【課題】板状基板の外周部分を撮影して得られた撮影画像上の点の前記板状基板の周方向を横切る方向の位置を把握し易い板状基板のエッジ検査装置を提供することである。
【解決手段】予め設定された原点に向けて延びる撮影軸Ａｘｂを有し、板状基板１０の外周部分１０Ｅにおける所定面１２Ａを撮影視野範囲に含み、該所定面を前記板状基板１０の周方向に順次撮影して画像信号を出力する撮影部１３０ｂ（１３１ｂ）を備え、前記画像信号から生成される撮影画像データにて表される撮影画像上の点及び前記撮影軸Ａｘｂに対応した基準点それぞれの前記周方向を横切る方向における位置ｔAに基づいて、前記撮影画像上の当該点に対応する擬似的な撮影角度αAを表す擬似撮影角度情報を生成し、撮影画像及び前記擬似撮影角度情報に基づいた撮影角度に関するユーザインタフェース情報を前記表示ユニットに表示させるようにした。 （もっと読む）

【課題】画像化の際に誤差が空間的に分散しやすい要素と、誤差があってもそれが局所にとどまる要素とが被検査対象領域内に混在する場合にも、位置合わせ精度を高くできる技術を提供する。
【解決手段】検査装置１は対象画像及び基準画像を複数のブロック領域に分割する。この対象画像及び基準画像のブロック領域がずらされつつ画素毎に比較されて、類似度マップＭＢが作成される。類似度が高くなるずらせ位置Ｐ（Δｘ，Δｙ）を表す各マップ点ＵＲが包含されることで最小矩形領域Ｓminが類似度マップＭＢにおいて設定される。最小矩形領域ＳminのＸ方向及びＹ方向の幅として特定される分布指標値Ｄx，Ｄyが閾値Ｄx0，Ｄy0と比較され、当該最小矩形領域Ｓminを有する対象ブロック領域が有効ブロックであるか否かが判定される。位置合わせのための確定ずらせ位置の算出には有効ブロックのみが使用される。 （もっと読む）

【課題】照射部の発光ムラがムラ検査用画像に与える影響を抑制する。
【解決手段】ムラ検査用画像取得装置１１は、基板９が載置されるステージ２、基板９の検査表面９１に向けて照明光を照射する照射部３、検査表面９１にて反射した照明光を受光する撮像部４１を備える。撮像部４１は、ラインセンサ４１１および撮像光学系４１２を備える。ラインセンサ４１１の各受光素子には、ムラ検査に必要な強度の光が入射する。撮像光学系４１２は、物体側において非テレセントリックであり、ラインセンサ４１１の位置と光学的に共役な合焦位置は、検査表面９１から撮像部４１側にずれて位置する。ムラ検査用画像取得装置１１では、照射部３と検査表面９１との間の光軸Ｊ１に沿う方向における距離が１００ｍｍ以上である。これにより、照射部３の発光ムラがムラ検査用画像に与える影響を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】欠陥の検出感度を向上させる。
【解決手段】実施形態のパターン検査装置は、ステージ駆動手段と光源と検出手段と光学系とフォーカス位置変動手段と制御手段と判定手段とを含む。前記ステージ駆動手段は、検査対象のパターンが形成された基体を支持するステージを前記基体の表面に水平な方向に移動させる。前記検出手段は、前記基体からの反射光を検出して信号を出力する。前記光学系は、前記光源から照射された光を前記基体に導き、前記反射光を前記検出手段に導く。前記フォーカス位置変動手段は、照射された光の前記基体におけるフォーカス位置を前記基体の表面に垂直な方向に変動させる。前記制御手段は、前記ステージの移動と前記パターンの位置への前記光の照射とを対応させて前記フォーカス位置が変動するように前記ステージ駆動手段と前記フォーカス位置変動手段とを制御する。前記判定手段は、前記検出手段からの信号に基づいて前記パターンの欠陥の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】欠陥の種類、材料、形状によらずコントラストを高くする。
【解決手段】実施の形態のパターン検査装置は、光源と、光透過率を変更可能な透過率制御素子と、ビームスプリッタと、偏光制御部と、位相制御部と、波面分布制御部と、検出部とを含む。前記ビームスプリッタは、前記光源から出射された光を分割し、検査対象のパターンが形成された基体と前記透過率制御素子とに照射し、前記基体からの反射光である信号光と、前記透過率制御素子からの反射光である参照光と、を重ね合わせて干渉光を生成する。前記偏光制御部は、前記参照光の偏光角および偏光位相を制御する。前記位相制御部は、前記参照光の位相を制御する。前記波面分布制御部は、前記透過率制御素子における前記参照光の波面分布を制御する。さらに、前記検出部は、前記干渉光を検出する。 （もっと読む）

