本発明の実施形態は、多孔質シリコン上でイオン化脱離を実施するための基板、このようなイオン化脱離を実施するための方法およびこれらの基板の製造方法を対象とする。シリコン上でイオン化脱離を実施するための基板を対象とする一実施形態は、式（Ｉ）；または式（ＩＩ）の式を有する表面を有する基板を含む。上の式で、ＸはＨもしくはＹであり、Ｘの少なくとも２５モルパーセントはＹであり、Ｙは、ヒドロキシルまたは−Ｏ−Ｒ_１またはＯ−ＳｉＲ_１，Ｒ_２，Ｒ_３であり、Ｒ_１、Ｒ_２およびＲ_３は、Ｃ_１からＣ_２５の線状、環状または分岐状のアルキル、アリールまたはアルコキシ基、ヒドロキシル基またはシロキサン基からなる群から選択され、Ｒ_１、Ｒ_２およびＲ_３の基は、置換されていないか、または１つまたはそれ以上の基（例えば、ハロゲン、シアノ、アミノ、ジオール、ニトロ、エーテル、カルボニル、エポキシド、スルホニル、陽イオン交換体、陰イオン交換体、カルバメート、アミド、尿素、ペプチド、タンパク質、炭水化物、および核酸官能基）で置換されている。

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メタロプロテアーゼについてのアッセイは、(i)試験化合物を基質と混合する工程であって、ここで該プロテアーゼが該基質と反応して生成物を形成する、工程；および(ii)該メタロプロテアーゼの存在を該生成物の質量を測定することにより検出する工程を含む。
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