【課題】作業者の手などが誤ってガス導入口に触れてこれを塞いだとしても、ガス検知が中断されることのない吸引式ガス検知器を提供すること。
【解決手段】ガスＧが導入されるガス導入口３と、ガスＧが排出されるガス排出口２４と、ガス導入口３とガス排出口２４とを連通するガス流路Ｐと、ガス導入口３を介してガス流路ＰにガスＧを吸引するガス吸引手段２３と、ガス流路Ｐに吸引されたガスＧを検知するガス検知素子２２と、ガス流路Ｐの閉塞状態を検知する閉塞検知手段２５と、閉塞検知手段２５が閉塞状態を検知するとガス吸引手段２３による吸引動作を停止させる制御部２６とを備える吸引式ガス検知器であって、ガス導入口３とは別にガス流路Ｐと外部とを連通する貫通部４を、ガス検知素子２２、ガス吸引手段２３、及び閉塞検知手段２５よりもガス流路Ｐの上流側に設けてある吸引式ガス検知器。 （もっと読む）

【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部と、薄膜ヒータ電極４０，４１を覆う酸化防止保護膜６０と、酸化防止保護膜６０と薄膜ヒータ電極４０，４１との間にＴｉＮを含む保護膜用中間膜層８０，８１を有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【構成】
MEMSガスセンサは、シリコン基板に設けた絶縁膜に、SnO2膜とヒータ膜とを設けると共に、SnO2へ到達するガスを処理するフィルタと備えている。電源によりヒータ膜に電力を供給し、SnO2膜を間欠的にかつパルス的に可燃性ガスの検出温度へ加熱し、可燃性ガスを検出すると共に、100〜200℃の被毒ガスの除去温度へSnO2膜を間欠的に加熱する。
【効果】 フィルタを通過した被毒ガスによる被毒を防止できる。 （もっと読む）

【課題】有機シリコーンガスに対する耐被毒性能が高く、ガスセンサの検出感度の回復時間をより短縮化させ、さらに被覆層におけるひび割れや剥離が生じ難いガス検知素子を提供すること。
【解決手段】検出電極２と、金属酸化物半導体を含むガス感応部４と、ガス感応部４を加熱する加熱部３とを備えるガス検知素子であって、ガス感応部４の外周面に、無定形の酸化アルミニウムを含む被覆層５を設けてあるガス検知素子。 （もっと読む）

【課題】ガス感応部の電気抵抗を小さくして、被検知ガスに対して高感度となる半導体式ガス検知素子を提供する。
【解決手段】貴金属線にガス感応部を設けた半導体式ガス検知素子であって、ガス感応部は、酸化スズに、アンチモンを０．８ｍｏｌ％以下の範囲、セリウムを０．８ｍｏｌ％以下の範囲で、固溶させてある。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラム構造のガスセンサにおいて、大きな応力が加わった場合でも、ガス感応膜を覆う外層膜等の剥離が発生し難いガスセンサを提供すること。
【解決手段】ダイアフラム上に特定ガスの検知を行うガス検知部５を備えたガスセンサ１において、ガス検知部５は、特定ガスの検知を行うガス感応膜４７とガス感応膜４７の表面及び周囲を覆う外層膜４９とからなる２重構造を有する。そして、ガス検知部５を基板３に垂直に破断した破断面において、多重領域における外層膜５０の外側表面の基板表面からの高さの平均値をＡとし、変曲点のうち基板表面からの高さの高い方をＢとした場合に、平均値Ａと変曲点の高さＢとの比Ｂ／Ａを、０．００＜Ｂ／Ａ≦０．７０の範囲とする。これにより、ダイアフラム構造のガスセンサ１において、大きな応力が加わった場合でも、ガス感応膜を覆う外層膜等の剥離が発生し難い。 （もっと読む）

【構成】
半導体チップの一面に感ガス部を有する絶縁膜が設けられ、感ガス部の裏面で半導体チップにキャビティが設けられている。半導体チップは、一面から反対面へと貫通し、感ガス部に電気的に接続される導電性のビアと、反対面に設けられかつビアに接続される配線とを備え、感ガス部は半導体チップに固着された通気性のカバーで覆われている。
【効果】
パッケージへのダイボンドもワイヤボンドも無しに、ガスセンサをプリント基板に実装できる。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、ガス中のフタル酸ジアルキルを検出できるガスセンサ及びガス検出方法を提供する。
【解決手段】メソポーラスシリカを充填した捕集カラム１と、捕集カラム１を加熱する加熱装置２と、ＳｎＯ_２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されたセンサ素子４と、センサ素子４の電気抵抗値を測定する検出器５と、測定すべき空間から採取された空気を試料ガスとして、捕集カラム１に流通させると共に、同空気を脱離用ガスとして、捕集カラム１及び前記センサ素子４に流通させる空気流通手段とを備えているガスセンサを用いてガス中のフタル酸ジアルキルを検出する。 （もっと読む）

