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Fターム[2G040BB03]の内容

Fターム[2G040BB03]に分類される特許

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【課題】比較的低濃度のイオン注入領域を検出可能なイオン注入パターン検出方法を提供する。
【解決手段】イオン注入領域14を有する基板13を移動させながら、イオン注入領域14を含む検査領域に対して、ほぼ垂直方向に励起用レーザ光18を、斜め方向に検出用レーザ入射光22を照射し、照射位置に照射される検出用レーザ入射光22のサーマルウェーブ信号(検出用レーザ反射光23)を測定し、照射位置とサーマルウェーブ信号とを記録する工程と、記録された一連の検査領域内の照射位置及びサーマルウェーブ信号に基づき、検査領域内でのサーマルウェーブ信号のピーク位置を算出する工程とを備えている。 (もっと読む)


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