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Fターム[2G046FE46]の内容

Fターム[2G046FE46]に分類される特許

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【課題】ガス感応膜を挟む電極間のギャップを容易に非常に小さく形成することができるとともに、ガス感応膜が外気と接触できる面積及び電極がガス感応膜に対して接触できる面積を両方とも大きくとることができ、製造が容易でセンサ感度の優れた半導体ガスセンサを提供する。
【解決手段】電極層1、3、5、と、金属酸化物半導体からなるガス感応膜層2、4とが交互に複数回積層された積層体9を有する半導体ガスセンサであって、少なくとも1つのガス感応膜層4の両面を挟む2つの電極層3、5について、当該ガス感応膜層4の各面の略全域にわたって、金属からなる電極部31、51と、厚さ方向に貫通する空隙部32、52とを交互に形成した。 (もっと読む)


【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】薄膜ガスセンサ10は、Si基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ30と、感ガス膜70と、ヒータ電極用中間膜層42,43と薄膜ヒータ電極40,41とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層52,53と感ガス膜電極50,51を含む感ガス膜電極部と、薄膜ヒータ電極40,41を覆う酸化防止保護膜60と、酸化防止保護膜60と薄膜ヒータ電極40,41との間にTiNを含む保護膜用中間膜層80,81を有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層42,43はTiNまたはTaNを含み、感ガス膜電極用中間膜層52,53は、TiO2またはTa25またはAl23の少なくとも1つを含む。 (もっと読む)


【課題】燃焼プロセス排ガス等の多成分ガス系に含まれる窒素酸化物、炭化水素、一酸化炭素、酸素等を直接検知可能な化学センサーアレイ及び方法を提供する。
【解決手段】(i)少なくとも2つの化学/電気活性材料のアレイを含んでなる化学センサーを多成分ガス系に暴露する工程、応答を検出する工程、各化学/電気活性材料の応答を直接測定する工程とを含んでなる。化学/電気活性材料は半導体材料である。測定される応答は、静電容量、電圧、電流、ACインピーダンスまたは、DC抵抗値である。 (もっと読む)


【課題】衝撃や振動等によるダイヤフラム構造体上に設けられた層状部の剥離を抑制すると共に、生産性に優れたガスセンサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム構造体39D、49Dと、ダイヤフラム構造体の絶縁層上に形成されたガス検知層を含む層状部31、41と、ガス検知層を介して互いに接続する一対の検知電極36A,36B、46A,46Bと、電極取出し辺3P、4Pに沿って設置されて検知電極に接続する一対の検知パッド33、43とを有するガス検出素子3、4と、検知パッドに接続する基板側パッド23が表面に形成され、複数のガス検出素子が一列に並ぶよう実装された配線基板2とを備え、ガス検出素子の下面R1と配線基板の表面との間に介装される第1接着層61,62と、隣接するガス検出素子の下面R2同士を跨ぐように当該下面と配線基板の表面との間に介装される第2接着層63とを備えるガスセンサ10である。 (もっと読む)


【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】 薄膜ガスセンサ10は、Si基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ30と、感ガス膜70と、ヒータ電極用中間膜層42,43と薄膜ヒータ電極40,41とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層52,53と感ガス膜電極50,51を含む感ガス膜電極部とを有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層42,43はTiNまたはTaNを含み、感ガス膜電極用中間膜層52,53は、TiO2またはTa25またはAl23の少なくとも1つを含む。 (もっと読む)


【課題】電池駆動型であって、感知薄膜にクラックが生じることなく信頼性が高く、消費電力が低減された薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】貫通孔を有する基板と、貫通孔を有する基板と、前記基板の第一の表面に接し、前記貫通孔の開口部を覆うように設けられた支持絶縁薄膜と、前記支持絶縁薄膜の反基板側表面上に設けられる薄膜ヒータと、支持絶縁薄膜およびヒータ層を覆うように設けられる層間絶縁膜と、さらに前記層間絶縁膜の上に形成された、金属電極とガス感知薄膜とを有し、前記金属電極とガス感知薄膜とが選択燃焼層で覆われた薄膜ガスセンサにおいて、前記ガス感知薄膜がグラフェン薄膜からなるものとする。 (もっと読む)


