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Fターム[2G046BC05]の内容

流体の吸着、反応による材料の調査、分析 (10,319) | 電極、リードの構造 (423) | 電極の構造 (379) | 材料限定したもの (185)

Fターム[2G046BC05]に分類される特許

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【課題】 湿度センサを用いることなく、測定雰囲気の湿度に応じたガス感度補正を容易に行うことのできる熱線型半導体式センサの感度補正方法、および、熱線型半導体式センサを具え、信頼性の高いガス検知を効率よく行うことのできるポータブル型ガス検知器を提供すること。
【解決手段】 測定雰囲気の湿度に応じた熱線型半導体式ガスセンサのガス感度の、基準湿度における当該熱線型半導体式ガスセンサの基準ガス感度に対するガス感度比の、測定雰囲気の湿度と基準湿度との湿度差による変動量と、測定雰囲気において検知対象ガスが含まれないガスが導入されることにより取得されるゼロ出力値と基準湿度のゼロ校正用ガスによるゼロ校正値との差で示されるゼロ出力変動量とが比例関係にあることを利用して、熱線型半導体式ガスセンサの基準ガス感度を補正する。ポータブル型ガス検知器は、上記ガス感度補正を行うガス感度補正機構を有する。 (もっと読む)


【課題】ガス感応膜を挟む電極間のギャップを容易に非常に小さく形成することができるとともに、ガス感応膜が外気と接触できる面積及び電極がガス感応膜に対して接触できる面積を両方とも大きくとることができ、製造が容易でセンサ感度の優れた半導体ガスセンサを提供する。
【解決手段】電極層1、3、5、と、金属酸化物半導体からなるガス感応膜層2、4とが交互に複数回積層された積層体9を有する半導体ガスセンサであって、少なくとも1つのガス感応膜層4の両面を挟む2つの電極層3、5について、当該ガス感応膜層4の各面の略全域にわたって、金属からなる電極部31、51と、厚さ方向に貫通する空隙部32、52とを交互に形成した。 (もっと読む)


【課題】フィルター部材に目詰まりが生じ難く、メンテナンスが容易な吸引式ガス検知器を提供すること。
【解決手段】ガスGが導入されるガス導入口3と、ガスGが排出されるガス排出口と、ガス導入口3とガス排出口とを連通するガス流路Pと、ガス導入口3を介してガス流路Pにガスを吸引するガス吸引手段と、ガス流路Pに吸引されたガスGを検知するガス検知素子と、ガス吸引手段及びガス検知素子よりもガス流路の上流側に設けてあるフィルター部材14とを備える吸引式ガス検知器であって、ガス導入口3とフィルター部材14との間のガス流路Pに、ガスGの流速を減速させるトラップ部材Tを設けてある吸引式ガス検知器。 (もっと読む)


【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】薄膜ガスセンサ10は、Si基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ30と、感ガス膜70と、ヒータ電極用中間膜層42,43と薄膜ヒータ電極40,41とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層52,53と感ガス膜電極50,51を含む感ガス膜電極部と、薄膜ヒータ電極40,41を覆う酸化防止保護膜60と、酸化防止保護膜60と薄膜ヒータ電極40,41との間にTiNを含む保護膜用中間膜層80,81を有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層42,43はTiNまたはTaNを含み、感ガス膜電極用中間膜層52,53は、TiO2またはTa25またはAl23の少なくとも1つを含む。 (もっと読む)


【課題】構成や製造工程を簡素化しつつ保護ゲル部が感湿膜に付着するのをより効果的に抑制することのできる湿度センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】湿度センサ10は、基板20の一面20aにおいて対向配置された一対の検出電極31a,31bと感湿膜36を有する湿度検出部30と、一面20aにおいて湿度検出部30と離れて形成され、ボンディングワイヤ115が接続された状態で保護ゲル50に覆われるパッド40と、一面20aにおいて湿度検出部30とパッド40の間に形成され、パッド40側から湿度検出部30側への保護ゲル50の流動を抑制するダム部60と、を備える。ダム部60は、検出電極31a,31bと同一材料を用いて一面20aに形成されたダミー配線61と、感湿膜36と同一材料を用いて形成され、ダミー配線61の少なくとも一部を覆うダム用感湿膜62を有する。 (もっと読む)


【構成】 MEMSガスセンサを用いてガスを検出する。ガスセンサのヒータへの電力を、低レベルと、検出対象ガスの検出に適した高レベルと、0レベルとの間で変化させることにより、低レベルで被毒ガスを蒸発もしくは酸化し、高レベルで検出対象ガスを検出する。
【効果】 MEMSガスセンサの被毒を防止する。 (もっと読む)


