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Fターム[2G046AA01]の内容

流体の吸着、反応による材料の調査、分析 (10,319) | 検出対象 (1,474) | 気体 (1,445)

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【課題】比較対照品の保存が困難である場合でも、においセンサの経時変化の影響を相殺して目的においの質の変化を正確に評価する。
【解決手段】複数種の原ガスを適宜量で混合して合成においを調製するにおい合成部6を備え、目的においの初期状態をにおいセンサ4で測定して測定結果を得たならば、におい合成制御部63はその測定結果に基づいて原ガスの混合比などの合成情報を求め、調製部62を制御して原ガスにより目的においに類似した合成においを調製する。その合成においをにいセンサ4で測定して目的においの測定結果と比較し、必要に応じて合成情報を修正する。十分に差がなくなったならば合成情報を記憶部64に記憶し、次に時間が経過して質が変化した目的においを測定する際に、同時に合成情報に基づいて再現された合成においも測定して、両者の差によりにおい質の変化を評価する。 (もっと読む)


【課題】携帯に便利な小型のものとして構成することができ、使用上の利便性の高いポータブル型ガス警報器を提供すること。
【解決手段】本発明のポータブル型ガス警報器は、手で握って保持することのできる箱型形状のケーシングを備え、このケーシングの内部における上半部にガス検知動作に係る機能部材が配置されていると共に下半部に電池室およびセンサ装着部が左右に並設されたガス警報器本体を備えてなり、ガス警報器本体におけるセンサ装着部は、ガスセンサおよびリモートケーブルの一方が他方と交換可能とされて着脱自在に装着されるよう構成されており、リモートケーブルは、一端にガスセンサが着脱自在に装着されるセンサ装着部を有すると共に他端にガス警報器本体のセンサ装着部に装着される被装着部を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】測定対象のガスのニオイを人の感覚で表現可能なニオイ測定装置を提供する。
【解決手段】ニオイ測定装置は、ROMに、快、不快の程度を表す座標系及び興奮、沈静の程度を表す座標系で定義されたニオイ感応マップに、半導体ガスセンサの出力電圧から算出された27個の特徴値による自己組織化マップを分割して非線形投影したニオイ感応投影マップが格納されている。半導体ガスセンサの出力から特徴値を算出してニオイ感応投影マップに入力し、ニオイ感応マップの2次元座標上の原点からの位置ベクトルを算出する。位置ベクトルの2次元座標上の方向及び大きさが、ニオイガスを人が嗅いだときのニオイ及びその程度に対応する。 (もっと読む)


【課題】飲食品の環境変化や時間経過に伴う品質の劣化や変性などによるにおいの質の微妙な変化を把握して分かり易く表示する。
【解決手段】目的においににおい質の相違するn種の添加においを混合したものを基準においとし、基準におい調製部2で添加においの濃度が複数段階に相違する基準においを調製する。この基準においをセンサセル4に導入し、m個のにおいセンサ5で検出信号を得て、その検出出力により形成されるm次元空間内に各基準においに対応するn本の評価基準軸を作成する。それから、目的においの質が変化した可能性がある評価対象においを同様にm個のにおいセンサ5で測定し、その測定点をm次元空間に位置付け、測定点とn本の評価基準軸との近さ度合いを求めて、それに基づきにおい質の変化を表す情報を作成する。 (もっと読む)


【課題】 簡易な構成または簡易な手順で、匂いを弁別し、また匂い評価値を導きだすことのできる方法とプログラムと装置とを提供しようとする。
【解決手段】
従来の匂い弁別方法にかわって、匂いの強さに応じた出力値を出力するN個の匂いセンサを準備し、M個の匂いグループに夫々に属するM個の測定サンプルの各々毎にN個のサンプル出力値を基礎として演算手続きにより得られるM組のサンプルデータ列をM個の前記匂いグループに各々関連づけて予め記憶し、測定対象の匂いを測定したN個の前記匂いセンサの出力値を基礎として前記演算手続きにより得られる測定データ列を生成し、M組の前記サンプルデータ列の中から前記測定データ列と良い相関を持った1組の前記サンプルデータ列を選定た前記サンプルデータ列に関連づけられた前記匂いグループを特定するものとした。 (もっと読む)


