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Fターム[2G051AA51]の内容

光学的手段による材料の調査の特殊な応用 (70,229) | 調査・分析対象 (8,670) | 半導体;CCD材料(例;ウエハ) (1,569)

Fターム[2G051AA51]に分類される特許

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【課題】 不規則な回路パターン部分では、パターンからの散乱光によって欠陥信号が見落とされ、感度が低下する。
【解決手段】 基板試料を載置してX-Y-Z-θの各方向へ任意に移動可能なステージ部と、基板試料を斜方から照射する照明系と、照明された検査領域を受光器上に結像する結像光学系とを有し、該照明系の照射により前記基板試料上に発生する反射散乱光を集光する。更に、互いに異なる複数の偏光成分を同時に検出する偏光検出部を有する。更に、上記偏光検出部で検出される互いに異なる複数の偏光成分信号を複数チップ間あるいは所定領域の画像内で比較して、統計的な外れ値を試料上の欠陥として検査する。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、オートフォーカス動作を行わなくとも、多分割セル方式によるS/N向上を可能とし、高感度の検査を実現できる光学式表面欠陥検査装置または光学式表面欠陥検査方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、被検査体に検査光を照射し、該被検査体の表面からの散乱光を受光器に結像し、該受光器からの出力に基づいて前記被検査体の表面の欠陥を検査する光学式表面欠陥検査装置または光学式表面欠陥検査方法において、前記受光器は一端が前記散乱光を受光する円形上の受光面を形成し、他端が複数の受光素子に接続された光ファイバーバンドルを有し、該光ファイバーバンドルは前記受光面において扇形状を有する複数のセルに分割され、該セル単位で該受光素子に接続されており、複数の前記セルの出力に基づいて前記検査を行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
検査対象基板において不規則な回路パターン部分では、パターンからの散乱光によって欠陥信号が見落とされ、感度が低下する課題があった。
【解決手段】
光源から出射した光を検査対象基板上の所定の領域に所定の複数の光学条件をもって導く照明工程と、前記所定領域において、前記複数の光学条件に対応して生じる複数の散乱光分布の各々につき、所定の方位角範囲および所定の仰角範囲に伝播する散乱光成分を受光器に導き電気信号を得る検出工程と、該検出工程において得られる複数の電気信号に基づいて欠陥を判定する欠陥判定工程とを有することを特徴とする欠陥検査方法を提案する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ上のLPDを検出して結晶欠陥と付着異物とに分類する精度を向上させる方途を提供する。
【解決手段】ウェーハの表面に対して垂直の方向に照射させる垂直照射光の該照射表面からの散乱光のうち、高角度範囲に散乱する散乱光の検出強度から照射表面における輝点欠陥の第1のサイズを求め、照射表面に対して斜めの方向に入射させる斜め照射光の該照射表面からの散乱光のうち、低角度範囲に散乱する散乱光の検出強度から輝点欠陥の第2のサイズを求め、輝点欠陥を、第2のサイズに対する第1のサイズの比および予め求めた閾値に基づいて結晶欠陥と付着異物とに分類するに際し、垂直入射光の波長と斜め入射光の波長とを異ならせるようにする。 (もっと読む)


【課題】エッジ(段差)近傍の表面プロファイルの測定結果を正確に取得することができる、物体の表面プロファイルを測定する方法を提供する。
【解決手段】物体の表面プロファイルを測定する方法であって、物体の表面の段差が走査方向に対して延在する第1の方向の情報を取得するステップと、前記情報に応じて、照射ビームに与える位相分布を設定するステップと、前記照射ビームで前記物体を前記走査方向に走査するステップと、を有する。 (もっと読む)