【課題】検出電極の貴金属層の縁端よりも外向きに突出する接着層の突出部を設けて貴金属層の反りを防ぐことができるガスセンサを提供する。
【解決手段】検出電極6は、基体15の主面17に形成されるチタン層62と、チタン層62の上面に形成されるプラチナ層61とからなる2層構造を有し、櫛歯形状のパターンに形成される。基体15の厚み方向に沿って見たときに、検出電極6は、プラチナ層61の幅方向Tにおける両側の縁端63よりも外向きにチタン層62が突出してなる突出部65を、少なくとも1カ所以上に有する。突出部65がプラチナ層61の反りを防止するクサビとして機能するため、ガス検知層の断層割れを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】ガス感応部の電気抵抗を小さくして、被検知ガスに対して高感度となる半導体式ガス検知素子を提供する。
【解決手段】貴金属線にガス感応部を設けた半導体式ガス検知素子であって、ガス感応部は、酸化スズに、アンチモンを0.8mol%以下の範囲、セリウムを0.8mol%以下の範囲で、固溶させてある。 (もっと読む)


【課題】燃焼プロセス排ガス等の多成分ガス系に含まれる窒素酸化物、炭化水素、一酸化炭素、酸素等を直接検知可能な化学センサーアレイ及び方法を提供する。
【解決手段】(i)少なくとも2つの化学/電気活性材料のアレイを含んでなる化学センサーを多成分ガス系に暴露する工程、応答を検出する工程、各化学/電気活性材料の応答を直接測定する工程とを含んでなる。化学/電気活性材料は半導体材料である。測定される応答は、静電容量、電圧、電流、ACインピーダンスまたは、DC抵抗値である。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能であると共に検出開始時並びに検出対象ガスの濃度変化時の応答性に優れるガス検出装置を提供する。
【解決手段】ガス検出装置1は、支持体2、リード線51,52,53、センサ素子6、及び有孔の防曝部材7を備える。前記支持体2は、絶縁性の部材と、この部材の表面上に形成された導体配線とを有し、且つ外部へ開口する配置空間8が形成される。前記リード線51,52,53は、前記導体配線に接続されて、前記支持体2から前記配置空間8へ突出する。前記センサ素子6は前記配置空間8内で前記リード線51,52,53によって支持されると共に前記リード線51,52,53に電気的に接続される。前記防曝部材7が前記配置空間8を覆っている。 (もっと読む)


【課題】使用状況に応じてヒートクリーニング期間を調整することで使い勝手を向上させた呼気成分測定装置を提供する。
【解決手段】ガスセンサ2は、金属酸化物半導体からなる感ガス体20及び感ガス体20内に埋設されたヒータ兼用電極21を具備し、呼気吹込口から吹き込まれた呼気が感ガス体20に接触するように測定器本体内に収納される。マイコン7は、ヒータ兼用電極21への通電を制御し、測定開始操作が行われると感ガス体20の温度を高温にしてヒートクリーニングを行った後、感ガス体20の温度を低温状態とし、この測定期間に呼気が吹き込まれると、感ガス体20の抵抗値から呼気中の検知対象ガス成分のガス濃度を測定する。マイコン7は、ヒートクリーニングの開始時から所定時間が経過するまで感ガス体20の抵抗値の二次微分値を求め、二次微分値が大きいほどヒートクリーニング時間が短くなるように、ヒートクリーニング時間を設定する。 (もっと読む)


【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】 薄膜ガスセンサ10は、Si基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ30と、感ガス膜70と、ヒータ電極用中間膜層42,43と薄膜ヒータ電極40,41とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層52,53と感ガス膜電極50,51を含む感ガス膜電極部とを有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層42,43はTiNまたはTaNを含み、感ガス膜電極用中間膜層52,53は、TiO2またはTa25またはAl23の少なくとも1つを含む。 (もっと読む)


【課題】湿度センサ素子と同一の基板に備えた電子部品から発せられた熱の影響を受けにくく、正確な湿度測定が可能な湿度センサを提供する。
【解決手段】湿度変化を測定する湿度センサ素子と、動作時に熱を発する電子部品を含む周辺回路と、湿度センサ素子及び周辺回路を外部回路に接続させるコネクタとを同一の基板に搭載した湿度センサにおいて、湿度センサ素子と電子部品を互いに平面的に重複しない位置で配置して、基板上に、湿度センサを設けたセンサエリアと、電子部品を設けた放熱エリアを設定し、放熱エリアの放熱性をセンサエリアの放熱性より高める放熱手段と、センサエリアと放熱エリアを熱的に分離する熱分離手段との少なくとも一方を設けた。 (もっと読む)