【課題】安価な構成により、外観検査の検査精度を向上する。
【解決手段】ウェーハ外観検査装置１は、同一の基板に複数の半導体装置が形成されているウェーハを搬送し、半導体装置を検査位置に移動させるプローバ装置１０と、検査位置の半導体装置に照明光を照射する光源部（マルチアングル照明５０）と、照明光を照射された半導体装置の画像を撮像するカメラ４０と、カメラ４０によって撮像された画像データに基づいて、半導体装置を検査する画像判定部（外観コントローラ２０）と、半導体装置のサイズに応じて半導体装置を複数の領域に分割し、分割した複数の領域に対応してカメラ４０に撮像させる検査位置に、ウェーハを順次移動させる制御部（ＰＣ３０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】欠陥の高さ（深さ）に依存することなく高いＳ／Ｎで欠陥を検出する。
【解決手段】実施の形態のパターン検査装置は、照射手段と照明手段と検出手段と結像手段と画像処理手段とを含む。前記照射手段は、互いに異なる波長を有する光を生成して出射する。前記照明手段は、前記照射手段から前記異なる波長の光を、検査対象のパターンが形成された基体の同一領域に照射する。前記検出手段は、前記基体で反射した、互いに異なる複数の波長の反射光を検出して波長毎の信号を出力する。前記結像手段は、前記反射光を導いて前記検出手段に入射させ、その検出面で像結像させる。前記画像処理手段は、前記波長毎の信号を前記検出面の入射位置に対応付けて加算処理して波長および信号強度の情報を含む加算画像データを生成し、該加算画像データに基づいて検査対象のパターンにおける欠陥の有無を判定し、欠陥が有ると判定した場合に前記基体に垂直な方向における前記欠陥の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】対象物の表面における光の照射位置に微小な凹凸が形成されている場合でも、この凹凸の影響を排除しつつ、予め規定された高さ以上の異物欠陥が対象物の表面上に存在するか否かを判定する。
【解決手段】表面欠陥検査装置１０は、ウェハ２６の表面に斜方から光を照射するラインレーザ１４と、ウェハ２６の表面におけるラインレーザ光２８の照射位置Ｐ２よりもラインレーザ１４側の位置であってウェハ２６の表面から予め規定された高さ離間した規定高さ位置Ｐ１において反射したラインレーザ光２８の反射光を検出するための第一ラインカメラ１６と、照射位置Ｐ２において反射したラインレーザ光２８の反射光を検出するための第二ラインカメラ１８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】検出系からの検出画像信号を補正することにより、複数の検査装置（機体）間での検査感度の機体差を低減することにある。
【解決手段】被検査対象００１に光束を照射する光源と、被検査対象から反射する反射散乱光を導く光学系１００と、導かれた反射散乱光を電気の検出信号に換える複数の光電セルが配列されている光電イメージセンサ４００と、前記光電イメージセンサを分割した複数の領域ごとに、それぞれに対応する信号補正部、Ａ／Ｄ変換器および画像生成部から構成される検出信号伝送部と、前記検出信号伝送部が出力する部分的な画像を合成する画像を作成する画像合成部と、合成された画像を処理することで被検査対象表面の欠陥あるいは異物の検査を行なう検査装置において、検出信号伝送部は、光電セルからの検出信号を各チャンネル毎に定めた基準検出信号強度の基準目標値に近づけるように補正できる検出信号補正機能を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誤って検出される擬似欠陥の数を低減できるとともに、欠陥の検出感度を落とすことなく、本来検出されるべき真の欠陥を検出できる基板検査方法及びその基板検査用のフィルタ画像の画像作成方法を提供する。
【解決手段】
基板の欠陥の有無を検査するために擬似欠陥を除去するためのフィルタ画像を作成する画像作成方法において、登録された画像の中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれかの画素の画素値を、円周上に位置する画素から選択した複数の画素の画素値のうちの最大値に置換することによって、フィルタ画像を作成するフィルタ画像作成工程Ｓ１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でガラス基板の表面の画像を高精度かつ迅速に取得する。
【解決手段】表面検査装置１０は、被検査対象物（ガラス基板１４）の移動方向に沿う複数の異なる位置にそれぞれ照明光を照射可能な複数の光源（３つの線光源１１，１２，１３）を有する照明手段と、被検査対象物（１４）を照明手段に対して相対移動させる駆動手段（駆動ローラ４）と、複数の光源（１１，１２，１３）によってそれぞれ照明された被検査対象物（１４）を所定のタイミングで撮像し、複数の異なる画像を取得する撮像手段（ラインセンサカメラ１５）と、照明手段と駆動手段（４）とを制御し、被検査対象物（１４）を相対移動させた状態で被検査対象物（１４）の異なる位置に照明光を所定のタイミングで照射するとともに所定のタイミングで複数の異なる画像を取得するよう撮像手段（１５）を制御する制御手段５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
従来、プリント基板の外観検査装置等で試みられている、位置ずれした被検査基板のずれ補正の前処理を施し、被検査基板画像と基準画像との差分をとって、基板の欠陥検査が行われていた。しかし、その位置ずれ補正の前処理にかなりの時間を要し、検査のタクトタイムを短縮することが困難であった。そのために、位置ずれ補正と画像の差分が迅速に精度よく行われる技術と装置の開発が求められてきた。
【解決手段】
本発明は、画像欠陥の検査のために、基準画像と被検査画像の両者をフーリエ変換して、両者のフーリエ変換強度画像の回転角変化を補正して差分した画像と、前記何れかの画像のフーリエ変換位相画像とで逆フーリエ変換画像を求めて、２画像間の差異を求める方法と装置を提供した。２画像間に位置ずれ、回転ずれがあっても、2画像間の差異が明確に求まり、画像欠陥等の検査を簡単に迅速に行うことができた。 （もっと読む）