【課題】比較的大きなサイズの欠陥を高感度で検出できると共に、高さ又は深さの変化量が1nm又はそれ以下の微細な欠陥も検出できる検査装置を実現する。
【解決手段】照明光源1からの照明ビームを被検査基板21に向けて投射する対物レンズ20と、入射した照明ビームを、互いに干渉性を有する第1及び第2のサブビームに変換すると共に、基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、基板表面の高さ又は深さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系16と、出射した干渉ビームを受光する光検出手段28と有する。微分干渉光学系のリターデーション量は、mを零又は正の整数とした場合に、第1と第2のサブビームとの間に(2m+1)π又はその近傍の位相差が形成されるように設定し、前記光検出手段から出力される出力信号のバックグランドの輝度レベルがほぼ零となる検査状態において基板表面を照明ビームにより走査する。 (もっと読む)


【課題】従来技術では装置内の構成(例えば、ステージ用リニアスケールより上に搭載されているZステージ,Θステージ,ウェハチャック、及び検出光学系等)の振動が座標値に正しくフィードバックされない。
【解決手段】本発明は、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を移動する移動部と、前記基板に光を照射する照射部と、前記基板からの光を検出し、電荷を蓄積する電荷蓄積型検出部と、前記基板保持部と前記移動部との相対的な位置の変化を計測する計測部と、処理部とを有し、前記電荷蓄積型検出部は、前記計測部の計測結果に基づいて得られた電荷転送信号に基づいて電荷を蓄積し、前記処理部は、前記電荷転送信号に基づいて電荷が蓄積されることにより生成された画像を使用して前記基板の欠陥を検出することを特徴とする検査装置。 (もっと読む)


【課題】基板の粗さを得る方法、及び基板の粗さを得るための装置において、ウェハ加工途中の微細な凹凸のパターンを有するパターン付きウェハの表面粗さを測定することを可能にすることで、ウェハ間の膜厚や膜質のばらつきによる歩留まりを向上させることを目的とする。
【解決手段】基板に形成されたパターンに関する設計情報を得る第1のステップと、前記設計情報を用いて、前記基板の表面粗さを得ることができる表面粗さ測定領域を得る第2のステップとを有する基板の粗さを得る方法、及び基板の粗さを得るための装置である。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハ上に形成されたチップ内の直接周辺回路部の近辺に存在する致命欠陥を高感度に検出することができる欠陥検査装置及びその方法を提供する。
【解決手段】被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系とを備えた欠陥検査装置において、前記検出光学系で取得される光学条件若しくは画像データ取得条件が異なる複数の画像データから領域毎に複数の異なる欠陥判定を行い,結果を統合して欠陥候補を検出するようにした。 (もっと読む)


【課題】 本発明はポリゴンミラーを回転させるスキャナモータの回転数を問題が生じない回転数に設定しても、その3倍以上の回転数に設定したのと同等な高速スキャンが可能で、微細な欠陥を検出することができる欠陥検査方法および欠陥検査装置を得るにある。
【解決手段】 搬送装置で搬送される検査物を、ポリゴンミラーを搭載したスキャナモータを使用した縦長のビームスポットを走査して行なう第1のスキャン工程と、この第1のスキャン工程の縦長のビームスポットの走査方向とは90度異なる方向で、前記検査物をポリゴンミラーを搭載したスキャナモータを使用した縦長のビームスポットを走査して行なう第2のスキャン工程と、この第2のスキャン工程のデータと前記第1のスキャン工程のデータとを座標毎に二乗平均でデータを合成するデータ合成工程とで欠陥検査方法を構成している。 (もっと読む)


【課題】レーザ光を光源として用いた場合、照射密度が高い細いビームが第一平面鏡及び第二平面鏡の同じ個所に長時間照射されると平面鏡の表面が劣化、反射率が低下し十分な光量が確保出来ない為、光軸自体を変えないで、平面鏡の長寿命化を行う点である。
【解決手段】レーザ光源3から発振するレーザ光L1は、第一,第二平面鏡4a,4bによって軌道を偏向され、ビームエキスパンダ5に入光する。この第一,第二平面鏡4a,4bは、レーザ光L1を照射されていると表面が劣化し、反射率が低下する。この低下によりビームエキスパンダ5に入光される光量が基準値以下にならないようにレーザ光L1の照射が一定時間を越えたところで光軸自体が変わらない様、レーザ光源3が照射する第一平面鏡4a上及び第二平面鏡4b上の位置を、各々平面鏡4a,4bを含むその面上にて鏡面を回転させられる構造、または鏡面を回転ではなく平行移動させられる構造とする。 (もっと読む)