【課題】電池駆動型であって、感知薄膜にクラックが生じることなく信頼性が高く、消費電力が低減された薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】貫通孔を有する基板と、貫通孔を有する基板と、前記基板の第一の表面に接し、前記貫通孔の開口部を覆うように設けられた支持絶縁薄膜と、前記支持絶縁薄膜の反基板側表面上に設けられる薄膜ヒータと、支持絶縁薄膜およびヒータ層を覆うように設けられる層間絶縁膜と、さらに前記層間絶縁膜の上に形成された、金属電極とガス感知薄膜とを有し、前記金属電極とガス感知薄膜とが選択燃焼層で覆われた薄膜ガスセンサにおいて、前記ガス感知薄膜がグラフェン薄膜からなるものとする。 (もっと読む)


【課題】 内燃機関の空燃比の計測に用いられる抵抗型酸素センサ素子において、応答時間短縮を実現した酸素分圧検出部を有する抵抗型酸素センサ素子を提供する。
【解決手段】 耐熱性の絶縁基板と、該絶縁基板の一方の主面側に形成された一対の電極と、前記主面側に前記一対の電極に接するように形成された酸素分圧検出膜とを備えた、内燃機関の空燃比の計測に用いられる抵抗型酸素センサ素子であって、前記酸素分圧検出膜として、450℃〜900℃において酸素イオン伝導性を有する酸化物粒子と450℃〜900℃において電子伝導性を有する酸化物粒子とを含む多孔質焼結体層を用いることにより、応答時間が短縮された抵抗型酸素センサ素子が得られる。 (もっと読む)


【構成】 Si基板に設けたキャビティ上に絶縁膜からなる架橋部を設け、架橋部にヒータと感ガス膜とを設ける。架橋部を貫通するホールを設け、感ガス膜が架橋部の表面とホールの少なくとも一部、及び架橋部の周縁を覆い、ヒータがホールを取り巻くようにする。
【効果】 感ガス膜の周囲雰囲気への接触面積を増すことができる。 (もっと読む)


【課題】 通電により加熱された状態で検知対象ガスに感応するガス感応素子を有するガスセンサを具えてなるものにおいて、電源投入後、ガス濃度測定を行うことのできる状態を早期に得ることのできるガス検知器を提供すること。
【解決手段】 前記ガスセンサを具えたガス検知器において、ガスセンサの起動時にゼロガスが導入されている状態において、センサ出力値が対数関数的に経時的に変化する特定の時間範囲内で選ばれた2つの測定時の各々においてガスセンサより実際に取得されるセンサ出力値に基づいて、前記特定の時間範囲内におけるいずれかの測定時を出力補正対象測定時として当該出力補正対象測定時におけるセンサ出力値を予測して、これを補正用出力値として取得し、この補正用出力値に基づいて、前記出力補正対象測定時においてガスセンサより実際に取得されるセンサ出力値を補正する機能を有する出力補正機構を具えてなる。 (もっと読む)


本発明に従い新規な水素センサーの製造方法が提供されるが、該方法は、弾性基板の表面に遷移金属またはその合金薄膜を形成するステップと、上記弾性基板に引張力を印加して、上記基板表面に形成された上記合金薄膜に複数のナノギャップを形成するステップと、を含み、上記薄膜への上記ナノギャップは、上記引張力の印加時には上記薄膜が該引張力の印加方向に伸長すると共に該印加方向に対して垂直方向に収縮し、該引張力を解除すると上記薄膜が該印加方向に収縮すると共に該印加方向に対して垂直方向に伸長することにより形成されることを特徴とする。
(もっと読む)


【課題】 耐圧防爆構造を有し、操作性および作業性に優れたガス測定装置を提供すること。
【解決手段】 先端部にガス検知部を有する円筒型のプローブを具え、当該プローブの先端側部分が検知対象空間を区画する隔壁を介して挿入されて前記ガス検知部が当該検知対象空間内に位置されるよう当該隔壁に固定され、当該検知対象空間内における有機溶剤のガス、可燃性ガスまたは引火性ガスのガス濃度測定に用いられるガス測定装置において、プローブがその基端部に径方向外方に突出する板状のフランジ部を有しており、正面に表示部および操作部を有する耐圧防爆構造を有する端子箱が、その背面が前記フランジ部の基端側の面に対接された状態で、前記プローブに対して着脱可能に固定された構成とされる。 (もっと読む)


【課題】検出感度を向上することができるガスセンサ用基板、ガスセンサ用パッケージ、およびガスセンサを提供する。
【解決手段】触媒5と検出対象ガスとの接触に起因する触媒反応により発熱反応が生じ、この発熱反応により発生する熱によって発熱抵抗体8の抵抗値が変化し、この抵抗値の変化に基づいて検出対象ガスを検知するガスセンサ1に用いられるガスセンサ用基板7であって、触媒5を担持するための担持部71が設けられた基板72を備え、発熱抵抗体8は、担持部71の近傍の基板72に設けられており、基板72には、触媒5の発熱反応により発生した熱によって発熱抵抗体8の温度を上昇させるための切欠部Cが形成されている。 (もっと読む)


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