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Fターム[2G051AA51]の内容

光学的手段による材料の調査の特殊な応用 (70,229) | 調査・分析対象 (8,670) | 半導体;CCD材料(例;ウエハ) (1,569)

Fターム[2G051AA51]に分類される特許

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【課題】結晶粒界や光学系のムラによる画像の濃淡差が発生しても内部クラックを検出することの出来るシリコンウエハ検査方法および装置を提供する。
【解決手段】赤外照明光を円偏光フィルタを用いて円偏光し、シリコンウエハに対して照射する。シリコンウエハ表面,および裏面での反射光は偏光方向が反転するため,円偏光フィルタを透過することは出来ない。
一方,内部にクラックなどの欠陥があれば照明光は乱反射するため無偏光となり,円偏光フィルタを透過することが出来るため,カメラにて撮像が可能である。このため,クラック等の欠陥で乱反射した照明光のみを撮像し画像処理装置で検出することで,クラック等の欠陥の有無を検出することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 半導体ウェーハ等の板状部材の外周エッジ部を適切に検査することを可能とした表面検査装置を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハ検査装置10は、半導体ウェーハ100の外周エッジ部分101に対向して配置される撮像レンズ22と、撮像レンズ22を介して半導体ウェーハ100の外周端面に対向して配置される撮像面24と、半導体ウェーハ100の第1外周ベベル面101bの像を撮像レンズ22を介して撮像面24に結像させるミラー12と、半導体ウェーハ100の第2外周ベベル面101cの像を撮像レンズ22を介して撮像面24に結像させるミラー14と、半導体ウェーハ100の外周端面101aの像を撮像レンズ22の中央部を介して撮像面24に結像させる補正レンズ26と、外周端面101aより第1外周ベベル面101b及び第2外周ベベル面101cの方が明るくなるように、これらを照明する照明ライトガイド灯光部18とを有する。 (もっと読む)


【課題】ウェハ上の欠陥によって散乱される光は非常に弱く、その微弱光を高速かつ高感度に測定する検出方法としてはPMTやMPPCがある。上記検出方法では、微弱光を光電変換して、電子を増倍する機能があるが、光電変換の量子効率が50%以下と低いため、信号光を損失し、S/N比を低下させるという課題がある。
【解決手段】そこで、本発明では、光電変換をする前に直接光を増幅する光増幅に着目した。光増幅とは、信号光と励起用光源の光とを希土類を添加したファイバに導入し、誘導放出を起こして信号光を増幅する増幅方法である。本発明は、この光増幅を利用することを特徴とする。また、本発明は、この増幅率を様々な条件により変えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】撮像装置により撮像された画像のコントラストを高め、視認性を向上させる。
【解決手段】基板を撮像し、当該撮像された基板画像の画素値を変換する画像処理の方法において、撮像された基板画像の画素値をヒストグラム化し、ヒストグラムにおける画素値の分布に基づいて、所定の振幅、所定の周期の三角関数からなるトーンカーブTを作成する。トーンカーブTにより、撮像された基板画像の画素値を変換することで、高コントラストな基板画像を得る。 (もっと読む)


【課題】検査対象物(例えば半導体パターン)の微細化により、検査すべき欠陥の大きさも微小化し、欠陥からの散乱光の強度が大幅に減少するが、このような欠陥からの微小な散乱光を検出するのに適した欠陥検査装置および方法を提供する。
【解決手段】表面にパターンが形成された試料100に光を照射するレーザ光源111を備える照明光学系110aと、前記照明光学系により照明された該試料から発生する光を検出するセンサ126を備える検出光学系120と、前記検出光学系により検出された光に基づく画像から欠陥を抽出する信号処理手段250と、を備え、前記検出光学系にて光を検出する間に前記センサの増幅率を動的に変化させることを特徴とする欠陥検査装置である。 (もっと読む)


【課題】出力光の吸収による位相不整合を低減して波長変換効率を向上可能なレーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明を例示する態様のレーザ装置は、第1のレーザ光L10を出力する第1レーザ光出力部10と、第1のレーザ光を波長変換して変換光L30を出力する波長変換光学素子30と、第1のレーザ光と異なる波長の第2のレーザ光L20を出力する第2レーザ光出力部20と、第2のレーザ光L20を第1のレーザ光L10と重ね合わせて波長変換光学素子30に入射させる合成光学素子31とを備える。第2のレーザ光L20は、波長変換光学素子30における第2のレーザ光L20の吸収によって発生する熱量が、波長変換光学素子における変換光L30の吸収によって発生する熱量と略等しくなるように設定される。 (もっと読む)


