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Fターム[2G046FE39]の内容

Fターム[2G046FE39]に分類される特許

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【構成】
サイズ、ドナー密度、仕事関数等が大きく異なるn型金属酸化物半導体の結晶粒子を互いに接触させ、あるいはn型金属酸化物半導体の結晶粒子と金属粒子を互いに接触させ、かつその接触界面が電極間の導電に効果的に寄与するよう充填構造を制御する。接触界面で接触電位δが発生し、これによる電子移動度の変化が随伴し、ガス濃度変化に対するセンサの抵抗変化が助長される。
【効果】
高感度な金属酸化物半導体ガスセンサが得られる。 (もっと読む)


【構成】 ガスセンサは、妨害ガスを除去するフィルタと、フィルタで処理済みのガス中の検出対象のガス成分を検出するセンサ本体とを備えている。フィルタは、ゼオライトと活性アルミナの質量比で9:1〜1:4の混合物である。
【効果】 このフィルタは、シリコーンガスの除去能力が高く、炭化水素等を吸着しない。 (もっと読む)


【課題】 湿度センサを用いることなく、測定雰囲気の湿度に応じたガス感度補正を容易に行うことのできる熱線型半導体式センサの感度補正方法、および、熱線型半導体式センサを具え、信頼性の高いガス検知を効率よく行うことのできるポータブル型ガス検知器を提供すること。
【解決手段】 測定雰囲気の湿度に応じた熱線型半導体式ガスセンサのガス感度の、基準湿度における当該熱線型半導体式ガスセンサの基準ガス感度に対するガス感度比の、測定雰囲気の湿度と基準湿度との湿度差による変動量と、測定雰囲気において検知対象ガスが含まれないガスが導入されることにより取得されるゼロ出力値と基準湿度のゼロ校正用ガスによるゼロ校正値との差で示されるゼロ出力変動量とが比例関係にあることを利用して、熱線型半導体式ガスセンサの基準ガス感度を補正する。ポータブル型ガス検知器は、上記ガス感度補正を行うガス感度補正機構を有する。 (もっと読む)


【課題】ガス感応膜を挟む電極間のギャップを容易に非常に小さく形成することができるとともに、ガス感応膜が外気と接触できる面積及び電極がガス感応膜に対して接触できる面積を両方とも大きくとることができ、製造が容易でセンサ感度の優れた半導体ガスセンサを提供する。
【解決手段】電極層1、3、5、と、金属酸化物半導体からなるガス感応膜層2、4とが交互に複数回積層された積層体9を有する半導体ガスセンサであって、少なくとも1つのガス感応膜層4の両面を挟む2つの電極層3、5について、当該ガス感応膜層4の各面の略全域にわたって、金属からなる電極部31、51と、厚さ方向に貫通する空隙部32、52とを交互に形成した。 (もっと読む)


【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】薄膜ガスセンサ10は、Si基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ30と、感ガス膜70と、ヒータ電極用中間膜層42,43と薄膜ヒータ電極40,41とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層52,53と感ガス膜電極50,51を含む感ガス膜電極部と、薄膜ヒータ電極40,41を覆う酸化防止保護膜60と、酸化防止保護膜60と薄膜ヒータ電極40,41との間にTiNを含む保護膜用中間膜層80,81を有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層42,43はTiNまたはTaNを含み、感ガス膜電極用中間膜層52,53は、TiO2またはTa25またはAl23の少なくとも1つを含む。 (もっと読む)


【課題】検出部に半導体ガスセンサを使用するとともにキャリアガスに大気を使用して試料ガス中の可燃性ガス成分を正確に測定することが可能な可燃性ガス測定方法及び装置を提供する。
【解決手段】キャリアガスに搬送される試料ガス中の可燃性ガス成分を、検出部に半導体ガスセンサを用いたガスクロマトグラフによって測定する方法において、大気吸引部21から大気を取り込んで触媒筒23での金属触媒との触媒反応により大気中の可燃性ガスを燃焼させた後、燃焼によって生じた成分及び大気中に含まれる水分及び二酸化炭素を精製器24で除去して精製大気とし、この精製大気をガスクロマトグラフのキャリアガスとして用いる。 (もっと読む)


【構成】 MEMSガスセンサを用いてガスを検出する。ガスセンサのヒータへの電力を、低レベルと、検出対象ガスの検出に適した高レベルと、0レベルとの間で変化させることにより、低レベルで被毒ガスを蒸発もしくは酸化し、高レベルで検出対象ガスを検出する。
【効果】 MEMSガスセンサの被毒を防止する。 (もっと読む)


