【課題】微細な欠陥の検出を容易に行うことができるパターン検査装置、およびパターン検査方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係るパターン検査装置は、被検査体に向けて光を出射する光源と、前記被検査体からの光を検出する検出部と、前記検出部からの出力に基づいてパターン検査を行う検査部と、を備えている。そして、前記光源は、前記光の波長を変化させる。また、前記検査部は、前記検出部からの出力に基づいて回折像を作成し、最も鮮明な回折像に関する光の波長と、対比する回折像に関する光の波長と、を比較することで、前記パターン検査を行う。 （もっと読む）

【課題】高アスペクトの深溝パターンに存在する欠陥を高い精度で検出できる欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】実施形態の欠陥検査装置は、照射手段と、加震手段と、検出手段と、判定手段とを持つ。前記照射手段は、複数のパターンが形成された基体に光を照射する。前記加振手段は、欠陥が存在しない場合の前記パターンの固有振動数で前記基体を振動させる。前記検出手段は、振動させられている前記基体から発生する光を検出する。前記判定手段は、前記検出手段からの信号を処理して前記散乱光による前記基体の画像を生成し、前記複数のパターンのそれぞれの間で揺れ方の相違があるかどうかを検査し、検査結果から欠陥の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】現在の手動検査プロセスを置き換える自動化検査システムおよび方法を提供すること。
【解決手段】自動化欠陥検査システム（１０）が発明され、これはパターン化されたウェハ、全ウェハ、破損ウェハ、部分ウェハ、ワッフルパック、ＭＣＭなどを検査するために使用される。この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 （もっと読む）

【課題】ＳＮ比の高い欠陥検出を行うことができる欠陥検査装置を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る欠陥検査装置は、被検査体上の画像を検出する検出部と、前記検出部からの出力に基づいて、欠陥部分の断面プロファイルを演算する特徴量演算部と、前記演算された断面プロファイルを再サンプリングして再構成する再サンプリング部と、前記再構成された断面プロファイルと、テンプレート画像とのパターンマッチングを行う積和演算部と、前記パターンマッチングの結果を閾値を用いて判定する判定部と、を備えている。そして、前記再サンプリング部は、前記演算された断面プロファイルにおける重心を求め、求められた重心を中心画素として前記断面プロファイルを再サンプリングして再構成する。 （もっと読む）

【課題】パターンの重要度を考慮しつつ効率的な欠陥検査を可能にする欠陥検査方法およびプログラムを提供する。
【解決手段】欠陥検査方法は、走査対象領域を特定する手順と、走査効率を算出する手順と、走査対象領域を優先順位付けする手順と、走査線の走査経路を決定する手順と、決定された前記走査経路に従って前記走査線を走査させる手順と、を持つ。走査対象領域は、検査対象領域を走査するための複数の走査線からなる予備的走査経路を設定し、設定された前記予備的走査経路を用いて特定される。走査効率は、特定された前記走査対象領域のそれぞれについて算出される。前記走査対象領域の優先順位付けは、得られた前記走査効率から行われる。走査線の走査経路は、得られた前記優先順位から前記複数の走査線の一部を間引いて決定される。 （もっと読む）

【課題】マルチコアプロセッサ１２を用いても画像処理の処理性能をスケーラブルに向上させることが可能な欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】表面にパターンが形成された試料を撮像する撮像手段と、撮像手段で撮像された画像データを、複数の画像ブロックに分割する分割手段４ｂと、複数の画像ブロックに対してパターンの欠陥を検出する欠陥検出処理を並列に行う並列処理手段５とを備え、並列処理手段５には複数のコア１３、１４を有するマルチコアプロセッサ１２を複数使用する。マルチコアプロセッサ１２毎に、画像ブロックの欠陥検出処理が行われる。複数のコア１３、１４は、画像ブロックの欠陥検出処理を行う演算コア１３と、画像ブロックを分割手段４ｂから受信する制御コア１４とを有し、演算コア１３が欠陥検出処理を行う画像ブロックは、制御コア１４を介して用意される。 （もっと読む）

【課題】不良と判定される欠陥を内在する半導体基板のウェハプロセスにおける製造効率を向上させ、良品率を向上させる。
【解決手段】ウェハ１を搬送してウェハ支持台４へ載置するための搬送装置３と、該ウェハ支持台４の位置を可変制御する駆動装置１４と、該ウェハ１が載置される前記支持台４の位置の可変制御により、ウェハ１の上部に配設される照射光８を前記ウェハ１表面に走査させながら照射する光照射部６と該光照射部６に照射光８を供給する光源７と、前記ウェハ１表面からの散乱光９を検出する第１受光検出部１３とウェハ１の透過光を検出する第２受光検出部１０と、該受光検出部からの信号を受けて演算処理する演算部１１と該演算部１１からの信号を受けて画像として出力するモニター１２とを含む半導体基板の欠陥検査装置。 （もっと読む）