【課題】テープに貼り付けられた透明な検査対象物に対しても、透過照明により正確な情報を得ることのできる検査装置を提供する。
【解決手段】観察光軸Oa上の所定の位置を観察面Fpとする観察光学系(11)と、観察光学系側から観察面Fpを照明する反射照明機構12と、観察光学系とは反対側から観察面Fpを照明する透過照明機構14と、を備える検査装置10である。透過照明機構14は、光源(51)から導光された透過光を出射する出射部53と、出射部53により出射された透過光を散乱させる散乱部(35b)と、を有し、散乱部は、観察面Fpにおける透過光を所定の散乱状態とすべく、透過照明機構14の透過光軸Pa方向で見て観察面Fpから所定の間隔を置いて設けられている。 (もっと読む)


【課題】環状部材に保持されたテープに貼り付けられた検査対象物を、透過照明を用いて効率良く適切に検査することのできる検査装置を提供する。
【解決手段】観察光学系(11)と、反射照明機構12と、透過照明機構14と、検査対象物(44)が貼付されるテープ42を保持する環状部材43の内側で透過照明機構14側からテープ42を保持可能な筒状の保持ステージ34と、を備える検査装置10である。透過照明機構14は、光源(51)から導光された透過光を保持ステージ34の外方から観察面Fpへ向けて出射する出射部53を有し、保持ステージ34には、観察光学系側に観察面Fpに沿う平面を規定する平坦面(35a)が設けられた板状を呈しかつ出射部53から出射された透過光の透過を許す透過部材35と、保持ステージ34に対して観察光軸Oa方向に関する位置調整可能に透過部材35を保持する位置調整機構(37、38)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】被検査対象物の表面から反射する正反射光を検出することで数十ナノメートル又はそれ以下の欠陥や異物を高検出感度で検出する暗視野検査装置を実現する。
【解決手段】照明光を出射する光源と、前記光源により出射された該照明光の偏光特性を調整する偏光生成部と、を備える照射光学系と、前記照射光学系により照射され該試料から散乱する散乱光の偏光特性を調整する偏光解析部と、前記偏光解析部により調整された散乱光を検出する検出部とを備える検出光学系と、前記検出光学系により検出した該散乱光を処理して該試料に存在する欠陥を検出する信号処理系と、を備え、前記偏光生成部は、予め定めた照明条件に基づいて前記光源により出射された該照明光の偏光特性を調整し、前記偏光解析部は、予め定めた検出条件に基づいて前記光源により出射された該照明光の偏光特性を調整することを特徴とする欠陥検査装置である。 (もっと読む)


【課題】バンプ検査のスループットを向上することが可能な検査装置を提供する。
【解決手段】顕微鏡から入射されたウェハの表面の像をセンスし、ウェハ1の表面の第1の検査画像データを取得する第1の受光センサ6と、顕微鏡から入射された像に対してウェハ1の表面に形成されたバンプの上部の基準位置にピントを補正し、顕微鏡から入射されたバンプの像をセンスし、バンプの第2の検査画像データを取得する第2の受光センサ7とを備え、第1の受光センサ6により取得された第1の検査画像データと、予め取得された第1の基準画像データとを比較し、この比較結果に基づいてウェハの表面の欠陥を検出する第1の画像処理ユニット8と、第2の受光センサ7により取得された第2の検査画像データと、予め取得された第2の基準画像データとを比較し、この比較結果に基づいてバンプの不良を検出する第2の画像処理ユニット9とを備える。 (もっと読む)