本発明に従い新規な水素センサーの製造方法が提供されるが、該方法は、弾性基板の表面に遷移金属またはその合金薄膜を形成するステップと、上記弾性基板に引張力を印加して、上記基板表面に形成された上記合金薄膜に複数のナノギャップを形成するステップと、を含み、上記薄膜への上記ナノギャップは、上記引張力の印加時には上記薄膜が該引張力の印加方向に伸長すると共に該印加方向に対して垂直方向に収縮し、該引張力を解除すると上記薄膜が該印加方向に収縮すると共に該印加方向に対して垂直方向に伸長することにより形成されることを特徴とする。
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【課題】検出感度を向上することができるガスセンサ用基板、ガスセンサ用パッケージ、およびガスセンサを提供する。
【解決手段】触媒5と検出対象ガスとの接触に起因する触媒反応により発熱反応が生じ、この発熱反応により発生する熱によって発熱抵抗体8の抵抗値が変化し、この抵抗値の変化に基づいて検出対象ガスを検知するガスセンサ1に用いられるガスセンサ用基板7であって、触媒5を担持するための担持部71が設けられた基板72を備え、発熱抵抗体8は、担持部71の近傍の基板72に設けられており、基板72には、触媒5の発熱反応により発生した熱によって発熱抵抗体8の温度を上昇させるための切欠部Cが形成されている。 (もっと読む)


【課題】高感度、長寿命という優れた特徴を有するガス感知体を、さらには、ガス選択性を容易に付与することが可能なガス感知体を、容易に製造することができるガス感知体の製造方法及びガス感知体並びにガスセンサを提供する。
【解決手段】本発明のガス感知体の製造方法は、半導体微粒子を含む分散液から分散媒を除去することにより、未焼結状態の半導体微粒子堆積物を生成し、次いで、この半導体微粒子堆積物に絶縁性物質形成成分を含む溶液を浸透させて絶縁性物質形成成分から絶縁性物質を生成させ、半導体微粒子及び絶縁性物質を含むガス感知体を得る。 (もっと読む)


【課題】数ppbレベルの低濃度NOを高感度に検出することが可能なガスセンサを提供する。
【解決手段】内部にサンプルガスが通過可能な間隙が形成されており、少なくとも前記間隙の表面に銀が表出している銀触媒部材4と、n型酸化物半導体からなるガス感応膜が形成されている第1の半導体式ガスセンサ素子5と、前記銀触媒部材と前記第1の半導体式ガスセンサ素子とを連通して、前記銀触媒部材から前記第1の半導体式ガスセンサ素子に向かう方向へサンプルガスを流通させる主流路2とを少なくとも備えているようにした。 (もっと読む)


【課題】使用状況下での時間経過に伴いガス検出素子の特性変化(劣化)が生じる場合であっても、検出対象ガスのガス検出精度の低下を抑制するガス検出装置を提供する。
【解決手段】ガス検出装置150は、劣化判定処理(S140)にてD素子3が劣化状態であると判定された場合には、ガス検知性能設定処理(S150)において、ガス検知判定処理(S160)でのガス検出感度を上げるための補正処理を行う。このようにしてガス検出感度(酸化性ガス検知閾値Td)の補正処理を行うことで、D素子3が劣化して酸化性ガス検出時における電気的特性の正方向への変化量が減少した場合であっても、ガス検知判定処理(S160)での判定精度が低下するのを抑制できる。ガス検出装置150によれば、使用状況下での時間経過に伴い酸化性ガス用ガスセンサ素子3の特性変化(劣化)が生じる場合であっても、検出対象ガスの検出精度が低下するのを抑制できる。 (もっと読む)


【課題】室温で動作し水素ガスに対する応答速度が速い水素ガスセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水素ガスの検知部となる酸化タングステン膜2と、前記酸化タングステン膜2の前記水素ガスと接触する側の面に設けられた一対の電極3と、前記酸化タングステン膜2の前記水素ガスと接触する側の面に間隔をあけて設けられ前記水素ガスを解離する触媒となる金属微粒子4とを有する水素ガスセンサとする。 (もっと読む)


【課題】ダイヤフラム部に生じる歪(熱による歪・割れによって生じた歪)を検出し、故障を自己診断するようにして、検出特性の変化により発生する事故の未然防止に寄与する薄膜ガスセンサを提供する。更にこのような薄膜ガスセンサを製造する薄膜ガスセンサの製造方法も併せて提供する。
【解決手段】ダイヤフラム部の上に歪感知層81を4個配置し、さらにホイートストンブリッジ回路を形成する。これにより、ピエゾ抵抗素子として機能する歪感知層81によりダイヤフラム部の歪を抵抗値の変化として検出することが可能になる。また、歪感知層81はガス感知層53と同じ材料とし、歪感知層81とガス感知層53とを同時に形成するため工数低減が可能となる。 (もっと読む)


