【課題】ヒータＯＦＦ後においてもガス検出素子周りの結露を防止することができるガスセンサを提供することにある。
【解決手段】ガスセンサ１は、ガスを検出するガス検出素子２と、ガスが取り込まれるガス検出室１０と、ガス検出室を過熱するヒータ１１とを有する。ガス検出室１０は、筒状構造で、ヒータ１１を保持するヒータホルダ９と、ヒータホルダの底部を封止する位置に設けられたプレート７とから構成される。ヒータホルダ９及びプレート７は、低熱伝導率ＰＰＳにより構成される。 （もっと読む）

【課題】 湿度センサを用いることなく、測定雰囲気の湿度に応じたガス感度補正を容易に行うことのできる熱線型半導体式センサの感度補正方法、および、熱線型半導体式センサを具え、信頼性の高いガス検知を効率よく行うことのできるポータブル型ガス検知器を提供すること。
【解決手段】 測定雰囲気の湿度に応じた熱線型半導体式ガスセンサのガス感度の、基準湿度における当該熱線型半導体式ガスセンサの基準ガス感度に対するガス感度比の、測定雰囲気の湿度と基準湿度との湿度差による変動量と、測定雰囲気において検知対象ガスが含まれないガスが導入されることにより取得されるゼロ出力値と基準湿度のゼロ校正用ガスによるゼロ校正値との差で示されるゼロ出力変動量とが比例関係にあることを利用して、熱線型半導体式ガスセンサの基準ガス感度を補正する。ポータブル型ガス検知器は、上記ガス感度補正を行うガス感度補正機構を有する。 （もっと読む）

【課題】フィルター部材に目詰まりが生じ難く、メンテナンスが容易な吸引式ガス検知器を提供すること。
【解決手段】ガスＧが導入されるガス導入口３と、ガスＧが排出されるガス排出口と、ガス導入口３とガス排出口とを連通するガス流路Ｐと、ガス導入口３を介してガス流路Ｐにガスを吸引するガス吸引手段と、ガス流路Ｐに吸引されたガスＧを検知するガス検知素子と、ガス吸引手段及びガス検知素子よりもガス流路の上流側に設けてあるフィルター部材１４とを備える吸引式ガス検知器であって、ガス導入口３とフィルター部材１４との間のガス流路Ｐに、ガスＧの流速を減速させるトラップ部材Ｔを設けてある吸引式ガス検知器。 （もっと読む）

【課題】衝撃や振動等によるダイヤフラム構造体上に設けられた層状部の剥離を抑制すると共に、生産性に優れたガスセンサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム構造体３９Ｄ、４９Ｄと、ダイヤフラム構造体の絶縁層上に形成されたガス検知層を含む層状部３１、４１と、ガス検知層を介して互いに接続する一対の検知電極３６Ａ，３６Ｂ、４６Ａ，４６Ｂと、電極取出し辺３Ｐ、４Ｐに沿って設置されて検知電極に接続する一対の検知パッド３３、４３とを有するガス検出素子３、４と、検知パッドに接続する基板側パッド２３が表面に形成され、複数のガス検出素子が一列に並ぶよう実装された配線基板２とを備え、ガス検出素子の下面Ｒ１と配線基板の表面との間に介装される第１接着層６１，６２と、隣接するガス検出素子の下面Ｒ２同士を跨ぐように当該下面と配線基板の表面との間に介装される第２接着層６３とを備えるガスセンサ１０である。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、ガス中のフタル酸ジアルキルを検出できるガスセンサ及びガス検出方法を提供する。
【解決手段】メソポーラスシリカを充填した捕集カラム１と、捕集カラム１を加熱する加熱装置２と、ＳｎＯ_２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されたセンサ素子４と、センサ素子４の電気抵抗値を測定する検出器５と、測定すべき空間から採取された空気を試料ガスとして、捕集カラム１に流通させると共に、同空気を脱離用ガスとして、捕集カラム１及び前記センサ素子４に流通させる空気流通手段とを備えているガスセンサを用いてガス中のフタル酸ジアルキルを検出する。 （もっと読む）

【構成】 Si基板に設けたキャビティ上に絶縁膜からなる架橋部を設け、架橋部にヒータと感ガス膜とを設ける。架橋部を貫通するホールを設け、感ガス膜が架橋部の表面とホールの少なくとも一部、及び架橋部の周縁を覆い、ヒータがホールを取り巻くようにする。
【効果】 感ガス膜の周囲雰囲気への接触面積を増すことができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性が向上するガスセンサ用基板、ガスセンサ用容器、およびガスセンサを提供する。
【解決手段】設置対象物２１に取り付けることにより検出対象ガスを検知するガスセンサ１に用いられるガスセンサ用基板であって、第１主面２ａ、および第１主面２ａの反対側に位置しておりかつ設置対象物２１に取り付けられるべき第２主面２ｂを有する基体２と、基体２の第１主面２ａに設けられており、かつ検出対象ガスに対して活性であるガス感応体４を載置するための載置部３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 通電により加熱された状態で検知対象ガスに感応するガス感応素子を有するガスセンサを具えてなるものにおいて、電源投入後、ガス濃度測定を行うことのできる状態を早期に得ることのできるガス検知器を提供すること。
【解決手段】 前記ガスセンサを具えたガス検知器において、ガスセンサの起動時にゼロガスが導入されている状態において、センサ出力値が対数関数的に経時的に変化する特定の時間範囲内で選ばれた２つの測定時の各々においてガスセンサより実際に取得されるセンサ出力値に基づいて、前記特定の時間範囲内におけるいずれかの測定時を出力補正対象測定時として当該出力補正対象測定時におけるセンサ出力値を予測して、これを補正用出力値として取得し、この補正用出力値に基づいて、前記出力補正対象測定時においてガスセンサより実際に取得されるセンサ出力値を補正する機能を有する出力補正機構を具えてなる。 （もっと読む）