【課題】 大きなセンサ感度及び優れた応答性を同時に有した水素ガスセンサの提供する。
【解決手段】 水素ガスセンサ100は、基板10の表面上に両リード11、12が形成され、両リード11、12に電気的に接続するように両櫛歯状電極20、30が基板10の表面上に形成され、両櫛歯状電極20、30を被覆するように感応層40が形成されている。この感応層40は、固体超強酸であるWO/ZrOを主成分とし貴金属である白金を含有してなる感応層材料から構成されてなる。 (もっと読む)


【課題】食品の調理時に発生する調理臭の強度を高精度に測定する。
【解決手段】m個(mは2以上の整数)の酸化物半導体型においセンサを使用して、調理時に発生する可燃性ガスおよびn個(nは2以上の整数)の標準においガスをそれぞれ測定し、前記可燃性ガスの測定結果に基づいて前記標準ガスの測定結果を補正する。補正した前記標準ガスの測定結果に基づいて、前記m個のにおいセンサの測定結果で形成されるm次元におい空間において、n個の補正標準においベクトル構成し、調理臭の測定結果により表されるにおいベクトルと前記補正標準においベクトルとの関係を演算手段にて演算することによって調理臭の強度を算出する。 (もっと読む)


【課題】周囲温度の変化によって生じた抵抗の変化を補償し、それによって目標検体を検知するセンサシステムの能力の精度を高めるケミレジスタセンサシステム。
【解決手段】センサシステムは、概ね、第1の抵抗器、第2の抵抗器、および周囲温度の変化を感知する負荷調整器またはスイッチを含んでいる。第1の抵抗器および前記第2の抵抗器の少なくとも一方は、検体の1つ以上の存在に応答して変化する抵抗をもつ検出素子である。スイッチは、第1の抵抗器および前記第2の抵抗器を横切る電気負荷を管理する。周囲温度が第1の値であるときは、スイッチは、第1の抵抗器または第2の抵抗器、あるいはこの両者を横切る電気負荷の通過を妨げる。周囲温度が第2の値であるときは、スイッチは、第1の抵抗器または第2の抵抗器、あるいはこの両者を横切る電気負荷の通過を許可する。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成にて電気絶縁層と感知層との応力変化による影響を回避し、マイクロクラックの発生を抑止するようにした薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】電気絶縁層14と感知層15bとの間に部分安定化ジルコニア薄膜中間層などの安定化層16を設け、この安定化層16の変形により電気絶縁層14とガス感知層15bとの応力変化を吸収するような薄膜ガスセンサ1とした。また、他にも電気絶縁層と感知層との間に設けられた安定化層を密着結合させることにより、電気絶縁層とガス感知層との応力変化を回避する薄膜ガスセンサとした。 (もっと読む)


【目的】熱応力によってガス感知部や支持薄膜にクラックが発生しない薄膜ガスセンサおよびその製造方法を提供する。
【構成】少なくとも、中央に貫通孔有する基板1と、
この基板面上に形成され、少なくとも、薄膜ヒータ3と、薄膜ヒータ3を被覆する層間絶縁膜4と、その上に形成された金属電極5を有する酸化物半導体を主成分とするガス感知膜6からなる構成部品が、貫通孔11を覆う部分に形成された支持薄膜とからなる薄膜ガスセンサにおいて、支持薄膜には、貫通孔の縁部に沿ってC字形のスリット2sを形成し、構成部品を有する部分の支持薄膜(センサ部2cという)をC字形の開口部に当たる支持薄膜(腕部2b)によってのみ支持するようにする。 (もっと読む)


