【課題】鉛フリーはんだに含まれる各種元素を分析する方法を提供する。
【解決手段】本発明のはんだの組成分析方法は、（ａ）硫酸、硝酸およびフッ化水素酸を含有する混酸にはんだを溶解する工程（はんだ溶解工程）と、（ｂ）上記（ａ）工程で形成された溶解液を定量分析することにより上記はんだの組成成分を分析する工程（分析工程）と、を有する。上記混酸として、硫酸が、３．６ｍｏｌ／Ｌ以上１３．４ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度で、硝酸が、１．３ｍｏｌ／Ｌ以上３．４ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度で、フッ化水素酸が、０．５３ｍｏｌ／Ｌ以上の濃度であり、且つ硫酸と硝酸のモル比が２．６：１以上７．９：１以下である混酸を用いることができる。かかる方法によれば、鉛フリーはんだ中にＧｅを含有していても、当該Ｇｅの含有量を分析することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、具体的に高純度化が達成された、即ち、ハロゲンや金属不純物の含有量が低減された高純度ジルコニウムアルコキシド原料を効率的に製造する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、下記分析法で測定されるハロゲンの含有量が１質量ｐｐｍ未満、鉄、クロム及び銅それぞれの含有量が０．１質量ｐｐｍ未満であり、ニッケルの含有量が０．４質量ｐｐｍ未満である、高純度ジルコニウムアルコキシド原料によって解決される。
ハロゲンの分析法；
高純度ジルコニウムアルコキシド原料を、そのまま又は有機溶媒に溶解した後、これに塩基性水溶液を添加して、沈殿物を除去した溶液の水溶液部分をイオンクロマトグラフィーにより高純度ジルコニウムアルコキシド原料中のハロゲン含有量を分析する。
金属含量の分析法；
高純度ジルコニウムアルコキシド原料を、そのまま又は有機溶媒に溶解した後、これに酸性水溶液を添加して、この酸性水溶液の水溶液部分を誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ−ＭＳ）、誘導結合プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ−ＡＥＳ）又はそれらを組み合わせて高純度ジルコニウムアルコキシド原料中の鉄、クロム、銅及びニッケル含有量を分析する。 （もっと読む）

【課題】穀物の産地を理化学分析により判別する。
【解決手段】穀物に含まれるストロンチウム及び鉛のそれぞれの同位体比を分析し、それらの分析情報を利用して穀物の産地を判別する。工程としては（ｉ）穀物を酸分解して無機成分を主に含む溶液を調製する工程、（ii）工程（ｉ）で調製した溶液からストロンチウムと鉛とを分離、濃縮して、ストロンチウムを含む溶液及び鉛を含む溶液を調製する工程、（iii）工程（ii）で調製したストロンチウムを含む溶液及び鉛を含む溶液を質量分析装置により分析して、ストロンチウム同位体比及び鉛同位体比を決定する工程、及び（iv）工程（iii）で決定された試料のストロンチウム同位体比及び鉛同位体比と、判別したい産地由来の穀物のストロンチウム同位体比及び鉛同位体比とを比較する工程、を含む。 （もっと読む）

【課題】亜鉛系めっき鋼材にて、焼き入れ後の成形品の耐食性を冷間成型品と同等以上とした、耐食性と耐疲労性に優れた高強度焼き入れ成形体を提供する。
【解決手段】亜鉛めっき系鋼材をホットスタンプのため加熱し、成形して焼き入れした高強度焼き入れ成形体であって、焼き入れ後の成形体鋼材表面に、Ｚｎを主成分としてＦｅが下記測定方法で９質量％以上、３０質量％以下の亜鉛めっき層が、３０ｇ／ｍ^２以上形成されていることを特徴とする。なお亜鉛めっき層中のＦｅ濃度測定方法は、ＮＨ_４Ｃｌ：１５０ｇ／ｌの水溶液中で４ｍＡ／ｃｍ^２で飽和カロメル電極を参照電極として定電流電解により−８００ｍＶｖｓ．ＳＣＥ以下に大きく変化する点でのГ層までを電解し電解液をＩＣＰによりＦｅ、Ｚｎの量、組成比を測定する方法である。 （もっと読む）