【課題】シロキサン被毒や水分吸着が生じている状態を判定することができながら、ＣＯガス等の検出対象ガスの濃度を適正に検出する。
【解決手段】高温状態と低温状態とに切り換えるように加熱部４の作動を制御して低温状態のガス検出部３の電気抵抗値に基づいて検出対象ガスを検出する制御部５と、ガス検出部３の電気抵抗値に基づいて、ガス検出部３の周囲が清浄空気であるか否かを判定する清浄空気判定処理を行い、その清浄空気判定処理にて清浄空気であると判定した場合に、高温状態におけるガス検出部３の電気抵抗値が正常範囲よりも低下していることを検出するとシロキサン被毒状態であると判定するシロキサン被毒判定処理、及び、高温状態におけるガス検出部３の電気抵抗値が正常範囲よりも増大していることを検出すると水分吸着状態であると判定する水分吸着判定処理の少なくとも一方を行う判定部１４を備えている。 （もっと読む）

本発明に従い新規な水素センサーの製造方法が提供されるが、該方法は、弾性基板の表面に遷移金属またはその合金薄膜を形成するステップと、上記弾性基板に引張力を印加して、上記基板表面に形成された上記合金薄膜に複数のナノギャップを形成するステップと、を含み、上記薄膜への上記ナノギャップは、上記引張力の印加時には上記薄膜が該引張力の印加方向に伸長すると共に該印加方向に対して垂直方向に収縮し、該引張力を解除すると上記薄膜が該印加方向に収縮すると共に該印加方向に対して垂直方向に伸長することにより形成されることを特徴とする。
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【課題】検出感度を向上することができるガスセンサ用基板、ガスセンサ用パッケージ、およびガスセンサを提供する。
【解決手段】触媒５と検出対象ガスとの接触に起因する触媒反応により発熱反応が生じ、この発熱反応により発生する熱によって発熱抵抗体８の抵抗値が変化し、この抵抗値の変化に基づいて検出対象ガスを検知するガスセンサ１に用いられるガスセンサ用基板７であって、触媒５を担持するための担持部７１が設けられた基板７２を備え、発熱抵抗体８は、担持部７１の近傍の基板７２に設けられており、基板７２には、触媒５の発熱反応により発生した熱によって発熱抵抗体８の温度を上昇させるための切欠部Ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】高感度、長寿命という優れた特徴を有するガス感知体を、さらには、ガス選択性を容易に付与することが可能なガス感知体を、容易に製造することができるガス感知体の製造方法及びガス感知体並びにガスセンサを提供する。
【解決手段】本発明のガス感知体の製造方法は、半導体微粒子を含む分散液から分散媒を除去することにより、未焼結状態の半導体微粒子堆積物を生成し、次いで、この半導体微粒子堆積物に絶縁性物質形成成分を含む溶液を浸透させて絶縁性物質形成成分から絶縁性物質を生成させ、半導体微粒子及び絶縁性物質を含むガス感知体を得る。 （もっと読む）

【課題】応力による感応部の変形を低減することができるガスセンサ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】開口部５を有する空洞部７を備えた支持体３の表面３Ａに、ヒータ配線パターン１９を内蔵して支持体３の表面３Ａに固定される固定部１５と開口部上に位置する非固定部１７を有するベース絶縁層９とを設ける。ベース絶縁層９の非固定部１７の中央部２１に電極配線パターン２７と感応膜３１を形成する。非固定部１７が、中央部２１及び中央部２１と固定部１５とを連結する複数本の連結部２３を構成する。４本の連結部２３を基部３３と延伸部３５とから構成する。連結部２３の基部３３は、開口部５の縁部５Ａに沿って延びるように構成する。延伸部３５は、基部３３から中央部２１に向かって延びて中央部２１に連結するように構成する。連結部２３は、基部３３の最大幅寸法Ｗ１が、延伸部３５の最大幅寸法Ｗ２よりも大きくなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】高感度、長寿命、低抵抗という優れた特性を有し、しかも製造が容易で量産性に優れ、さらには、ガス選択性を容易に付与することが可能なガス感知体及びガスセンサを提供する。
【解決手段】本発明のガス感知体１は、半導体微粒子２及び貴金属微粒子３が互いに接触した状態で略格子状の３次元の複合構造体４とされ、この複合構造体４内に３次元の網目状に張り巡らされた空隙部分は互いに連通する気孔５とされ、半導体微粒子２と貴金属微粒子３の組成を選択するとともに、これら半導体微粒子２と貴金属微粒子３との比率を変えることにより、ガス感知体１にガス選択性を持たせることができる。 （もっと読む）