【構成】
MEMSガスセンサは、シリコン基板に設けた絶縁膜に、SnO2膜とヒータ膜とを設けると共に、SnO2へ到達するガスを処理するフィルタと備えている。電源によりヒータ膜に電力を供給し、SnO2膜を間欠的にかつパルス的に可燃性ガスの検出温度へ加熱し、可燃性ガスを検出すると共に、100〜200℃の被毒ガスの除去温度へSnO2膜を間欠的に加熱する。
【効果】 フィルタを通過した被毒ガスによる被毒を防止できる。 (もっと読む)


【課題】ガス種の判定ロジックを改良し、検知性能を維持しつつ低消費電力化を実現しようとするガス検知装置を提供する。
【解決手段】通常時にあっては干渉ガスまたは検知対象ガスの有無を検知する温度となるように加熱してガス感知層の電気抵抗特性に基づいて干渉ガスまたは検知対象ガスが含まれるか否かを判定し、さらに干渉ガスまたは検知対象ガスが含まれる場合には干渉ガスを燃焼させる温度であってガス感知層が検知対象ガスのみを検知する温度となるように加熱してガス感知層の電気抵抗特性に基づいて検知対象ガスの有無または濃度を判定するガス検知装置とした。 (もっと読む)


【課題】本発明は、十分な機械的強度を備え、かつ、安定で、信頼性の高い薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】電気絶縁層上に形成されるガス感知層を備える薄膜ガスセンサであって、前記ガス感知層が、前記電気絶縁層上に形成される一対の感知電極層と、該一対の感知電極層の一部を覆うように、かつ、該一対の感知電極層の両方に渡って形成される感知層と、前記感知電極層及び該感知層を覆うように形成される選択燃焼層とを含み、前記選択燃焼層に含まれるバインダの粒径が、前記感知層を構成するSnOの粒径及び前記選択燃焼層を構成する金属酸化物の粒径よりも小さいことを特徴とする薄膜ガスセンサを提供する。 (もっと読む)


【課題】ガス感応部の電気抵抗を小さくして、被検知ガスに対して高感度となる半導体式ガス検知素子を提供する。
【解決手段】貴金属線にガス感応部を設けた半導体式ガス検知素子であって、ガス感応部は、酸化スズに、アンチモンを0.8mol%以下の範囲、セリウムを0.8mol%以下の範囲で、固溶させてある。 (もっと読む)


【構成】
ガスセンサは、半導体チップと、通気性のあるセラミックもしくはガラスのパッケージとから成る。半導体チップは、半導体チップの一面に設けられた絶縁膜と、絶縁膜と半導体チップとを貫通するキャビティと、絶縁膜に設けられた感ガス部と、感ガス部に接続されたパッド、とを備えている。パッケージは、半導体チップのパッドとバンプを介してフリップチップ接続されたパッドと、パッケージのパッドからパッケージの他の面まで引き出された配線、とを備えている。
【効果】 雰囲気は感ガス部側から半導体チップ内を貫通でき、チップをフリップチップ接続するとパッケージに組み付けることができ、パッケージ以外のカバーが不要である。 (もっと読む)


【構成】
半導体チップの中空部に感ガス部を設けると共に、感ガス部に接続された複数のパッドを設ける。通気性のあるセラミックパッケージもしくはガラスパッケージの、半導体チップ側の面とその反対面とに配線を設けて、互いに接続する。パッケージのチップ側の面の配線に複数のパッドをフリップチップ接続する。
【効果】
ダイボンドもワイヤボンドも無しに、MEMS型ガスセンサをプリント基板へ組み付けることができる。 (もっと読む)


【課題】燃焼プロセス排ガス等の多成分ガス系に含まれる窒素酸化物、炭化水素、一酸化炭素、酸素等を直接検知可能な化学センサーアレイ及び方法を提供する。
【解決手段】(i)少なくとも2つの化学/電気活性材料のアレイを含んでなる化学センサーを多成分ガス系に暴露する工程、応答を検出する工程、各化学/電気活性材料の応答を直接測定する工程とを含んでなる。化学/電気活性材料は半導体材料である。測定される応答は、静電容量、電圧、電流、ACインピーダンスまたは、DC抵抗値である。 (もっと読む)