【課題】電池駆動型であって、感知薄膜にクラックが生じることなく信頼性が高く、消費電力が低減された薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】貫通孔を有する基板と、貫通孔を有する基板と、前記基板の第一の表面に接し、前記貫通孔の開口部を覆うように設けられた支持絶縁薄膜と、前記支持絶縁薄膜の反基板側表面上に設けられる薄膜ヒータと、支持絶縁薄膜およびヒータ層を覆うように設けられる層間絶縁膜と、さらに前記層間絶縁膜の上に形成された、金属電極とガス感知薄膜とを有し、前記金属電極とガス感知薄膜とが選択燃焼層で覆われた薄膜ガスセンサにおいて、前記ガス感知薄膜がグラフェン薄膜からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】外部との接続端子部を保護し、接続端子部に加わる力による破損を防止し得る構造のガスセンサを提供する。
【解決手段】スペーサ４は、電極ピン７ａ、８ａをスペーサ４に設けられた貫通孔４ａに挿通するようにして配置されている。この電極ピン７ａ、８ａの先端部には、アウトリード５ａ、５ｂ、５ｃが溶接等の手段によって接続されている。そして、スペーサ４の各アウトリード５ａ、５ｂ、５ｃを支える側の略全面を覆うように押さえ部材６を密着させ、スペーサ４と押さえ部材６により、前記アウトリードを挟み込むようにして保持している。スペーサ４上に押さえ部材６を重ねて配置した後、バネ性ホルダ１２の各押さえ部材係止片１２ｂの先端部の両側に形成された係止片部１２ｂ_１を折り曲げ、押さえ部材６の背面にそれが当接し、各押さえ部材係止片１２ｂのバネ力によって、押さえ部材６をスペーサ４に押圧して強固に保持する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラム部に生じる歪(熱による歪・割れによって生じた歪)を検出し、故障を自己診断するようにして、検出特性の変化により発生する事故の未然防止に寄与する薄膜ガスセンサを提供する。更にこのような薄膜ガスセンサを製造する薄膜ガスセンサの製造方法も併せて提供する。
【解決手段】ダイヤフラム部の上に歪感知層８１を４個配置し、さらにホイートストンブリッジ回路を形成する。これにより、ピエゾ抵抗素子として機能する歪感知層８１によりダイヤフラム部の歪を抵抗値の変化として検出することが可能になる。また、歪感知層８１はガス感知層５３と同じ材料とし、歪感知層８１とガス感知層５３とを同時に形成するため工数低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 直前の被験者の高濃度のアルコール検出があった場合でも、その残気の影響なく次の被験者が測定可能になる呼気中アルコール測定方法を提供する。
【解決手段】 呼気中アルコール測定方法は、多数の呼気測定をするために毛ゴミ、ツバ、唾液等がセンサーに入り込むことを防止する呼気フィルタ６の内部の呼気による結露を防止するために、呼気フィルタ６にヒータ８を取り付け、呼気フィルタ６をヒータ８で４０℃以上に暖めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｎＯ_２を主成分とするガス検知層の被毒耐性を高め、感度を確保し、長期間の使用に対する耐久性を得ることのできるガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ１の製造過程において、ガス検知層８を形成する際に、単に、純度の高い原材料を用いてＳｎＯ_２を調製するだけでなく、使用する器具や装置を厳選し、それらの使用方法や手順についても十分に注意を払い、不純物、特にＦｅ、Ｐｂ、およびＢｉのＳｎＯ_２への混入を抑制する。その結果、Ｆｅ、Ｐｂ、およびＢｉの合計の含有量を、ＳｎＯ_２とＦｅ、Ｐｂ、およびＢｉの合計量に対し、０．０３０質量％未満に抑えたガス検知層８を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】
ガス検知層を覆う保護膜にクラックが生じたり、保護膜がガス検知層から剥離したりすることを回避したガスセンサを提供すること。
【解決手段】
ガスセンサ１が備える部材を基体１５の一方の面上に厚み方向に沿って投影したときに、底面の輪郭投影線Ｐ上または底面の輪郭投影線Ｐによって囲まれる領域の内側に、ガス検知層と、保護膜と、発熱体との輪郭投影線が配置されるようにする。底面の輪郭投影線と保護膜の輪郭投影線との最短距離をＬとし、底面の輪郭投影線によって囲まれる図形の中心と保護膜の輪郭投影線との最短距離をＭとし、底面の輪郭投影線上における基体の厚みをみたときの最小厚みをＴとしたときに、（Ｍ−Ｌ）／Ｔ≦５００とする。 （もっと読む）