【課題】検査走査終了時にレビューを完了した欠陥の数を増加させることを目的とする。
【解決手段】本発明は、被検査物と検査光学系とを第1方向に相対移動させると同時に、前記検査光学系を用いて前記被検査物を撮像して第1欠陥を検出する第1欠陥検出工程と、前記被検査物と前記検査光学系とを前記第1方向と直交する第2方向に相対移動させると同時に、前記被検査物と前記検査光学系とを前記第1方向と反対方向に相対移動させる移動工程と、レビュー光学系を用いて前記第1欠陥を撮像して第2欠陥を検出する第2欠陥検出工程と、を有し、前記第1欠陥検出工程と同時に前記第2欠陥検出工程を実施し、前記移動工程と同時に前記第2欠陥検出工程を実施することを特徴とする欠陥検出方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 シート材を高速搬送させても短時間で観察画像を取得することができ、シート材が搬送方向と垂直な方向であって、前記観察部の視野内にある前記シート材の搬送方向と直交する方向(つまり、シート材の厚み方向や幅方向)にバタツキや揺動を生じたとしても、観察画像の品質及び評価の質が損われることを防ぐことができる、シート材端部の観察・評価装置及び方法を提供する。
【解決手段】 観察対象となるシート材の端部を搬送させながら観察し、
観察視野範囲の一部分を観察領域として登録し、当該領域を別個に複数登録でき、当該観察部の外部から複数の部分観察領域を選択するかを指示して、複数登録された中から一つの部分観察領域に切り替える部分観察領域切替機能を有し、
シート端部位置検出器から得られた信号に基づいて観察部に対して部分観察領域が切り替わるように信号出力する、シート材端部の観察評価装置及び方法。 (もっと読む)


【課題】
本発明をウエハ、ディスプレイパネル、磁気ディスクなど試料上に発生した欠陥の部位に対して、走査電子顕微鏡で画像を撮像しようと試みたとき、画像に欠陥が写っていないといった失敗が生じる割合を低減する。
【解決手段】
本発明は、欠陥の座標と特徴量を有する欠陥検査データを入力し(241)、欠陥毎に走査電子顕微鏡での検出可否を予測し(242)、予測結果に基づいて走査電子顕微鏡で撮像する座標をサンプリングし(243)、予測結果に基づいて加速電圧を設定した電子光学系、ないしは光学系で欠陥部位の画像を撮像する(244)。 (もっと読む)


【課題】試料に実在する欠陥に起因する輝度変化を、各種ノイズから分離して検出できる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、試料表面上に主走査方向に整列した複数個の走査スポットを形成し、試料表面の同一の部位を、主走査方向に整列したn個の走査スポットにより所定の時間間隔で順次走査する。n個の走査スポットからの反射ビームをそれぞれ光検出素子により受光する。信号処理装置は、n個の光検出素子から出力される輝度信号中に、所定の閾値を超えると共に互いに時間的又は位置的に対応する輝度変化が存在する場合、試料上に欠陥が存在するものと判定する。本発明によれば、試料表面上に形成された欠陥に起因する輝度変化は、光源ノイズや光検出器の熱雑音から分離して検出されるので、疑似欠陥が増大することなく、欠陥の検出感度を高く設定することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】開口部が周期的に形成されている半導体ウェハを検査することができる検査装置、検査方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる検査装置は、一方の面に開口部14が周期的に形成された半導体ウェハ10の検査装置であって、半導体ウェハ10の一方の面と反対側の他方の面の法線から傾斜した入射方向31に向けて光を出射し、他方の面を照明可能な照明装置22と、照明装置22から入射方向に出射された光の正反射方向の近傍位置に配置され、照明領域の長手方向に沿って配列された受光画素で半導体ウェハ10からの光を受光する検出器23と、半導体ウェハ10と照明領域の位置を相対移動して走査を行うステージ21と、を備えた検ものである。 (もっと読む)


【課題】欠陥座標に含まれている誤差を低減可能な光学式検査装置を提供する。
【解決手段】チャンネルが配列されたラインセンサと、ウエハをステージに載せてラインセンサに対して移動させる移動手段と、行列の行毎に1つ且つ列毎に1つ擬似欠陥ダイが形成され擬似欠陥ダイには複数の擬似欠陥が列方向に一列に形成されている座標管理用ウエハを検査したのを受けてチャンネル上に結像した擬似欠陥のステージ上の位置を擬似欠陥ステージ座標Xs0として検出するステージ位置検出手段と、擬似欠陥ステージ座標Xs0を擬似欠陥ダイ座標に変換する座標変換手段と、設計座標に対する擬似欠陥ダイ座標の差分ΔXを算出する差分算出手段と、擬似欠陥ステージ座標Xs0に対して差分ΔXが一定の振幅A1で振動し直線L1に沿って増加又は減少する座標誤差特性パターンCP1を取得する特性パターン取得手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】検査対象からの反射光角度の変化に基づいて基板の欠陥を精度よく検査することができる検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る検査装置は、赤外光を出射する光源11と、光源11から出射される赤外光を平行光としてウエハ30に略垂直に入射させ、当該ウエハ30からの反射光を導く光学系と、光学系により導かれる反射光のうち、正反射光以外の光を検出するIRカメラ19、20とを備え、光源11からの赤外光を導光する光ファイバ13の出射端面面は、光学系の瞳位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】検査速度の低下を伴うことなく、かつ装置容積に占める信号処理部の比率を増加させることなく、データメモリのオーバーフローを回避し、ウエハ全面の検査データを取得するが可能な表面検査装置を実現する。
【解決手段】後処理手段111のブロック化手段300は前処理手段からのデータを任意のデータ数で1ブロックとし1ブロックで1データを取り出す。ブロック化手段300は状態監視手段302の指示でブロック化数を変更する。閾値処理手段301は設定閾値に従いブロック化手段300からのデータに対し閾値を越えた場合にデータを取得しメモリ303へ送る。状態監視手段302はメモリ303の空容量を監視しメモリ303内の空き容量の減少を検知した場合ブロック化手段300に対し、メモリ303がオーバーフローしないように1ブロックのデータ数を増加させる。 (もっと読む)