【課題】被検査試料に形成されたパターンの位置ずれマップを高精度に作成する装置を提供する。
【解決手段】位置ずれマップ作成装置２００は、被検査試料から取得された光学画像と参照画像との間での位置ずれ量に基づいた位置ずれマップ（１）に対し、ワイドパスフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＢを作成するＷＰフィルタ処理部５６と、ローパスフィルタ処理をおこなって位置ずれ量マップＣを作成するＬＰフィルタ処理部５８と、座標計測装置で計測された複数の位置計測用パターンの各パターンの位置の位置ずれ量に基づく位置ずれマップ（２）に対し、ＬＰフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＣを作成するＬＰフィルタ処理部６４と、位置ずれマップＡと位置ずれマップＢの差分に位置ずれマップＣを加算することによって合成して位置ずれマップＤを作成する合成部６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハの構造や欠陥がばらついて適切な波長が変化しても欠陥を精度よく検出でき、かつ、スループットが速いパターン検査装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、パターン検出装置は、光を発生する光源と、前記光をラインビームに整形してウエハ上に照射する集光器とを備える。さらに、前記装置は、前記ウエハで反射した前記ラインビームを分光する分光器を備える。さらに、前記装置は、前記分光器により分光された前記ラインビームを検出し、前記ラインビームのスペクトル情報を保持する信号を出力する二次元検出器を備える。さらに、前記装置は、前記ウエハ上の繰り返しパターンの対応箇所から得られた前記スペクトル情報を比較する比較部と、前記スペクトル情報の比較結果に基づいて、前記ウエハの欠陥の有無を判定する判定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】解決しようとする課題は、面積が広くなり高密度化された試料の表面形状の測定に際して、高速化及び高精度化である。
【解決手段】表面検査装置は、第１照射部から照射される第１の照射方向からの照射光と、第２照射部から照射される第２の照射方向からの照射光とを照射方向を切り替えて、それぞれの照射部から照射された第１波長の光を試料の一面で反射させて、また、第２波長の光を試料保持部の一面側に取付け固定された光学部材で反射させ、双方から反射された光に基づいて生成された第１輝度データ及び第２輝度データを用いて試料表面の形状を算出するものである。 （もっと読む）

【課題】基板上のパターンに損傷を与えることなく欠陥検査を行うことができる欠陥検査装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の欠陥検査装置は、半導体基板を測定光学系によって表面観察し、観察結果に基づいて前記半導体基板の欠陥検査を行う基板検査部を備えている。また、前記欠陥検査装置は、前記測定光学系のうち前記表面観察を行う際に前記半導体基板の表面に近接する底部近傍を撮像し、撮像した画像である第１の撮像画像を用いて前記底部近傍の状態検査を行う測定光学系検査部を備えている。前記測定光学系検査部は、前記基板検査部が前記半導体基板の欠陥検査を行っていない間に、前記底部近傍の状態検査を行う。また、前記測定光学系検査部は、前記状態検査の基準となる基準画像と、前記第１の撮像画像と、を比較し、比較結果に基づいて、前記底部近傍の状態検査を行う。 （もっと読む）

【課題】
繰り返しパターンと非繰り返しパターンとが混在する被検査対象基板に対して、微小な異物または欠陥を高速で、しかも高精度に検査できる欠陥検査装置を実現する。
【解決手段】
異物付着防止手段１８０は、透明基板１８７が枠１８５を介して載置台３４の上に設置される。異物付着防止手段１８０はベース１８６上に固定された２本の支柱１８４に回転可能に支持されたシャフト１８１がカップリング１８３でモータ１８２に連結されている。そして、２本に支柱１８４の間で、枠１８５の一部にシャフト１８１が挿入され、枠１８５及び透明基板１８７がシャフト１８１を中心として回動できるように構成されている。つまり、枠１８５全体がシャフト１８１を軸としてＺ方向に開閉する構造になっており、枠１８５及び透明基板１８７により、載置台３４上のウェハ１を覆うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上を検査装置により検出した欠陥座標の観察と，ユーザにより指定された座標の検査を行う場合に，スループットの低下しない欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ上の座標であって、システマティック欠陥が発生し得る座標である危険点座標と検査結果から取得した半導体ウェハ上の座標である欠陥検査座標と、前記危険点座標と前記欠陥検査座標とを座標の種類を示す情報を付加した上でマージし、マージした座標の検査順序を決定し、マージした座標の種類を示す情報を用いて選択し、検査すべき座標ごとに複数の検査装置から検査方法を選択して検査を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】
表面検査装置では、より粒径の小さいＰＳＬを使用することで、より小さい欠陥を検査することが可能となる。しかし、ＰＳＬの粒径は、有限である。このことから、従来の表面検査装置では、近い将来に半導体製造工程の検査で必要となるＰＳＬに設定の無いほど小さい粒径の欠陥をどのように検査するかということに関しては配慮がなされていなかった。
【解決手段】
本発明は、被検査物体で散乱，回折、または反射された光の、波長，光量，光量の時間変化、および偏光の少なくとも１つを模擬した光を発生する光源装置を有し、前記光を表面検査装置の光検出器に入射させるより微小な欠陥を検査することができる。 （もっと読む）