【課題】反応媒体の化学反応を効率的に精度良く評価できる化学反応評価装置を提供する。
【解決手段】反応ガスを供給する反応ガス供給部と、反応ガスが供給される反応部と、反応部の排気側に設けられた検出部とを備える。反応部には複数の反応管(反応器)が互いに平行に収容可能とされている。また、検出部には筒状の複数の検出器が互いに平行に収容可能とされている。各検出器にそれぞれの検出ガスに対応した検知材を充填することで、一般的なガス検知器と同様の分析を行うことができる。反応部の反応管および検出部の検出器は互いに密閉状態で取り付けられ、反応管およびそれに対応する検出器は連続した筒状構造を構成する。それぞれの筒状構造は独立したブロックを形成しており、反応部および検出部はこのようなブロックを束ねた構造として構成され、筒状構造内のガスが別の筒状構造内のガスと混じり合うことはない。 (もっと読む)


【課題】本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、カーボンナノチューブとこれを挟む一対の電極の間で、確実な電気的接触が得られる化学物質検出用センサを提供するものである。
【解決手段】本発明の化学物質検出用センサは、所定間隔を開けて配置された第1及び第2電極基板と、第1電極基板上に形成されたカーボンナノチューブ層と、第2電極基板上に形成され、第1電極基板に向かって延び、かつカーボンナノチューブ層と電気的に接触するカーボンナノピラーとを備える。 (もっと読む)


【課題】 リソグラフィ技術を用いることなく、また、大型化を招くことなく、検出感度の非常に高い半導体ガスセンサを容易かつ低コストに得られるようにする。
【解決手段】 基板1上に設けた一対の電極2,3間に金属酸化物半導体層4を形成し、この金属酸化物半導体層4中に、導電性微細粒子群9を一対の電極2,3間の全域に亘り連続コンタクトしないで、電極2,3間に少なくとも一つの微小ギャップgが形成されるような拡散状態に混在させてある。
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【課題】検出出力の温度補正を正確に行える温度補償機能付検出装置を提供する。
【解決手段】温度補償機能付検出装置は、検知対象ガスのガス濃度に応じて起電力が変化するガスセンサ1と、複数点のガス濃度(校正点)の各々についてガスセンサ1の出力と温度との関係を示した温度補償テーブルが予め登録された記憶部3と、演算処理部5とを備え、演算処理部5は、複数の温度補償テーブルから温度センサ2の検出温度に対応したセンサ出力を抽出することによって、上記検出温度において複数点の物理量とセンサ出力との関係を示す検量線を作成し、当該検量線とガスセンサ1から取り込んだセンサ出力とを用いて今回検出時の物理量を演算により求める。 (もっと読む)


【課題】水素、COの検知感度が低く、特に空気清浄機や換気装置等におけるファンの運転制御用に好適に用いることができる半導体ガスセンサを提供する。
【解決手段】酸化タングステンを含む粉体材料の焼結体にて構成される感ガス体1と、一対の検知用電極2,2とを具備する。前記感ガス体1が前記一対の検知用電極2,2の互いに対向し合う対向面に接触すると共に前記対向面間に挟まれた空間に配置されるコア部3を含む。前記コア部3は平均粒径2μm以上10μm未満の酸化タングステン粉末を含む粉体材料の焼結体にて形成されたものであることを特徴とするものである。このような半導体ガスセンサAでは、水素、CO以外の他種類のガスに対しては良好な感応性を示すと共に、水素、COに対する感応性が低くなる。 (もっと読む)


【課題】多種のガスに対して高い感度を有すると共に水素ガスについても安定した高い検知感度を有し、特にガスクロマトグラフにおける検知器に好適に用いることができる半導体ガスセンサを提供する。
【解決手段】酸化タングステンを含む粉体材料の焼結体にて構成される感ガス体1と、一対の検知用電極2,2とを具備する。前記感ガス体1が前記一対の検知用電極2,2の互いに対向し合う対向面に接触すると共に前記対向面間に挟まれた空間に配置されるコア部3を含む。前記コア部3は平均粒径10μm以上20μm以下の酸化タングステン粉末を含む粉体材料の焼結体にて形成されたものであることを特徴とするものである。このような半導体ガスセンサAでは、多種のガスに対して良好な感応性を示すと共に、水素ガスに対しても安定した高い感応性を示すものである。 (もっと読む)