【課題】ウエハをメタルマスクで覆ってスパッタリングを行う際に、ウエハを覆うメタルマスクの位置を精度良く定めることができるダイヤフラム構造体を有する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化性ガスを検知するガスセンサ素子の製造工程において、周知の方法によりシリコンウエハ100の第二面101に電極50,発熱体40等を形成した後に、第一面102に、空洞部12と、メタルマスクを保持する保持部材を取り付ける孔部70を形成するための空洞部14のパターニングを行う。そして、エッチング処理を行い空洞部12,14を形成し(図3(a)参照)、空洞部14の底部をなす絶縁層20を針等の貫通部材で貫通することにより、シリコンウエハ100のデッドスペースに孔部70を形成する(図3(b)参照)。 (もっと読む)


【課題】衝撃や振動等によるダイヤフラム構造体上に設けられた層状部の剥離を抑制すると共に、生産性に優れたガスセンサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム構造体39D、49Dと、ダイヤフラム構造体の絶縁層上に形成されたガス検知層を含む層状部31、41と、ガス検知層を介して互いに接続する一対の検知電極36A,36B、46A,46Bと、電極取出し辺3P、4Pに沿って設置されて検知電極に接続する一対の検知パッド33、43とを有するガス検出素子3、4と、検知パッドに接続する基板側パッド23が表面に形成され、複数のガス検出素子が一列に並ぶよう実装された配線基板2とを備え、ガス検出素子の下面R1と配線基板の表面との間に介装される第1接着層61,62と、隣接するガス検出素子の下面R2同士を跨ぐように当該下面と配線基板の表面との間に介装される第2接着層63とを備えるガスセンサ10である。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能であると共に検出開始時並びに検出対象ガスの濃度変化時の応答性に優れるガス検出装置を提供する。
【解決手段】ガス検出装置1は、支持体2、リード線51,52,53、センサ素子6、及び有孔の防曝部材7を備える。前記支持体2は、絶縁性の部材と、この部材の表面上に形成された導体配線とを有し、且つ外部へ開口する配置空間8が形成される。前記リード線51,52,53は、前記導体配線に接続されて、前記支持体2から前記配置空間8へ突出する。前記センサ素子6は前記配置空間8内で前記リード線51,52,53によって支持されると共に前記リード線51,52,53に電気的に接続される。前記防曝部材7が前記配置空間8を覆っている。 (もっと読む)


【課題】簡易な方法で、ガス中のフタル酸ジアルキルを検出できるガスセンサ及びガス検出方法を提供する。
【解決手段】メソポーラスシリカを充填した捕集カラム1と、捕集カラム1を加熱する加熱装置2と、SnOを主成分としてなる金属酸化物の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されたセンサ素子4と、センサ素子4の電気抵抗値を測定する検出器5と、測定すべき空間から採取された空気を試料ガスとして、捕集カラム1に流通させると共に、同空気を脱離用ガスとして、捕集カラム1及び前記センサ素子4に流通させる空気流通手段とを備えているガスセンサを用いてガス中のフタル酸ジアルキルを検出する。 (もっと読む)


【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】 薄膜ガスセンサ10は、Si基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ30と、感ガス膜70と、ヒータ電極用中間膜層42,43と薄膜ヒータ電極40,41とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層52,53と感ガス膜電極50,51を含む感ガス膜電極部とを有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層42,43はTiNまたはTaNを含み、感ガス膜電極用中間膜層52,53は、TiO2またはTa25またはAl23の少なくとも1つを含む。 (もっと読む)


【課題】使用状況に応じてヒートクリーニング期間を調整することで使い勝手を向上させた呼気成分測定装置を提供する。
【解決手段】ガスセンサ2は、金属酸化物半導体からなる感ガス体20及び感ガス体20内に埋設されたヒータ兼用電極21を具備し、呼気吹込口から吹き込まれた呼気が感ガス体20に接触するように測定器本体内に収納される。マイコン7は、ヒータ兼用電極21への通電を制御し、測定開始操作が行われると感ガス体20の温度を高温にしてヒートクリーニングを行った後、感ガス体20の温度を低温状態とし、この測定期間に呼気が吹き込まれると、感ガス体20の抵抗値から呼気中の検知対象ガス成分のガス濃度を測定する。マイコン7は、ヒートクリーニングの開始時から所定時間が経過するまで感ガス体20の抵抗値の二次微分値を求め、二次微分値が大きいほどヒートクリーニング時間が短くなるように、ヒートクリーニング時間を設定する。 (もっと読む)


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