【課題】レビュー機能を簡単に実現することができる検査装置、及び検査方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる検査装置は、ＥＵＶマスクに用いられる検査対象を検査する検査装置であって、凸面鏡１５ｂと凹面鏡１５ａの２枚のミラーを有するシュバルツシルト拡大光学系１５と、検査対象の拡大投影像を撮像するＴＤＩカメラ１９と、を備え、シュバルツシルト拡大光学系１５による検査対象の拡大像が、単一の凹面鏡１８によって、ＴＤＩカメラ１９上に拡大投影されているものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、受光した散乱光の中から非弾性散乱光を取除くことによってＳ
／Ｎ比が向上し、安定的に異物や欠陥の検出することにある。また本発明は、非弾性散乱
光を選択することで、弾性散乱光で検出した欠陥や被検査面の組成分析、若しくは被検査
物表面上の欠陥や、被検査物内部の組成を解明できる検査方法と検査装置を提供すること
にある。
【解決手段】本発明の表面検査方法は、光学的に被検査物の表面内からの弾性散乱光と非
弾性散乱光とを別々に、或いは同時に検出し、被検査物の欠陥の有無及び欠陥の特徴を検
出し、検出された欠陥の被検査物の表面上の位置を検出し、検出された欠陥をその特徴に
応じて分類し、欠陥の位置と、欠陥の特徴又は欠陥の分類結果とに基づいて、欠陥の非弾
性散乱光検出による分析を行うものである。 （もっと読む）

【課題】検査精度を保ちつつスループットを向上させることができる検査装置、検査方法および検査プログラムを提供すること。
【解決手段】高倍率で基板の検査測定を行うミクロ検査部と、基板の全体画像をもとに各画素の輝度を算出して全体画像内のムラを検査するマクロ検査部と、全体画像に対して測定を行う測定点を、仮測定点として割り付ける設定部と、各画素の輝度をもとに全体画像を構成する画素をグループ化する分類部と、分類部がグループ化した領域において存在する仮測定点から少なくとも１つの仮測定点を選択して、選択された仮測定点を実測定点として決定する決定部と、実測定点の測定乃至検査をミクロ検査部に行わせるとともに、各実測定点における検査結果を同一の領域における仮測定点にそれぞれ割り付けて検査結果の出力制御を行う制御部と、を備えた。 （もっと読む）

【目的】欠陥の検出および検出される欠陥種別の判定を行うパターン検査装置を提供する。
【構成】光源と、偏光状態の異なる第１の検査光と第２の検査光とを発生する検査光発生部を含み、第１の検査光と第２の検査光とを試料の同一面に照射する反射照明光学系と、試料に照射される第１の検査光と前記第２の検査光とを、それぞれ第１の像と第２の像として結像する結像光学系と、第１の像と第２の像とを拡大する拡大光学系と、拡大光学系で拡大される第１の像と第２の像とを撮像する画像センサと、画像センサで撮像される第１の像の画像である第１の検査画像と、第２の像の画像である第２の検査画像とを記憶する記憶部と、記憶部に記憶される第１の検査画像を第１の基準画像と比較し、第２の検査画像を第２の基準画像と比較して欠陥を検出する検出部と、欠陥の欠陥種別を判定する判定部と、を備えるパターン検査装置。 （もっと読む）

【課題】検査対象であるフォトマスクに所定波長の光束を照射し、フォトマスクを経た光束を撮像手段によって撮像して光強度データを求めるフォトマスクの検査方法において、実際の露光を行う露光装置との条件整合を良好に行う。
【解決手段】エッチング加工がなされる被加工層上に形成されたレジスト膜に対してフォトマスクを用いてｇ線、ｈ線及びi線の波長成分を含む露光光の露光を行い、レジスト膜をエッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすためのフォトマスクの検査に用いるテストマスクであり、露光光を透過させる透過部、遮光する遮光部、及び、一部を低減させて透過させるグレートーン部とを有するテストパターンを形成したテストマスクにおいて、テストパターンが一定の規則に基づいてパターン形状が逐次変化された複数の単位パターンが配列された部分を含み、パターン形状の逐次変化により、各単位パターンにおけるグレートーン部の幅をそれぞれ異ならせる。 （もっと読む）

【課題】マスク上での欠陥と、そのウェハへの波及の程度を推定しながら、効率的に欠陥判定処理を行うことのできる検査措置と検査方法を提供する。
【解決手段】各転写像を次の（１）〜（３）の順にレビューする。
（１）第１の比較部で判定された欠陥の程度が第３の閾値以上であって、第２の比較部で判定されたこの欠陥に対応する欠陥の線幅または線間距離の誤差比率が第４の閾値以上である場合、（２）第１の比較部で判定された欠陥の程度が第３の閾値未満であって、第２の比較部で判定されたこの欠陥に対応する欠陥の線幅または線間距離の誤差比率が第４の閾値以上である場合、（３）第１の比較部で判定された欠陥の程度が第３の閾値以上であって、第２の比較部で判定されたこの欠陥に対応する欠陥の線幅または線間距離の誤差比率が第４の閾値未満である場合 （もっと読む）