【課題】ガスセンサ素子を長期間にわたって使用した場合にも感応層と触媒部との密着力低下が抑制されるガスセンサ素子およびそのようなガスセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】ガスセンサ素子(1)の製造工程のうち感応層(41)および触媒部(42)を加熱する熱処理工程において、酸素濃度が10ppm以下に規定されている。ガスセンサ素子(1)の触媒部(42)は、アスペクト比が2.0以上となる粒子(感応層41との密着状態が良好となる粒子)の割合が少なくとも20%以上に規定されており、感応層(41)からの剥離を抑制できる。また、ガスセンサ素子(1)は、感応層(41)および触媒部(42)に対する熱処理が施されることから、素子抵抗の経時的な安定性の向上を図ることができる。よって、ガスセンサ素子(1)は、素子抵抗の経時的な安定性の向上を図りつつ、感応層(41)と触媒部(42)との密着力低下を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】 特定のガス分子の高選択検出を行うことが可能であるセンサを提供することを目的とする。
【解決手段】 そこで、本発明は、複数のメソ孔を有し、且つ酸化物を含む半導体膜と、前記半導体膜と電気的に接続している電極とを備え、前記メソ孔内の表面の少なくとも一部が、有機物又は無機酸化物で被覆されているセンサを提供するものである。
また、本発明は、複数のメソ孔を有し、且つ酸化スズを含む半導体膜と、前記半導体膜と電気的に接続している電極とを備え、前記メソ孔内に無機物の粒子が担持されているセンサを提供するものである。 (もっと読む)


【課題】 簡易な構成で、使いやすい物理量を測定するための測定装置と測定方法と測定プログラムとを提供しようとする。
【解決手段】
従来の物理量を測定する測定装置にかわって、物理量に対応する測定値を決定する測定部と、前記測定値を表示する表示部と、を備え、内部に記録された複数の前記測定値を前記表示部に表示して、前記表示部に表示された複数の前記測定値の内から少なくとも一つの前記測定値を選択させ、測定中の前記測定値を前記表示部に表示すると同時に選択された前記測定値を前記比較値として前記表示部に表示するものとした。 (もっと読む)


本発明は、半導体基板(2)上に構成されたダイヤフラム層(3)を備えたガスセンサであって、該ダイヤフラム層(3)上で評価領域(8)内に金属製の評価構造体(7)が配置され、かつ評価領域(8)の外に金属製の加熱構造体(9)が配置されており、評価構造体(7)及び加熱構造体(9)上に配置されたガス感応層(10)を備えており、該ガス感応層(10)が加熱構造体(9)によって加熱可能であって、ガス感応層(10)の電気抵抗が評価構造体(7)によって評価可能であって、加熱構造体(9)が、ダイヤフラム層(3)の上側で接着を行う酸化層(6)上に配置されていて、カバー酸化層(11)によってガス感応層(10)から分離されている形式のものに関する。確実な機能形式を得るために、このガスセンサにおいては、評価領域(8)内で、酸化エッチングの影響を受けない接着剤層(13)がダイヤフラム層(3)と評価構造体(7)との間に配置されているか、又は評価構造体(7)が評価領域(8)内で加熱構造体(9)に応じて、カバー酸化層(11)によってガス感応層(10)から分離されており、カバー酸化層(11)が接触孔(12)を有していて、該接触孔(12)が、評価構造体(7)とガス感応層(10)との間の直接的な接触を形成するために、それぞれ評価構造体(7)の表面の中央領域を露出している。
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