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Fターム[2G051AA51]の内容

光学的手段による材料の調査の特殊な応用 (70,229) | 調査・分析対象 (8,670) | 半導体;CCD材料(例;ウエハ) (1,569)

Fターム[2G051AA51]に分類される特許

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【課題】被検査物の表面の凹凸パターンのサイズ変動を検査するマクロ検査装置を提供する。
【解決手段】被検査物2の表面の凹凸パターンのサイズ変動を検査するマクロ検査装置100である。マクロ検査装置100は、被検査物2を乗せるためのステージ1と、被検査物2の表面に対して所定の角度方向から被検査物2側に光を照射する拡散光源5と、被検査物2の表面からの反射光を受光可能なラインセンサ9と、被検査物2とラインセンサ9との間に設けられ、反射光のうち拡散光源5のエッジ部からの光束に起因する反射光束が、ラインセンサ9の両端の少なくとも一方に設けられた所定領域でのみ受光されるように、反射光をラインセンサ9に導くための光学系と、を備える。 (もっと読む)


【課題】検査装置における伝送プロトコルは画像データの送信側と受信側が使用する伝送プロトコルに応じて最適化されている。このため、使用する伝送プロトコルが変更されると、データの分配を実行する部分の再開発が必要とされる。
【解決手段】画像データに付加情報を付して出力する撮像部と画像データを処理する画像処理部との間に画像分配部を配置する。さらに、画像分配部を、第1の伝送プロトコルにより撮像部から入力される画像データを所定のデータ形式に変換する画像入力部と、所定のデータ形式に変換されたデータの分配を制御する分配制御部と、所定のデータ形式のデータを第2の伝送プロトコルの画像データに変換して画像処理部に出力する画像出力部とで構成する。 (もっと読む)


【課題】半導体基板裏面に形成された基板一体型SILの実効半径を大きくすることが可能な裏面解析用搭載型レンズ又は裏面解析方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置(2)の基板裏面(2b)に形成した半球状の基板一体型SIL(2c)の上に搭載して使用するための裏面解析用搭載式レンズ(1)である。この裏面解析用搭載式レンズは、中実の球体の一部を1つの平面で切除した残部の形状を含み、該切除面(1b)にさらに半球状の凹み(1c)を有する。 (もっと読む)


【課題】画像から取得される欠陥から目的欠陥を抽出するための検査方法を提供する。
【解決手段】複数の検査対象領域の画像データを取得し、前記複数の検査対象領域のうち同じ構造を形成する領域同士の同じ位置の輝度を比較して輝度の差から輝度差分布を求め、前記複数の検査対象領域のそれぞれにおいて、優先的に検査をしたい優先検出領域の閾値がその他の領域の閾値よりも低くなるよう閾値分布を設定し、前記輝度差分布のうち前記閾値分布以上になる位置を目的欠陥発生位置と判定する、処理を有する。 (もっと読む)


【課題】自動検査、特に、製造欠陥の解析の方法及びシステムを提供する。
【解決手段】欠陥解析方法は、検査パラメータ値のそれぞれの範囲によって特徴付けられる複数の欠陥部類に対する単一部類分類子を識別する段階を含む。各単一部類分類子は、それぞれの部類に対して、検査パラメータ値に基づいてそれぞれの部類に属する欠陥を識別し、一方でそれぞれの部類に入っていない欠陥を未知欠陥として識別するように構成される。検査パラメータ値に基づいて複数の欠陥部類のうちの1つに各欠陥を割り当てるように構成された多重部類分類子が識別される。検査データが受信され、欠陥を欠陥部類のうちの1つに割り当てるために、単一部類及び多重部類分類子の両方が適用される。 (もっと読む)


【課題】高精度なウエハステージの移動制御を行う。
【解決手段】ウエハステージの位置を計測するために用いられるスケール39Y2に対して検出装置PDY1の照射系69Aからの検出ビームを照射し、スケール39Y2を介した検出ビームを受光系69Bで検出することにより、スケールの表面状態(異物の存在状態)を検出する。これにより、スケールに対して非接触で表面状態の検出を行うことができる。さらに、この表面状態を考慮することで、ウエハステージの移動制御を高精度に行うことができる。 (もっと読む)