【課題】室温で動作し水素ガスに対する応答速度が速い水素ガスセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水素ガスの検知部となる酸化タングステン膜２と、前記酸化タングステン膜２の前記水素ガスと接触する側の面に設けられた一対の電極３と、前記酸化タングステン膜２の前記水素ガスと接触する側の面に間隔をあけて設けられ前記水素ガスを解離する触媒となる金属微粒子４とを有する水素ガスセンサとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メタン及び水素に対する選択性が良く、かつ、十分なＣＯ濃度勾配をもつことにより、高い精度で検知対象を検知することができる半導体ガスセンサの間欠駆動方法を提供する。
【解決手段】ガス感知膜に吸着した雑ガスをクリーニングするために、センサをヒータにより高温状態（Ｈｉｇｈ）まで加熱し、該高温状態で保持し、ガスを検知し、一酸化炭素の濃度を求めるために、前記センサを第一の低温状態（Ｌｏｗ１）まで下げ、該第一の低温状態で保持し、一酸化炭素のみを更に前記ガス感知膜へ吸着させるために、前記センサを一旦オフ（Ｏｆｆ）にし、該オフ状態で保持し、一酸化炭素に対するメタン及び水素の選択性を測定するために、前記センサを第二の低温状態（Ｌｏｗ２）まで上げ、該第二の低温状態で保持することを特徴とする半導体ガスセンサの間欠駆動方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ガス検出部がシロキサン化合物によりシロキサン被毒状態にあるか否かを判定し、所定濃度の検出対象ガスの存在の検出及び警報を正確に行うことを可能とし、シロキサン被毒によるセンサ故障を早期に認識するガス検出装置、これを備えた機器を提供する。
【解決手段】検出対象ガスに感応して電気抵抗値が変化するガス検出部を高温作動状態と低温作動状態とに切り換えるように又は高温作動状態のみに加熱部の作動を制御するとともに、高温作動状態にあるガス検出部の第１電気抵抗値に基づいて可燃性ガスを検出する制御部を備えたガス検出装置で、加熱されたガス検出部の温度が高温作動状態においてガス検出部の雰囲気中のシロキサン化合物がガス検出部を被毒することがある温度であり、制御部により検出された第１電気抵抗値の低下する低下状態が所定期間継続した場合に、ガス検出部の表面がシロキサン化合物による被毒状態であると判定する判定部を備えた。 （もっと読む）

【課題】ガス検出素子への水の付着を低減することができるガスセンサを提供する。
【解決手段】筒型のハウジング２０内に形成されるガス検出室２５と、ハウジング２０の鉛直方向上部の開口を閉塞するベース部３０と、ベース部３０の鉛直方向下方に位置するように、ベース部３０に固定されるガス検出素子４０，４０と、ガス検出室２５に検査対象ガスを導入するガス導入口２４と、ベース部３０で結露した水を、ベース部３０から鉛直方向下方に導く結露水案内部材５０Ａと、を備えた。結露水案内部材５０Ａは、円筒体５１からなり、円筒体５１の鉛直方向下端がガス検出素子４０よりも下方に位置するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラム構造の薄膜ガスセンサにおけるガス選択性を、従来のものより向上させる。
【解決手段】感知層７を、第１層としてドナーとなる＋５価または＋６価の元素を添加したＳｎＯ２層９、その上の第２層として触媒となる元素を添加したＳｎＯ２層１０の、２層構造とするものは既に公知であるが、ガス選択性の点でいまだ不十分なので、この発明では、第２層１０における触媒添加量を１０ｗｔ％を超え６０ｗｔ％以下とすることにより、水素ガス選択性，メタンガス選択性ともに向上させる。 （もっと読む）

【課題】吸着燃焼式のガスセンサを用いたガス分析装置で、計測ガスの濃度の違いによってもセンサ出力の微分値のピークにズレを生じず、ピークのガスセンサの温度を検知できるようにする。
【解決手段】吸着燃焼式のガスセンサのマイクロヒータを含むブリッジ回路に印加するブリッジ電圧を制御する。ガスセンサのマイクロヒータを一定昇温制御する。１回目の４０ミリ秒の間に、マイクロヒータを一定昇温制御しながらマイクロヒータの抵抗値を高速サンプリングする。１回目の４０ミリ秒でガスセンサの余分なガス成分、水分等を焼き飛ばす。その後の１０秒間マイクロヒータを１００℃に保ち、計測ガスを吸着させる。２回目の４０ミリ秒の間に、マイクロヒータを一定昇温制御しながらマイクロヒータの抵抗値を高速サンプリングする。計測値を微分してピーク値を求め、ガス種を判定する。ピーク値の抵抗値からガス濃度を判定する。 （もっと読む）