記磁気センサ素子と前記固定用ブロックを固定するひとつ以上の取付け部材を備え、前記鍔部には前記取付部材を挿入することができる円弧状の長穴を備え、前記固定用ブロックには前記長穴と相対する位置に前記取付け部材を挿入する穴部が形成され、前記鍔部の外縁と前記壁部の内縁は当接し、前記壁部の円弧の中心を軸として回動可能に配し、前記磁気センサ素子を所望する回動位置で前記取付け部材を用いて固定可能に構成する。 （もっと読む）

【課題】磁気センサ全体を小型化することができ、しかも、使用中だけでなく製造工程においてもＴＭＲ素子のＥＤＳ耐性が高い薄膜磁気センサを提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えた薄膜磁気センサ。（１）薄膜磁気センサは、ツェナーダイオード型のｐｎ接合を備えたダイオード基板と、その表面に形成されたＴＭＲ素子とを備えている。（２）ダイオード基板は、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層を備えた半導体層と、ｎ型半導体層に接続されるように半導体層の表面に形成された第１基板電極と、ｐ型半導体層に接続されるように半導体層の表面又は裏面に形成された第２基板電極と、半導体層の表面の内、第１基板電極及び第２基板電極を露出させる領域以外の領域に形成された絶縁膜とを備えている。（３）ＴＭＲ素子は、少なくともその一端が第１基板電極と電気的に接続されるように、絶縁膜の上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 回路規模が小さく、消費電流の増加やコストアップを抑えた磁気センサ回路の提供。
【解決手段】 ホール素子と、ホール素子を貫く磁束に応じたホール電圧としきい値電圧とを比較するコンパレータ回路と、コンパレータ回路の出力信号から磁気センサ回路の出力論理を決定する出力論理決定回路と、出力論理決定回路の出力するデータ信号によって、しきい値電圧を決定するしきい値電圧制御回路と、しきい値電圧制御回路の出力するデータ信号によって、コンパレータ回路のしきい値電圧を出力するしきい値電圧出力回路と、を備えた磁気センサ回路。 （もっと読む）

【課題】トンネル磁気抵抗効果素子の良否を判別する効果的な試験方法及び装置を提供する。
【解決手段】トンネル磁気抵抗効果を利用した再生素子の再生素子試験方法において、異なる電流に対する第１及び第２の抵抗値を測定する測定ステップと、同一の設計が施された前記再生素子の良品から求めた前記第１の抵抗値と前記第１と第２の抵抗値の差分と、トンネル磁気抵抗と電圧の理論式から求めた抵抗値差分曲線と、前記測定ステップで測定した第１および第２の抵抗値を比較する比較ステップと、前記再生素子の抵抗変化率の絶対値が前記抵抗値差分曲線よりも低い場合には、前記再生素子を不良品として判定する判定ステップとを備えることを特徴とする再生素子試験方法を提供する。 （もっと読む）