Fターム[2G040BA18]の内容
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配線欠陥検査方法および配線欠陥検査装置
【課題】欠陥予備軍であっても発熱検査によって特定することができる配線欠陥検査方法および装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態に係る配線欠陥検査装置100は、半導体基板の配線経路に電圧を印加して、短絡欠陥に至っていない短絡予備軍を短絡させた後、電圧無印加状態を所定時間維持した後で、該半導体基板に印加して該短絡欠陥を含む配線もしくは配線間を発熱させ温度上昇させた後、該半導体基板を赤外線カメラで撮影する。
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発熱点検出方法及び発熱点検出装置
【課題】集積回路における発熱点の深さをその位置に依存することなく精度よく安定して検出する。
【解決手段】発熱点検出方法は、集積回路Sの表面の平均温度を安定化するステップS01と、集積回路Sに低周波数のバイアス電圧を印加し、それに応じて集積回路Sから検出される発熱検出信号を取得するステップS02,S03と、集積回路Sに高周波数のバイアス電圧を供給し、それに応じて集積回路Sから検出される発熱検出信号を取得するステップS04,S05と、低周波数のバイアス電圧と発熱検出信号との間の位相差、及び高周波数のバイアス電圧と発熱検出信号との間の位相差を検出するステップS06〜S08と、それらの位相差に基づいて、バイアス電圧の周波数の平方根に対する位相差の変化率を算出し、変化率から発熱点の深さ情報を得るステップS09とを備える。
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測定用保持具及び測定装置
【課題】精度の高い検査に対応することができる測定用保持具及び測定装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る測定用保持具は、複数の半導体チップを含むパッケージ、前記パッケージの側面から露出し前記半導体チップの電極と導通する導通部、を有する被測定物を保持する測定用保持具である。測定用保持具は、前記被測定物を配置する位置に貫通孔が設けられた支持基板と、前記支持基板に前記被測定物を固定する固定部と、前記支持基板に対して少なくとも1軸方向に可動に設けられ前記導通部と接触する探針部と、を備える。
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太陽電池アレイ検査装置および太陽電池アレイ検査方法
【課題】 不良の太陽電池パネルについて低下した出力電力の推定値を算出する太陽電池アレイの検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】 複数の太陽電池パネル10を含む太陽電池アレイの検査方法であって、太陽電池アレイに直流電源6を接続して通電し、太陽電池アレイの太陽電池パネル10の画像を取得し、画像を解析して指標を算出し、指標に対する太陽電池パネル10の出力特性を用いて太陽電池パネル10の出力電力の推定値を算出し、算出した推定値に基づいて太陽電池パネル10を交換すべきか否か判断する。
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半導体素子、及びはんだ接合部の劣化診断方法
【課題】 非破壊により、はんだ接合部の劣化を容易に診断する。
【解決手段】 実施形態によれば、基板、基板の一主面上に設けられた配線部、及び配線部上にナノカーボンを含有するはんだ接合部を介して実装された少なくとも1つの半導体チップを含む電子部品を加熱しながら、電子部品の温度分布を測定し、及び温度分布の測定データに基づいてはんだ接合部の劣化を検出することを含むはんだ接合部の劣化診断方法が提供される。
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熱特性推定装置及び方法、並びに、温度推定装置及び方法、並びに、半導体装置
【課題】 半導体装置が装置に実装された状態での熱特性を求めて、ジャンクション温度の推定に適用する。
【解決手段】 本発明は、ジャンクション温度が制限温度を超えると、当該半導体装置の負荷を低下させる熱保護手段を備えた半導体装置の熱特性を推定する熱特性推定装置と、熱特性を利用して半導体装置のジャンクション温度を推定する温度推定装置に関する。そして、本発明の熱特性推定装置は、半導体装置のジャンクション温度が制限温度となる消費電力で半導体装置を動作させた状態で半導体装置の周囲の雰囲気温度を測定する手段と、測定した温度を利用して、半導体装置の熱特性を推定する手段とを有することを特徴とする。
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熱抵抗測定治具、熱抵抗測定方法、及びサーマルグリース評価方法
【課題】実際のデバイスに近い条件で熱伝導率を測定する。
【解決手段】ヒートスプレッダ26は、互いに対向する主面26aと主面26bを有する。ヒートスプレッダ26の主面26aにスペーサ28が設けられている。スペーサ28はヒートスプレッダ26よりも高い熱抵抗率を持つ。スペーサ28上に熱電対30が載置されている。ヒートスプレッダ26の主面26bに熱電対32が設けられている。ヒートスプレッダ26は、パワーモジュール10の熱放散面16と冷却板18との間に挟まれる。パワーモジュール10の熱放散面16とヒートスプレッダ26の主面26aとの間にサーマルグリース20が配置される。熱電対30が熱放散面16に接触する。
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恒温装置