【課題】 金属元素の深さ方向分析方法及び二次イオン質量分析装置に関し、分析に用いる一次イオンとしての酸素イオンビーム照射に誘起される金属元素の拡散現象を抑制する。
【解決手段】 一次イオンに酸素を用いて単結晶シリコンを母材とする試料中のＧａ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｕ或いはＡｇの少なくとも一つの金属元素の深さ方向分析を二次イオン質量分析法によって行う際に、前記試料が前記一次イオンとしての酸素により酸化される領域より少なくとも深い領域を、予め試料の酸化に伴う前記金属元素の拡散を抑制する拡散抑制領域に改質しておく。 （もっと読む）

【課題】大気イオン化法を適用可能な物質の範囲を金属や他の無機種を含むまでに拡大する。無傷の有機または有機金属分子も分析できるものと同じ機器を用いて、表面試料を直接サンプリングする、あるいは、拭き取って別の場所で分析するための物質を収集する。
【解決手段】無機元素が揮発し表面から直接脱離されるように表面をキレート試薬で処理する工程と、前記表面の上のボリュームまたは前記表面を拭き取る綿棒を大気圧で準安定原子および分子の流れに曝して、揮発性化合物をイオン化する工程と、前記イオン化した揮発性化合物を質量分析計等に移す工程とを含むことを特徴とする質量分析による無機分析方法。 （もっと読む）

【課題】石英ガラス板状体の表層に含有される金属をエッチング液で溶解して定量分析する際、エッチング液が漏出しないようにする。
【解決手段】板状体分析用治具１の下側シート材２１に分析すべき板状体試料４０を載せ、その板状体試料４０の表面にリング１０を載せ、更に上側シート材２０をリング１０の上に載せる。固定手段３のボルト３０を穴２６に通し、ナット３１によって上下のシート材２０、２１を締め付けて上下シート材２０をリング１０に密着させる。開口２５からエッチング液をリング１０と上側シート材２０で画定された貯留空間に注入し、板状体試料４０の表層部分を溶解させ、溶解液を採取し、採取した溶解液中の金属またはイオンを分析定量する。 （もっと読む）

組成物は、不純物を含むとともに、周囲温度未満の沸点と１４．５℃の水より大きい蒸気圧とのうちの少なくとも一方を有する。組成物の分析方法は、組成物を、液体状態で容器内に供給するステップを含む。組成物は、液体状態で容器内で組成物の沸点未満の温度で冷却されることにより、組成物は液体状態に維持される。容器内の冷却された組成物は、蒸発組成物と霧状組成物とのうちの少なくとも一方を製造するために変換され、変換された組成物は分析装置に導入される。組成物の不純物の含有量の測定値は、分析装置から得られる。組成物の処理方法は、組成物の分析方法と同一のステップを含むが、さらに組成物の少なくとも一部が供給タンク内に残留することを必要とする。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーはんだに含まれる全合金構成元素と不純物元素とを同時に分析する方法を提供する。
【解決手段】試料を秤量する工程、酸を混合する工程、および試料に混酸を加えて溶解する工程から構成される溶液化工程Ｓ１と、溶液化工程で調製した試料溶液を測定し、試料中の元素を定量分析する工程である測定工程Ｓ２とからなり、試料を溶かす酸として硫酸および硝酸を混合した混酸を用いる。混酸は硫酸濃度が３．６ｍｏｌ／Ｌ以上１３．４ｍｏｌ／Ｌ以下、硝酸濃度が１．３ｍｏｌ／Ｌ以上３．４ｍｏｌ／Ｌ以下、且つ硫酸と硝酸のモル比が２．６：１以上７．９：１以下となるように水で希釈して調製する。これにより、鉛フリーはんだを、残渣を生じさせずに完全に溶解することができ、鉛フリーはんだに含まれる全合金構成元素と不純物元素とを同時に高精度に分析できる。 （もっと読む）

【課題】シリコン溶液の量や分析の対象の形状にかかわらず適用でき、短時間で容易に分析でき、しかも高精度で信頼性の高いシリコンウェーハ中の汚染物の分析方法を提供する。
【解決手段】溶解されたシリコンウェーハを含むシリコン溶液７を製造用シリコンウェーハ８上に載置する載置工程と、前記製造用シリコンウェーハ８上で前記シリコン溶液７を加熱することにより、前記シリコン溶液７中のシリコン成分を除去する除去工程とを備えるシリコンウェーハ６中の汚染物の分析方法とする。 （もっと読む）