【課題】検査用基板を用いることなく照明部の照度の低下による検査の不具合が発生することを防ぐことができる技術を提供すること。
【解決手段】筐体内に設けられた載置台に載置された基板を被写体として撮像して検査を行う検査モードと、照明部の照度を確認するためのメンテナンスモードとの間でモードを選択するためのモード選択部と、前記筐体内に設けられ、前記照明部の光を撮像部の撮像素子に導光するための導光部材と、メンテナンスモード実行時に前記導光部材を介して撮像素子により取得した照明部の光の輝度が、予め設定された許容範囲内であるか否かを判定する判定部と、前記判定部により前記輝度が前記許容範囲から外れていると判定されたときに照明部の交換を要することを報知するための報知部と、を備えるように基板検査装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】 被検査画像から微小欠陥を検出するとともに、当該欠陥の色の違いを識別することができる外観検査装置および外観検査方法。
【解決手段】 被検査基板を撮像部30で撮像することで被検査画像を取得する。被検査画像に対して微分処理部412は水平方向に微分演算処理を行う。そして、微分処理部412は、水平方向の微分処理結果に対して、さらに垂直方向に微分演算処理を行い欠陥候補検出画像423を生成する。欠陥検出部403が欠陥候補検出画像423中の欠陥候補と、欠陥候補が示す特徴を記録した欠陥識別情報428とを比較することで、欠陥を検出するとともに、検出された欠陥が白欠陥であるか黒欠陥であるか識別することができる。 (もっと読む)


【課題】ウェハを外周で保持する機構では、ウェハが自重で撓む場合がある。そこで平面度を保持するためにウェハとウェハ下の保持台との間に空気を供給する方法がある。しかし、この方法では異物がウェハに付着する場合がある。
【解決手段】ウェハの平面度を保持するためにウェハ、及びウェハ下の保持台に負電圧をかける。この静電力によってウェハに上向きの力を与え、平面を保持する。また、この方法により負に帯電した異物の付着を防止する。 (もっと読む)


【課題】周期性のあるパターンを持つ被検査体のムラ欠陥を検出する場合に、映り込みの判別を短時間に行うことが出来、さらに大面積の被検査体の検査時間を短縮する検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】基板を載置して搬送する搬送手段と、基板を照明する第一の照明手段と第二の照明手段と、第一の照明手段の照明角度を変化させる第一の照明角度変化手段と、第二の照明手段の照明角度を変化させる第二の照明角度変化手段と、第一の照明手段によって照明された基板を撮像する第一の撮像手段と、第二の照明手段によって照明された基板を撮像する第二の撮像手段と、第一の撮像手段及び第二の撮像手段によって得られた画像を処理する画像処理部と、前記搬送手段と、第一と第二の照明手段と、第一と第二の照明角度変化手段と、第一の撮像手段及び第二の撮像手段と、を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする検査装置。 (もっと読む)


【課題】判定時に損傷を発生させることなく、ウェハの損傷の有無を精度よく判定することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】半導体装置が設けられたウェハ1に音響信号発生部4を接触させずに、音響信号発生部4が発生した音響信号をウェハ1に入力させる。次に、ウェハ1と共鳴した音を含む音響信号を検出する。次に、検出した音響信号の周波数成分の強度を示すデータを求め、このデータをウェハに損傷が無い場合のデータと比較することにより、ウェハ1の損傷の有無を判定する。 (もっと読む)


【課題】検査装置の検査情報とレビュー装置で取得した観察情報とを用い、欠陥の高さ、屈折率、材質の情報を取得して欠陥材質・屈折率分析や、微細なパターン形状の三次元解析を行う方法、並びにこれを搭載した欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】試料上の欠陥を観察する方法において、光が照射された試料からの反射・散乱光を受光した検出器からの検出信号を処理して検出した検査結果の情報を用いて観察対象の欠陥が存在する位置を走査電子顕微鏡で撮像して画像を取得し、この取得した観察対象の欠陥の像を用いて欠陥のモデルを作成し、作成された欠陥のモデルに対して光を照射したときに欠陥モデルから発生する反射・散乱光を検出器で受光した場合のこの検出器の検出値を算出し、この算出した検出値と実際に試料からの反射・散乱光を受光した検出器の検出値とを比較して観察対象の欠陥の高さ又は材質又は屈折率に関する情報を求めるようにした。 (もっと読む)


【課題】貼り合わせた2つの基板層のいずれかに検査光の透過しない部分があっても、貼り合わせ界面に発生し得る微小空洞を検査することのできる基板検査装置を提供することである。
【解決手段】基板100の表面に対して斜めに入射するように検査光を帯状に照射する光源ユニット30と、前記検査光により前記基板の表面に形成される帯状照明領域を挟んで光源ユニット30と逆側の所定位置に配置されるラインセンサカメラ20とを有し、照明ユニット30及びラインセンサカメラ20と基板100とが相対移動している際にラインセンサカメラ20から出力される映像信号に基づいて基板画像情報を生成し、基板画像情報に基づいて基板100の第1基板層101と第2基板層102との界面に生じ得る微小空洞についての検査結果情報を生成する構成となる。 (もっと読む)