【課題】 反射画像と透過画像とを同時に同じ位置で撮影することができる太陽電池セル検査装置を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ２の第一面に向かって可視光を照射する第一照射部４と、半導体ウエハ２で反射した可視光を受光することにより、半導体ウエハ２の反射画像を取得する第一撮像部５と、半導体ウエハ２の第一面に対向する第二面に向かって赤外光を照射する第二照射部６と、半導体ウエハ２を透過した赤外光を受光することにより、半導体ウエハ２の透過画像を取得する第二撮像部７と、反射画像及び透過画像に基づいて、半導体ウエハ２に欠陥があるか否かを判定する判定部２１ｄとを備える太陽電池セル検査装置１であって、第一撮像部５及び第二撮像部７との間に配置されるビームスプリッタ１１を備え、ビームスプリッタ１１は、設定波長未満の光を第一撮像部５に導くとともに、設定波長以上の光を第二撮像部７に導くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】照明光学系を用いた検査で表面の透明薄膜状異物を容易に検査することができる表面異物検査方法を提供する。
【解決手段】白色光光源３からウエーハ１０の上面に白色光を照射し、前記ウエーハ１０の前記上面のうち前記白色光が照射される領域内に透明異物１２ａが存在する場合に、透明異物１２において光干渉による暗部を生じさせる入射角θで単色光を単色光光源４から前記ウエーハ１０に照射し、前記ウエーハ１０の前記上面のうち前記単色光の前記暗部において反射する白色光と、前記上面において反射する前記単色光を共通の受光素子５で受光することを特徴とする表面異物検査方法。 （もっと読む）

【課題】散乱光の空間分布がマイクロラフネスの差異に応じて、前方／後方／側方と色々な方向に変化することについて配慮し、特にエピタキシャル成長ウェハに出現するステップ・テラス構造は散乱光分布に異方性が生じることに配慮した表面形状計測装置を提供する。
【解決手段】試料１表面に光を照明し、光軸の方向が互いに異なる複数の検出光学系５１，５２により散乱光の空間分布を検出し、試料１表面の空間周波数スペクトルを算出する。 （もっと読む）

【課題】疑似位相整合型の波長変換光学素子におけるフォトリフラクティブ効果を抑制し得る手法を提供し、同効果に起因した問題を解決可能なレーザ装置等を提供する。
【解決手段】レーザ装置ＬＳは、レーザ光を出力するレーザ光出力部１と、レーザ光出力部から出力されたレーザ光を波長変換して出力する波長変換部３とを備える。波長変換部３には、波長λのレーザ光を波長λ／２のレーザ光に波長変換する疑似位相整合型の波長変換光学素子３１を備え、この波長変換光学素子３１の入射面及び出射面の少なくともいずれかに、波長がλ〜λ／ｎ（ｎ≧３）の光の反射率を低減する反射率低減コーティングが施されて構成される。 （もっと読む）

【課題】パターン段差の小さいウエハなど、明視野観察では十分なコントラストが得られない試料に対してコントラストの高い画像の観察又は撮像を可能にする。
【解決手段】撮像に用いる対物レンズを通して試料を照明し、撮像光学系に開口フィルタを設けて、明視野観察成分の光を大幅に減衰させて撮像する。 （もっと読む）

【課題】従来技術では、欠陥の寸法を得ることは開示している。しかし、欠陥の寸法をより正確に得るためには、基板からの光を検出するセンサの状態を考慮しなければならないことについては、配慮が成されていない。
【解決手段】本発明は、上記の課題に配慮してなされたものであり、基板からの光を検出するセンサの中から、欠陥の寸法を得るために好適な部分を選択し、さらに前記好適な部分に対応させて基板を移動させることを特徴とする。 （もっと読む）