【課題】ユーザそれぞれが、自身がその存在を感得しているレシピについて、他のユーザがその存在を含めた設定内容を感得できないように、そのレシピの存在自体も含めてレシピの設定内容を隠蔽しておくことができる検査装置及びその隠蔽方法を提供する。
【解決手段】ユーザそれぞれが、自身の閲覧設定画面500上でその存在を感得しているレシピについて、他のユーザがその存在を含めた設定内容を感得できないように他のユーザを隠蔽先に含む隠蔽ID情報を生成するレシピ隠蔽情報作成機能部116と、ユーザそれぞれの閲覧設定画面500を表示する際、隠蔽ID情報ファイル240に格納されている隠蔽ID情報に基づいて、ユーザそれぞれの閲覧設定画面500の生成のためのレシピ表示情報を作成する表示情報作成機能部120とを備える。 (もっと読む)


【課題】テラヘルツ波の反射波を利用して金属の腐食を防ぐための塗膜や半導体ウェーハのエピ層等の積層物中の欠陥(気泡)検査を行う際に測定対象物の位置合わせを容易に行えるテラヘルツ波を用いた検査装置及び検査方法。
【解決手段】第1レーザ光の照射によりテラヘルツ波を発振するテラヘルツ波発振アンテナ5、第2レーザ光に時間遅延を与える時間遅延機構7と、第2レーザ光に基づいた検出タイミングでテラヘルツ波を検出し、検出したテラヘルツ波の強度に応じた検出信号を生成するテラヘルツ波受信アンテナ8、測定対象物100の位置と傾きとが所定の状態にあるか否かを検出する状態検出部、測定対象物の位置と傾きとが所定の状態にあり、時間遅延機構7で与えられる時間遅延を変化させた場合のテラヘルツ波受信アンテナで生成された検出信号に基づく時系列信号強度データのピーク値に基づいて測定対象物の欠陥の有無を検査する検査部部54を備える。 (もっと読む)


【課題】微細化あるいはハイアスペクト化された凹部を有する構造体に対するパターン検査の精度を向上させることができるパターン検査方法およびパターン検査装置を提供することである。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、構造体が有する凹部にX線または真空紫外線を集光させ、前記集光させた前記X線または前記真空紫外線を前記凹部の内部において伝播させて前記凹部の底面に到達させ、前記底面で反射または前記底面を透過した前記X線または前記真空紫外線の強度を検出することにより前記凹部の欠陥の有無を検査することを特徴とするパターン検査方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】欠陥検査工程における未検査を抑制すること。
【解決手段】ウエハを保持するステージ12と、前記ステージに保持されたウエハのアライメントを行なうアライメント部32と、アライメントされた前記ウエハ表面の欠陥を検査する検査部34と、前記アライメント部が前記アライメントを開始してから前記欠陥の検査が終了するまでの時間である検査時間が所定時間より短い場合、前記アライメント部に前記アライメントを再度行なわせ、前記検査部に前記欠陥を再度検査させる制御部36と、を具備する欠陥検査装置。 (もっと読む)


【課題】半導体基板表面の清浄度を正確に確認することのできる半導体基板洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体基板洗浄装置100は、半導体基板10を洗浄する洗浄部1と、洗浄部1で洗浄された半導体基板10の表面の反射強度を測定する反射式センサ2と、反射式センサ2による反射強度の測定結果に基づき、半導体基板10の洗浄の適否を判定する判定部3とを備えている。 (もっと読む)


【課題】被検査物の表面の凹凸パターンのサイズ変動を検査するマクロ検査装置を提供する。
【解決手段】被検査物2の表面の凹凸パターンのサイズ変動を検査するマクロ検査装置100である。マクロ検査装置100は、被検査物2を乗せるためのステージ1と、被検査物2の表面に対して所定の角度方向から被検査物2側に光を照射する拡散光源5と、被検査物2の表面からの反射光を受光可能なラインセンサ9と、被検査物2とラインセンサ9との間に設けられ、反射光のうち拡散光源5のエッジ部からの光束に起因する反射光束が、ラインセンサ9の両端の少なくとも一方に設けられた所定領域でのみ受光されるように、反射光をラインセンサ9に導くための光学系と、を備える。 (もっと読む)


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