【課題】配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現する。
【解決手段】欠陥検出を行なう被対象物である試料に照射する光の偏光(アルファ)(s偏光からの角度(アルファ))を、試料の回路パターンの条件、照射光の方位角及び入射角を所定の計算式に代入して算出する。偏光(アルファ)は、p偏光とs偏光との間にある。算出した偏光(アルファ)の光を試料に照射して欠陥を検査する。これにより、配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】自動欠陥分類機能では、装置毎に適切な処理パラメータが異なるが同一の工程において複数の装置が運用される場合でも、それぞれの分類レシピにおける分類クラスに差が発生しないようにする。
【解決手段】同一の工程で異なる画像撮像装置から得られた画像から同種の欠陥画像を特定する対応欠陥特定部209、同一の工程で異なる画像撮像装置から得られた画像を変換し、比較可能な類似した画像に変換する画像変換部212、同一の工程の分類レシピについて、同一の分類クラスを定義し、特定された同種の欠陥画像をそれぞれの対応する分類レシピ内の分類クラスに登録するレシピ更新部211を備えた。 (もっと読む)


【課題】光学的手法を用いて被処理基板の構造をより高精度に評価することができるプロセスモニター装置を提供する。
【解決手段】プロセスモニター装置11は、光を出射する光源部と、光の強度を検知可能な光検知部と、光源部から出射された光をウェハWまで導き、ウェハWから反射した反射波を光検知部まで導く第一光経路21と、第一光経路21と同等の光伝搬特性を有するように構成され、光源部から出射された光を、ウェハWを経由することなく光検知部まで導く第二光経路と、第二光経路を通して光検知部により検知された光の強度情報に基づいて、第一光経路21を通して光検知部により検知された光の強度情報を補正し、ウェハWの構造を解析するコントローラ17とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板縁部の状態を簡単に早く検出することが出来る基板検査装置を提供する。
【解決手段】基板検査装置100は、表面に膜を塗布した基板Wを保持し回転する回転テーブル5と、基板Wに光を照射する光照射手段2と、光照射手段2による基板W表面からの正反射光を受光し、撮像画像の信号出力する光電変換手段4と、を備える。そして、基板Wの回転中心を含んで回転中心から半径方向の一走査分の電気信号の回転手段一周分の検出値を加算して二次元画像を生成し、二次元画像の一方向に沿って設定された判定バンドから変化点を判断する。したがって、基板W上においてEBR線の良否を簡単に判断することができ、処理効率の良い検査が可能になる効果を奏する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの表面に生じうる特定欠陥をより確実に検出することが可能な検出方法、検出システムおよび検出プログラムを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の特定欠陥の検出方法は、ウェーハの表面に光を照射して該ウェーハの表面上の欠陥の位置に対応して検出される輝点の面内位置情報である輝点マップを取得する工程(S101)と、前記輝点マップにおいて、特定欠陥の発生が予想される領域である判定対象領域と、該判定対象領域以外の所定領域である参照領域とを特定し、前記判定対象領域における輝点密度の、前記参照領域における輝点密度に対する比を算出する工程(S102)と、算出された前記比の値に基づいて、前記特定欠陥の発生の有無を判定する工程(S103)と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】欠陥の捕捉率、及び分類性能を向上させる。
【解決手段】互いに平行な直線群を含む回路パターンが形成された被検査物を載置して走行するステージと、スリット状の光であるスリット状ビームを複数生成し、前記被検査物の表面に第1の照明領域、及び第2の照明領域を形成する照明光学系と、前記第1の照明領域からの第1の光と前記第2の照明領域からの第2の光とを分離し、前記第1の光は第1のイメージセンサで、前記第2の光は第2のイメージセンサで検出する検出光学系と、前記第1のイメージセンサ、及び前記第2のイメージセンサで得られた信号に基づいて欠陥を示す信号を得る処理部と、を成す。 (もっと読む)


【課題】不完全エリアを有効に検査することで歩留り管理の精度向上を図ることができる検査装置を提供する。
【解決手段】基板1に光を照明する照明部10と、前記基板1からの光を検出し検査画像を得る検出部20と、処理部100と、を有し、前記検査画像には、前記基板1の端部より内側の形成すべきパターンの一部が欠けた領域と、前記端部より外側の前記一部が形成されるべきであった領域と、が含まれ、前記処理部100は、前記検査画像と前記パターンよりも内側の完全なパターンの画像を含む参照画像とを使用して検査を行う。 (もっと読む)


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