【課題】Ｈ_２Ｏ、ＣＯ、ＣＨ_４、低分子シロキサンなど検知素子の性能を劣化させるガスを含んだガス中においても、水素濃度を正確に検知することができる水素検知素子及び水素検知センサを提供する。
【解決手段】
水素検知素子１は、水素を溶解して電気抵抗が変化する特性を有する金属からなる感応部２と、感応部２の電気抵抗の変化を検出する検出部６とを備える。水素検知センサは、水素検知素子１と、水素検知素子１の少なくとも感応部２を実装するパッケージ部１０と、金属メッシュ又は多孔質金属焼結体からなり、パッケージ部１０に感応部２を覆うように装着されるフィルター部１６とを備える。感応部２又はフィルター部１６は、その表面が撥水処理されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、煙草煙によるアルコールセンサの劣化を抑制することができるアルコール検出装置を提供する。
【解決手段】本発明は、被験者によって吹込口に吹き込まれた呼気のアルコール濃度を検出するアルコール検出装置１であって、吹込口に煙草煙が吹き付けられているか否かを判定するＥＣＵ２と、ＥＣＵ２により煙草煙が吹き付けられていると判定された場合に、煙草煙を吹き付け側へ戻すように気流を生じさせるファン９と、を備える。このアルコール検出装置１によれば、吹込口に煙草煙が吹き付けられていると判定された場合、ファン９が生じさせる気流によって煙草煙が吹き付け側へ戻されるので、煙草煙が吹込口内に入り込んだとしてもアルコールセンサ７と接触する前に排出することが可能となり、これによって煙草煙によるアルコールセンサ７の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】電池駆動形ガスセンサとして使用しても、その特性が大きく変動しないガスセンサを提供する。
【解決手段】電気絶縁層上に一対の電極を形成し、その上に半導体薄膜からなるガス感知層を形成し、さらにその最表面に選択燃焼層を形成した薄膜ガスセンサにおいて、ガス感知層７と選択燃焼層８との間に触媒拡散防止層９を設けることにより、高湿度環境下においても選択燃焼層８の貴金属触媒がガス感知層７まで拡散しないようにすることで、センサ特性が大きく変化しないようにする。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラム構造の薄膜ガスセンサにおけるガス選択性を、従来のものより向上させる。
【解決手段】感知層７を、第１層としてドナーとなる＋５価または＋６価の元素を添加したＳｎＯ２層９、その上の第２層として触媒となる元素を添加したＳｎＯ２層１０の、２層構造とするものは既に公知であるが、ガス選択性の点でいまだ不十分なので、この発明では、第２層１０における触媒添加量を１０ｗｔ％を超え６０ｗｔ％以下とすることにより、水素ガス選択性，メタンガス選択性ともに向上させる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン等の被毒物質に対する被毒耐性が高く、ガス感度の経時的な変化を長期間に亘って抑制できるガスセンサを提供すること。
【解決手段】 ガスセンサ１００は、酸化物半導体からなる感ガス膜１３１と、この感ガス膜１３１上に分散された触媒粒子１３３と、これら感ガス膜１３１及び触媒粒子１３３上に形成された保護層１４０とを有する。このうち保護層１４０は、平均粒子径Ｄが５００ｎｍ以下の酸化物粒子１４１から構成されている。また、保護層１４０は、平均粒子径をＤ（ｎｍ）、保護層１４０の厚みをＴＨ（ｎｍ）としたとき、２０≦ＴＨ／Ｄ≦５００となる形態とされている。 （もっと読む）

【課題】ガス検知層が剥離することを防止するとともに、ガス感度に影響を与えずに特定ガスの濃度変化を良好に検知するガスセンサを提供する。
【解決手段】基体１５上に形成され、環境雰囲気中の特定ガスの濃度変化に応じて電気的特性が変化する金属酸化物半導体を主成分とするガス検知層４を有するガスセンサ１において、ガス検知層４は、複数の粒子が結合しつつ、複数の粒子間に存在する空隙を通じてガス検知層４の厚み方向にガス透過性を有するように構成され、かつ金属酸化物半導体とは異なる無機酸化物を含み、基体１５上に、ガス検知層４と接触しつつガス検知層４における電気的特性の変化を検出するための一対の検知電極６と、ガス検知層４と接触する密着層７とを備え、ガス検知層４と密着層７との界面の少なくとも一部には、ガス検知層４の最外側粒子４ａよりも内側の粒子４ｂと密着層７との間を接続するようにして、無機酸化物を含む中間領域部２２が存在している。 （もっと読む）