【課題】溶液中の金属を高感度に分析する手段の提供。
【解決手段】溶液中の金属濃度を分析する方法。分析対象の金属と錯体を形成し得るキレート剤を含む溶液（分析対象の金属が含まれている場合、前記キレート剤の少なくとも一部は前記金属と錯体を形成する）を、前記錯体を捕獲し得る充填剤を含むカラムに通液する工程、前記カラムに金属分離用溶液を通液する工程、および、前記カラムを通過した金属分離用溶液中の分析対象の金属濃度を測定する工程を含む。または、分析対象の金属と錯体を形成し得るキレート剤および前記錯体を捕獲し得る充填剤を含むカラムに溶液を通液する工程、前記カラムに金属分離用溶液を通液する工程、および、前記カラムを通過した金属分離用溶液中の分析対象の金属濃度を測定する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】事前の分離操作を行うことなく、微量の貴金属を高周波プラズマ質量分析装置で高精度に分析するための方法を提供する。
【解決手段】（１）固体試料又はＮａを５００〜５０００質量ｐｐｍ含有する液体試料を準備する工程と、（２）固体試料の場合はナトリウム化合物を用いたアルカリ融解法によって試料を前処理し、Ｎａを５００〜５０００質量ｐｐｍ含有する試料溶液を調製する工程と、（３）液体試料又は試料溶液を、スキマーコーンを有するインターフェース部及び三段のイオンレンズを有するイオンレンズ部を備えた高周波プラズマ質量分析装置にて分析する工程とを含み、工程（３）において、インターフェース部に最も近い一段目のイオンレンズへの印加電圧を０Ｖとすること及び二段目並びに三段目の印加電圧をかけることにより感度を調整することを特徴とする試料中に含まれる貴金属の分析方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、知識と経験の少ない作業者であっても、ＦＩＭ試料の結晶方位及び粒界角度を容易に決定する装置を提供すると共に、結晶粒サイズが小さくて従来方位決定が困難であった試料でも結晶方位を決定する装置を提供する。
【解決手段】測定試料中の結晶粒に対する電界イオン顕微鏡（ＦＩＭ）像の画像データ取込手段と、取り込んだＦＩＭ像中の特定結晶方位極点に対して対象結晶粒の理論結晶方位極点を一致するように回転操作する手段と、前記回転操作の結果から特定結晶方位極点の結晶方位極点（ｌ，ｍ，ｎ）を決定する手段と、ＦＩＭ像と決定した結晶方位極点（ｌ，ｍ，ｎ）を重ねて表示する手段とを少なくとも有することを特徴とする結晶方位決定装置である。 （もっと読む）

【課題】 融体固化による再結晶法で高純度ガリウムを操作性よく且つ高い収率で得る。そして，不純物のドープコントロールを行わなくても，意図する半導体を製造することができるような化合物半導体作成用のＧａ原料を得る。
【解決手段】 容器に収容した液体状態のガリウム原料を攪拌しながら該容器の内壁面から容器中央の方向に筒状の凝固界面が漸次縮径するように凝固を進行させ，容器内原料の全部が凝固する前に容器中央部に存在する液相を別の容器に液状態で吸引移動して別のガリウム精製工程に給送する一方，容器内の凝固相を当該容器内で融解し，その融解相を攪拌しながら該容器の内壁面から容器中央の方向に筒状の凝固界面が漸次縮径するように凝固を進行させ，容器内原料の全部が凝固する前に容器中央部に存在する液相を別の容器に液状態で吸引移動することを繰り返すガリウムの精製方法。 （もっと読む）