【課題】 メモリ容量が問題とならない位置ずれ量の検出を行い、位置ずれ量に基づき基板の位置を補正し基板の外観検査を行う。
【解決手段】 参照テーブル424に基づいて、推定基準点位置設定部413により推定基準点位置および仮基準点位置設定部415により仮基準点位置が設定される。距離指標値算出部414が推定基準点位置と仮基準点位置との距離の標準偏差を求め、該標準偏差が最小となるときの回転角および仮基準点位置と基準点位置との位置差分値を位置ずれ量425として取得する。該位置ずれ量425に基づき被検査基板6の位置合わせを行うことで、メモリの使用容量を増やすことなく、確実に位置合わせを行うことができるとともに、外観検査を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の欠陥を効率良く検査できるようにする。
【解決手段】半導体装置の欠陥検査装置は、半導体装置の表面画像を撮像し(ステップS101)、このときに得られる画像信号を輝度信号に変換する(ステップS102)。輝度信号の諧調値に応じて5つのグループに分類し(ステップS103)、グループ毎に設定された閾値を用い(ステップS104)、欠陥の判定を行う(ステップS104)。パターンが密に配置された領域の閾値と、パターンが疎に配置された領域の閾値とを異ならせることが可能になり、半導体装置の電気特性に影響を与える可能のある欠陥を効率良く抽出することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスに発生した欠陥の要因を効果的に解析できる欠陥解析方法及び欠陥解析装置を提供する。
【解決手段】一態様に係る欠陥解析方法は、半導体デバイスの欠陥検査で得られた欠陥の位置及び大きさと、光学検査で得られた欠陥を含む領域の反射光の波形を取得するステップと、半導体デバイスを製造する複数の工程と、工程毎の処理内容を含む工程情報を取得するステップと、欠陥の位置及び大きさと、工程情報に基づいて、半導体デバイスのプロセスシミュレーションを行うステップと、シミュレーション結果に対して光学シミュレーションを行い、反射光の波形を生成するステップと、取得した反射光の波形と、生成した反射光の波形との類似度を算出するステップと、算出された類似度が、予め登録された閾値を超えているか否かを判定するステップと、を具備する。 (もっと読む)


【課題】低コストな欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】実施形態の欠陥検査装置は基板表面又は膜表面に製造過程で発生した複数の欠陥を検出する検出手段40と検出手段に検出された複数の欠陥を位置に基づいて欠陥群に分類するクラスタリング手段41と欠陥群及び欠陥に識別情報を付与する識別情報付与手段42と欠陥群及び欠陥の位置情報を識別情報付与手段が付与した識別情報と共に保持する記憶手段34を備える。さらに実施形態の欠陥検査装置は欠陥群及び欠陥から2つを選択して直線を引きそのなかで傾きの差が所定範囲内である直線の上の欠陥群及び欠陥を同一グループに属するとして同一のラベルを付けて位置情報及び識別情報と共に記憶手段に保持するグルーピング手段42とグループ毎にそこに属する欠陥群及び欠陥の中から2つ以上の欠陥群または欠陥についての位置情報を残して他の位置情報は記憶手段から削除する削除手段42を備える。 (もっと読む)


【課題】十分に高い精度で貼り合せ不良部分を検出することができる貼り合せウェーハの検査方法を提供する。
【解決手段】貼り合せウェーハの貼り合せ不良部分の有無を検査する方法であって、貼り合せウェーハに対して超音波を照射した際の貼り合せウェーハ内部からの反射波を用いて貼り合せ不良部分を検出する超音波検査工程と、超音波検査工程を実施した後の貼り合せウェーハに対して粘着テープを貼り付けた後、粘着テープを剥離して貼り合せ不良部分を検出するピーリング検査工程とを含むことを特徴とする貼り合せウェーハの検査方法である。 (もっと読む)


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