【課題】SnOを主成分とするガス検知層の被毒耐性を高め、感度を確保し、長期間の使用に対する耐久性を得ることのできるガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ1の製造過程において、ガス検知層8を形成する際に、単に、純度の高い原材料を用いてSnOを調製するだけでなく、使用する器具や装置を厳選し、それらの使用方法や手順についても十分に注意を払い、不純物、特にFe、Pb、およびBiのSnOへの混入を抑制する。その結果、Fe、Pb、およびBiの合計の含有量を、SnOとFe、Pb、およびBiの合計量に対し、0.030質量%未満に抑えたガス検知層8を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】ガス検出部がシロキサン化合物によりシロキサン被毒状態にあるか否かを判定し、所定濃度の検出対象ガスの存在の検出及び警報を正確に行うことを可能とし、シロキサン被毒によるセンサ故障を早期に認識するガス検出装置、これを備えた機器を提供する。
【解決手段】検出対象ガスに感応して電気抵抗値が変化するガス検出部を高温作動状態と低温作動状態とに切り換えるように又は高温作動状態のみに加熱部の作動を制御するとともに、高温作動状態にあるガス検出部の第1電気抵抗値に基づいて可燃性ガスを検出する制御部を備えたガス検出装置で、加熱されたガス検出部の温度が高温作動状態においてガス検出部の雰囲気中のシロキサン化合物がガス検出部を被毒することがある温度であり、制御部により検出された第1電気抵抗値の低下する低下状態が所定期間継続した場合に、ガス検出部の表面がシロキサン化合物による被毒状態であると判定する判定部を備えた。 (もっと読む)


感度、選択性および長時間安全性を向上させることができる薄膜型高活性ガスセンサーを開示する。また、その薄膜型高活性ガスセンサーの製造方法であって、製造工程の単純化、薄膜化および小型化を図ることができるものを開示する。 (もっと読む)


【課題】サージ電圧等の印加に対しても破壊されることがなく、安定で信頼性の高い薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】図は薄膜ガスセンサの平面図であり、感知膜電極7間にバリスタ(R)等の非直線性抵抗素子を形成した例である。つまり、感知膜電極7を形成する際に、ニードル状に突起のあるパターンを図示のように対向させる。そして、上層のSnO2層を形成する際に、図示のようにSnO2を形成する部分に窓開けし、ここにバリスタ(R)等の非直線性抵抗素子10を形成したものである。 (もっと読む)


【解決課題】 粉末材料の安定供給とプラズマ中での速やかな加熱・溶融・蒸発とを、同時に満たすことができるプラズマスプレーPVD用粉末、かかる粉末を用いた堆積膜の製造方法、ならびに、堆積膜を提供する。
【解決手段】 1次粒子の少なくとも一部の粒子が融着してなる2次粒子を含むプラズマスプレーPVD用粉末であって、該プラズマスプレーPVD用粉末のBET比表面積が、前記2次粒子の平均粒子径から算出した外部比表面積の100倍以上15000倍以下であるプラズマスプレーPVD用粉末。 (もっと読む)


【課題】 電池駆動が可能で、水素と区別してメタンを選択的に検出でき、経時安定性の高いガスセンサを提供する。
【構成】 シリコン基板に設けた空洞上へ突き出した 支持層上に、ヒータ層と電極層とを設けて、ガス検出用の金属酸化物半導体膜で被覆する。金属酸化物半導体膜は、酸化第2スズと、酸化第2スズ100重量部当たり1〜6重量部のPtとを含み、膜厚が5〜40μmの第1層と、酸化第2スズと、酸化第2スズ100重量部当たり1〜6重量部のPdとを含み、膜厚が15〜60μmで、前記第1層を被覆する第2層とからなり、第1層と第2層との膜厚の合計が20〜80μmである。 (もっと読む)


【課題】不活性ガス中の低濃度の有機溶媒の濃度を継続的に検出する方法、不活性ガス中の有機溶媒の濃度を低濃度に調整する方法、不活性ガス中の有機溶媒の濃度を継続的に検出する装置、湿式法による有機デバイスの製造方法の提供。
【解決手段】ガス検出装置で不活性ガス中の有機溶媒ガスの濃度を検出する方法であって、
前記ガス検出装置に前記有機溶媒ガスを含んだ前記不活性ガス及び酸素ガス、又は酸化性ガスを供給し、前記有機溶媒ガスの濃度を検出することを特徴とする不活性ガス中の有機溶媒ガス濃度の検出方法。 (もっと読む)


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