【課題】バーンイン試験を実施するための恒温装置を改良するものであり、消費電力の抑制が可能であり、かつ温度ばらつきも小さい恒温装置の開発を課題とする。
【解決手段】被試験物W自体の発熱量Aと送風機が試験室内の空気に与える攪拌熱Bの合計は、ダンパを閉め切った状態における断熱壁からの放熱量Cよりも大きい。定常運転時には、ダンパーを一定の開度で固定的に開き、換気によって昇温に見合う量の熱量を排出し(等価換気)、比較的小型の制御ヒータ13を使用して試験室内の温度を比例制御する。
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熱解析装置、熱解析方法、熱解析プログラム、および記録媒体
【課題】放電管の周囲の導体の影響、あるいはリーク電流の影響を考慮することによって、解析対象物の温度分布をより正確に計算することができる熱解析装置、熱解析方法、熱解析プログラム、および記録媒体を提供する。
【解決手段】熱解析装置100は、放電管を表わす放電管モデルと導体を表わす導体モデルとを記憶するためのメモリ105と、熱解析装置を制御するためのプロセッサ110とを備える。プロセッサは、放電管モデルを第1の個数のエリアへと分割し、エリアのそれぞれと導体との間の浮遊容量を計算し、浮遊容量に基づいて解析対象物の温度分布を解析する。
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金属接合部の検査方法及び装置
【課題】適正な補正を行うことにより良否判定の検査精度を向上する。
【解決手段】金属接合部の検査方法は、接合部11aを有する被検査部11を同一パワーで連続加熱し、同時にその飽和温度に達するまでの温度変移を測定し、その測定した温度変移を基準となる加熱パワーでの温度変移に補正し、補正後の温度変移と、同様に基準となる加熱パワーでの温度変移に補正した基準となる良品が示す温度変移を、温度変移の相違が接合部の接合面積の相違に強い相関があるとして、比較選別して被検査部11の良否を判定する。その装置は、接合部を加熱する加熱手段12と、その温度変移を測定する温度変移測定手段13と、その温度変移を基準となる加熱パワーでの温度変移に補正する温度変移補正手段14と、補正後の温度変移を比較選別して良否を判定する良否判定手段16とを備える。
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有機物被覆金属粒子の加熱焼結性の評価方法、加熱焼結性金属ペーストの製造方法、および金属製部材接合体の製造方法
【課題】有機物被覆金属粒子の加熱焼結性を簡易・迅速・容易に判定できる評価方法、加熱焼結性に優れる加熱焼結性金属ペーストの効率的な製造方法、および接合性が優れた金属製部材接合体の効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】有機物被覆金属粒子と該有機物自体の各々を空気気流中における熱分析に供して、該金属粒子の表面を被覆している有機物の熱分解ピーク温度と該有機物自体の熱分解ピーク温度を比較することにより、該金属粒子の加熱焼結性を判定する。該有機物の熱分解反応における活性化エネルギーを算出し、その値により、該金属粒子の加熱焼結性を判定する。これらの評価方法により加熱焼結性に優れる有機物被覆金属粒子を選別し揮発性分散媒と混合し、ペーストを製造する。その加熱焼結性金属ペーストを金属製部材間に介在させて加熱焼結し金属製部材接合体を製造する。
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電子回路部品
【課題】初期化や動作確認、検査などの特定の処理が完了したか否かを簡便に判別することができる電子回路部品の提供。
【解決手段】CPUの制御により初期化、動作確認若しくは検査などの特定の処理が実行される第1素子と、前記特定の処理が完了した後にCPUの制御により動作して温度が上昇する第2素子と、を含む電子回路部品において、前記第2素子の上面に、当該第2素子を動作させる前の第1温度と動作させた時の第2温度とでその形態が不可逆的に変化する感熱部材が貼付若しくは塗布され、前記感熱部材の形態により、前記第1素子に対する前記特定の処理が完了したか否かが判別可能となる。
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基板内部検査装置、基板内部検査方法、及び基板の製造方法
【課題】測定試料の汎用的内部検査を図ることができる基板内部検査装置、基板内部検査方法、及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】測定試料101の表面及び裏面に、He−Neレーザ102からの参照光をビームスプリッタ103で分割した光を照射した状態で、測定試料101の表面に、Nd:YAGレーザ105から射出し、SHG結晶106にて波長調整した励起光Bをパルス照射し、ディテクタ1131、1132にてそれぞれ検出された反射光の検出信号のピーク間隔を測定して、測定試料101内部の欠陥等の内部検査を行う。
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封止樹脂の難燃性評価方法および難燃性評価用試験体
【課題】電子機器に用いられる封止樹脂の難燃性の実使用に即した評価方法を提供する。
【解決手段】この封止樹脂の難燃性評価方法は、発熱体を内蔵する封止樹脂成形体である試験体に対して、通電により発熱体を発熱させて溶断させる工程と、発熱体の溶断後通電を継続して封止樹脂を発火させる工程と、発熱体の溶断から封止樹脂の発火までに印加された電圧および/または電流を測定する工程を備える。また、この試験体は、この難燃性評価方法に使用される試験体であり、電熱線と、この電熱線の両端に接続された該電熱線よりも電気抵抗の低い金属から成る通電用端子と、前記電熱線の外周に被覆された封止樹脂層を備えている。