【課題】パターンを形成したウェハの検査において、表面の内部もしくは表面上の異常の有無を判定できる表面検査法を提供する。
【解決手段】サンプル表面２０ａからの散乱光は表面２０ａに対して垂直な線に対して略対称の光を集束する集束器３８，５２によって集束される。集束光は、異なる方位角で経路へと導かれ、集束した散乱光の線に対する相対的方位角位置に関する情報が保存される。集束光は、垂直な線に対して異なる方位角で散乱した光線を表すそれぞれの信号に変換される。異常の有無および／または特徴は、この信号から判定される。あるいは、集束器３８，５２によって集束された光線は、予測されるパターン散乱の角度差に対応する角度の環状ギャップを有する空間フィルタによって濾波され、狭角および広角集束経路から得た信号は比較され、マイクロスクラッチと粒子との間を識別する。 （もっと読む）

【課題】デバイス作製時に耐圧不良やリーク不良を起こさず、低コストで低酸素濃度のウェーハを提供することを目的とする。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハが、酸素濃度８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ＡＳＴＭ ’７９）以下のシリコン単結晶インゴットから切り出され、選択エッチングによりＦＰＤ欠陥及びＬＥＰ欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりＬＳＴＤが検出される欠陥領域を含むものであることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ。 （もっと読む）