【課題】導体ウェハ収納容器内の付着物を十分に回収することができ、かつ気泡の影響を受けずに高精度に半導体ウェハ収納パーティクルの測定を行うことのできる半導体ウェハ収納容器の清浄度評価方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハ収納容器の清浄度評価方法は、半導体ウェハ収納容器内に液体を注入して前記半導体ウェハ収納容器を撹拌し、容器内付着物を液体中に回収する手順Ｓ３と、付着物が回収された回収液体中に最終洗浄を行った半導体ウェハを浸漬する手順Ｓ４と、浸漬された半導体ウェハの表面を上向きにして一定時間静置し、前記回収液体中の付着物を前記半導体ウェハ表面に転写させる手順Ｓ５と、前記付着物が転写された半導体ウェハを乾燥させる手順Ｓ６と、乾燥した半導体ウェハ表面の前記付着物を、ウェハ用パーティクル測定装置にて測定する手順Ｓ７とを実施する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣＰ質量分析装置又はＩＣＰ発光分光分析装置等の元素分析装置にて高感度に元素分析を行うことができる試料の導入を行う試料導入装置を提供する。
【解決手段】サイクロンチャンバー１内に霧状の試料をネブライザ２が噴霧し、サイクロンチャンバー１の送出口１１から元素分析装置のプラズマトーチなどへ試料を導入する構成の試料導入装置に、ネブライザ２の噴霧口へ赤外線を照射して試料を加熱する赤外線照射器５を設ける。また、ネブライザ２へキャリアガスを供給する給気管４１を加熱部４２により加熱すると共に、サイクロンチャンバー１の送出口１１に連通する送出管１２及び導入管４６を冷却部４６が冷却する。これらにより、ネブライザ２が噴霧した試料の粒子サイズを小さくし、粒子サイズの小さい試料のみをプラズマトーチなどへ導入することができる。 （もっと読む）

【課題】
シリコンウェーハ表面上の珪素を効率よく脱離することができるシリコンウェーハ表面の珪素脱離方法、この珪素脱離方法を適用することにより採取した液体サンプル中のシリコン含有量を低く抑えることができるようにしたシリコンウェーハ表層下領域の液体サンプル採取方法、及びこの採取方法により採取した液体サンプルを用いて分析することにより分析感度を向上させ高感度で安定した分析が行えるようにしたシリコンウェーハ表層下領域の金属不純物分析方法を提供する。
【解決手段】
ＨＦ溶液、ＨＮＯ₃溶液及びＨ₂ＯのそれぞれをＮ₂ガスでバブリングする工程と、シリコンウェーハを収納したチャンバー内に前記それぞれの溶液の揮発蒸気を含んだＮ₂ガスを導入し当該シリコンウェーハをエッチングする工程と、前記エッチングされたシリコンウェーハをＮ₂ガスでブローすることにより前記シリコンウェーハ表面上の珪素を蒸発する工程と、を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】 従来の飛行時間型二次イオン質量分析を利用した表面構造の解析方法では、試料が固体表面の有機化合物や分子結合性化合物の単層膜の場合に、試料表面から削っていくことが困難なために、厚さ方向の組成プロファイルを求めることが困難である。
【解決手段】 試料表面にサイズの異なる少なくとも２種類のイオンをそれぞれ照射する手段、前記試料表面から放出されるイオンの質量スペクトルを飛行時間型二次イオン質量分析器により計測する計測器、および計測された質量スペクトルから異なる種類のイオン照射で計測された２つの質量スペクトルの差を出力する情報処理装置を有することを特徴とする表面解析装置。 （もっと読む）

【課題】試料の表面荒れを防止しつつ、試料中の測定対象領域における元素を正確に測定することができる、二次イオン質量分析装置を用いる元素測定技術を提供する。
【解決手段】二次イオン質量分析装置を用いる、試料の深さ方向における元素の測定方法において、試料に対し、一次イオンとして、反応性ガスから得られるイオンを使用し、更に不活性ガスイオンを、当該一次イオンとは独立に照射する。 （もっと読む）

【課題】 導出されるキャリアガス中の微粉体物又はガス化物の元素組成比を時間の経過に対して安定化させることができる試料室、レーザアブレーション装置及びレーザアブレーション方法を提供する。
【解決手段】 試料室４０は、レーザアブレーションの対象となる試料Ｓが配置されると共に、試料Ｓに対するレーザアブレーションによって生じる微粉体物又はガス化物を搬送するためのキャリアガスＧが流通する内部空間４２を有している。内部空間４２を画定する側壁面４３には、試料Ｓが配置される位置に対して一方の側Ａに位置する複数のキャリアガス導入口４４、及び試料Ｓが配置される位置に対して他方の側Ｂに位置するキャリアガス導出口４５が形成されている。 （もっと読む）