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電気特性測定装置及び電気特性測定方法
【課題】複数の試料を連続的に測定すること、及び、外部から測定装置内に侵入する静電ノイズに起因する測定誤差を低減することが可能な電気特性測定装置及び電気特性測定方法を提供する。
【解決手段】電気特性測定装置1は、複数の試料保持部32を有する試料ホルダー31と、任意の一つの被測定試料45aを挟持するための一対の電極33と、試料ホルダー31及び一対の電極33の少なくとも一方を移動させることにより、一対の電極33が複数の被測定試料のうちの一つと対向する状態から、一対の電極33が他の被測定試料と対向する状態に変化させるための被測定試料選択部37と、任意の一つの被測定試料45aを覆う第1内部静電遮蔽部39と、第1内部静電遮蔽部39を覆う外部静電遮蔽部7とを備える。
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ショート位置検出装置
【課題】一対の平板電極のショート箇所を非接触で検出し得るショート位置検出装置を提供する。
【解決手段】対向して配設された一対の平板電極2a,2b間におけるショート箇所A1,A2の位置を検出するショート位置検出装置1であって、一対の平板電極2a,2bのうちの一方の平板電極2aに非接触で熱を供給する熱供給部3と、一対の平板電極2a,2bのうちの他方の平板電極2bの表面温度分布を非接触で測定すると共に、表面温度分布を画像として表示させるための画像信号S1を生成する非接触式温度検出部4と、入力した画像信号S1に基づいて、非接触式温度検出部4で測定されている他方の平板電極2bの表面温度分布を示す画像をリアルタイムに画面5a上に表示する表示部5を備えている。
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プラズモン共鳴検出器
【課題】プラズモン共鳴吸収を有する金属構造体を用いた光学デバイス等の温度変化を検出することができるプラズモン共鳴検出器を提供する。
【解決手段】
導電性基板12、n型半導体層13、i型半導体層14、p型半導体層15、n電極(負電極)11、p電極(正電極)17、絶縁膜16等で構成されたダイオードを温度変化に伴って抵抗値が変化する半導体として用い、このダイオード上に複数の金属ナノ粒子が連結されたナノチェイン2を配置する。光が照射されると、ナノチェイン2が発熱し、ナノチェイン2で発生した熱はダイオードに伝わるが、ダイオードは温度変化によって抵抗値が変化するので、この変化を読み取り、ナノチェイン2の温度又は発熱量を測定し、プラズモン共鳴の有無や強弱を検出する。
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熱試験装置
【課題】 高温環境と低温環境を速やかに切換えることに加え、装置全体の小型化、更には電力消費の低減を図る。
【解決手段】 熱交換器3の上面にペルチェ素子を用いた少なくとも一つ以上のサーモモジュール4…を配し、かつこのサーモモジュール4…の上面に伝熱プレート5を配するとともに、この伝熱プレート5に対して開閉するカバー部6を設け、このカバー部6を閉じた際に伝熱プレート5を底面部2dとする試験槽2を構成する試験槽機構Maと、熱交換器3を冷却する冷却気体Acを得る冷却器7を用いた冷却機構Mbと、サーモモジュール4…及び冷却器7の作動を制御するコントローラ8とを備える。
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半導体装置の検査方法、及び半導体装置の検査装置
【課題】半導体装置の電極を形成していない非電極面に電圧を印加する場合であっても、非電極面へ照射される赤外線、又は非電極面から放射される赤外線を用いて、半導体装置の欠陥部位を容易に判別できる半導体装置の検査方法、及び半導体装置の検査装置を提供すること。
【解決手段】赤外線を用いて半導体装置10の欠陥部位を判別する半導体装置の検査方法において、半導体装置10の電極を形成していない非電極面10aに透明電極21bを当接する工程と、透明電極21bを介して半導体装置10の非電極面10aに電圧を印加すると共に、透明電極21bを介して半導体装置10の非電極面10aに赤外線のスポット光31を照射する工程と、赤外線のスポット光31で半導体装置10の非電極面10aを走査して、半導体装置10の電流変化ΔIを測定し、半導体装置10の欠陥部位を判別する工程と、を有する。
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多層型電子部品モジュールの接合部検査方法
【課題】多層型パワーモジュールなどの多層型電子部品モジュールについて、各接合部の熱伝導性の良否を適切に判断することができる多層型電子部品モジュールの接合部検査方法を提供する。
【解決手段】本発明の接合部検査方法は、第2部材の第1タイミング温度T21から初期温度T20を差し引いた温度差ΔT2に基づいて、第1接合部の熱伝導性の良否を判定する第1判定段階(ステップS9〜SB)と、電子部品の第2タイミング温度TD2から初期温度TD0を差し引いた温度差ΔTDと温度差ΔT2との差分値ΔTE、または、第2タイミング電気特性値VD2に対応する電子部品の温度から初期電気特性値VD0に対応する電子部品の温度を差し引いた温度差ΔTVと温度差ΔT2との差分値ΔTFに基づいて、第2接合部の熱伝導性の良否を判定する第2判定段階(ステップSC〜SE)とを備える。
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