【課題】被検査物が複雑な形状である場合でも、精度よく欠陥を検出することができる欠陥検出方法及び欠陥検出装置を提供する。
【解決手段】欠陥検出方法は、撮像工程により被検査物を撮像し、エッジ検出工程により得られた画像データに基づいて、構造パターンの外周形状であるエッジを検出し、ライン検出工程により、エッジの最外周画素の集合であるラインを検出し、構造ライン取得工程によりエッジが境界となる複数の構造パターンに対してそれぞれに接するラインである構造ラインを取得し、エッジ幅取得工程により２つの異なる構造ライン間の距離をエッジ幅として取得し、平均エッジ幅算出工程により同じ構造ライン上の任意の２点を始点及び終点として設定し、始点から終点までの平均エッジ幅を取得する。そして、欠陥検出工程により、平均エッジ幅とエッジ幅とを比較し欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の内部に存在するクラック等の欠陥を正確に検出可能とする、シリコン基板の検査装置および検査方法を得ること。
【解決手段】赤外照明手段１とシリコン基板５との間の光路中に設けられ、直線偏光成分４を射出する第１の直線偏光フィルタ３と、シリコン基板５を透過した直線偏光成分４’を撮像する第１の撮像手段９および第２の撮像手段１１と、シリコン基板５と第１の撮像手段９との間の光路中に設けられ、シリコン基板５の基板面に平行な方向に偏光方向が設定された第２の直線偏光フィルタ８と、シリコン基板５と第２の撮像手段１１との間の光路中に設けられ、基板面に垂直な方向に偏光方向が設定された第３の直線偏光フィルタ１０と、第１の撮像手段９から入力された画像データと、第２の撮像手段１１から入力された画像データとを比較演算する画像処理手段１２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】異常の原因を特定することが可能な検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査装置は、加工によりウェハ１０の表面に設けられた構造体を照明する照明光学系２０と、当該構造体で反射した照明光を検出するＣＣＤカメラ４０と、それぞれ異なる加工条件で設けられた構造体を対象として、複数の照明条件若しくは反射条件で検出される検出値を加工条件ごとに記憶するデータベース部４６と、複数の照明条件若しくは反射条件に含まれる少なくとも２条件で被検物である構造体から検出される検出値と、データベース部４６に記憶された検出結果との関連性に基づいて、構造体に対する加工の条件を求める画像処理検査部４５とを有している。 （もっと読む）

【課題】外観検査の欠陥分類において、重要欠陥のピュリティまたはアキュラシーまたはその両方が目標値以上になるように調整するなどのニーズがあるが、教示型の欠陥分類は平均的に分類正解率が高くなるよう条件設定されるため、そのようなニーズに応えられないという問題があった。
【解決手段】特徴量抽出部、欠陥分類部、分類条件設定部を含み、分類条件設定部は、欠陥の特徴量と正解のクラスを対応づけて教示する機能と分類の優先順位を指定する機能を有し、優先順位の高い分類の正解率が高くなるよう条件設定を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、分解能よりも小さいサイズの欠陥を検出可能であって、より簡易な構成でより短い検査時間で欠陥を検出し得る内部欠陥検査装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の内部欠陥検査装置Ｄａは、検査対象の物体ＳＭを透過可能な波長の照明光を放射する光源部１と、光源部１から放射された照明光を検査対象の物体ＳＭに照射する照明光学系２と、検査対象の物体ＳＭの光学像を形成する撮像光学系３ａと、撮像光学系３ａによって形成された光学像を光電変換することによって光学像の画像信号を生成する撮像素子４ａおよび画像処理部７１ａと、この生成された光学像の画像信号に基づいて検査対象の物体ＳＭを提示する出力部６とを備え、照明光学系２と撮像光学系３ａとは、暗視野光学系を形成している。 （もっと読む）

【課題】基板装置表面のパターン欠陥の致命度をより信頼度高く判定する。
【解決手段】データ処理部１０は、欠陥レビュー部１２を介して基板装置のパターン欠陥を含んだレビュー画像を取得し（レビュー画像取得部１０４）、そのレビュー画像と欠陥のない参照画像とを比較することにより欠陥画像を抽出するとともに、前記レビュー画像とそのレビュー画像に対応する領域の同じレイヤの設計データから生成した自レイヤ設計パターン画像との位置合わせを行う（画像位置合わせ部１０５）。そして、その位置合わせの結果に基づき、前記レビュー画像に対応する領域の他のレイヤの設計データから他レイヤ設計パターン画像を生成し、前記欠陥画像と他レイヤ設計パターン画像との合成画像に基づき、前記欠陥と他レイヤのパターンとの相対位置関係を求め、その相対位置関係に基づき致命度を判定する（致命度判定部１０６）。 （もっと読む）