【課題】高精細なパターンの欠陥部を簡単な構成で修正することが可能な低価格のパターン修正装置を提供する。
【解決手段】このパターン修正装置１は、レーザ光の照射形状を所定形状に整形するスリット３７と、スリット３７によって整形されたレーザ光を基板１２の表面に集光する対物レンズ２５と、スリット３７の位置を調整し、対物レンズ２５によって集光されたレーザ光の照射位置を欠陥部１３ａに移動させる駆動部３５，３６とを備える。したがって、ＸＹテーブル３によってレーザ光の照射位置を移動させていた従来に比べ、装置構成の簡単化、装置の低コスト化を図ることができる。 （もっと読む）

【目的】パターン領域と非パターン領域の間に段差がある被検査試料であっても、効率的に検査可能なパターン検査装置を提供する。
【構成】パターン領域内に指定される被検査領域を記憶する被検査領域記憶部と、被検査試料上のパターン面高さ測定位置に対するパターン面高さ信号を検出するパターン面高さ検出部と、パターン面高さ検出部で検出されるパターン面高さ信号を用いて、被検査試料に対するフォーカスを合わせるオートフォーカス機構と、パターン面高さ測定位置が被検査領域内に位置するか否かを判定する判定部と、判定部が、パターン面高さ測定位置が被検査領域内に位置すると判定する場合にはオートフォーカス機構を駆動し、パターン面高さ測定位置が被検査領域内に位置しないと判定する場合にはオートフォーカス機構を停止するオートフォーカス機構制御部と、を有することを特徴とするパターン検査装置 （もっと読む）

【課題】欠陥検査と位置精度測定を同時に行い、位置精度測定は、マスク上に位置精度測定用のモニターマークを必要とすることなく、任意のパターンで任意の測定点密度で測定する手法を提供する。
【解決手段】参照画像上の任意の場所に位置精度測定用のモニターパターンを生成し、マスク検査時に取り込まれるマスク画像と参照画像を比較することで、モニターパターンを欠陥として検出し、モニターパターンと対象のマスクパターンの相対位置ずれ量を算出することでパターンの位置精度測定を行う。 （もっと読む）

【課題】
検査対象基板において不規則な回路パターン部分では、パターンからの散乱光によって欠陥信号が見落とされ、感度が低下する課題があった。
【解決手段】
光源から出射した光を検査対象基板上の所定の領域に所定の複数の光学条件をもって導く照明工程と、前記所定領域において、前記複数の光学条件に対応して生じる複数の散乱光分布の各々につき、所定の方位角範囲および所定の仰角範囲に伝播する散乱光成分を受光器に導き電気信号を得る検出工程と、該検出工程において得られる複数の電気信号に基づいて欠陥を判定する欠陥判定工程とを有することを特徴とする欠陥検査方法を提案する。 （もっと読む）

【課題】アライメント精度を高める。
【解決手段】実施形態のアライメント方法は、局所領域設定ステップと、局所アライメントステップと、シフトステップとを、含む。局所領域設定ステップでは、局所領域設定部が、アライメント対象領域の中から、アライメント要求精度以上の精度で行われる局所アライメントの実行対象領域である局所領域を設定する。局所アライメントステップでは、局所アライメント部が、前記局所領域において、検査対象のパターン画像と検査基準の基準パターン画像との前記局所アライメントを行い、局所アライメント結果であるシフト量を得る。シフトステップでは、シフト部が、前記シフト量を用いて前記基準パターン画像全体をシフトする。 （もっと読む）

【目的】マスク面上のパターン領域と非パターン領域の間に段差があるマスクであっても、効率的に検査可能なマスク欠陥検査装置およびこれを用いたマスク欠陥検査方法を提供する。
【構成】マスク面に対するフォーカス合わせを行うフォーカス合わせ機構と、パターン画像の取り込み時の検査視野走査方向上の検査視野を挟む第１箇所と第２箇所のマスク面におけるフォーカスを、それぞれ検出する第１のフォーカス検出部および第２のフォーカス検出部と、第１および第２の箇所が、パターン領域と非パターン領域とのいずれに位置するかを判定する判定部と、判定部の判定結果に基づき、フォーカス合わせ機構に対しフォーカス合わせ方法を指示するフォーカス合わせ方法指示部と、を有することを特徴とするマスク欠陥検査装置およびこれを用いたマスク欠陥検査方法。 （もっと読む）

【課題】比較的大きなサイズの欠陥を高感度で検出できると共に、高さ又は深さの変化量が１ｎｍ又はそれ以下の微細な欠陥も検出できる検査装置を実現する。
【解決手段】照明光源１からの照明ビームを被検査基板２１に向けて投射する対物レンズ２０と、入射した照明ビームを、互いに干渉性を有する第１及び第２のサブビームに変換すると共に、基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、基板表面の高さ又は深さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系１６と、出射した干渉ビームを受光する光検出手段２８と有する。微分干渉光学系のリターデーション量は、ｍを零又は正の整数とした場合に、第１と第２のサブビームとの間に（２ｍ＋１）π又はその近傍の位相差が形成されるように設定し、前記光検出手段から出力される出力信号のバックグランドの輝度レベルがほぼ零となる検査状態において基板表面を照明ビームにより走査する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上に形成されたチップ内の直接周辺回路部の近辺に存在する致命欠陥を高感度に検出することができる欠陥検査装置及びその方法を提供する。
【解決手段】被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系とを備えた欠陥検査装置において、前記検出光学系で取得される光学条件若しくは画像データ取得条件が異なる複数の画像データから領域毎に複数の異なる欠陥判定を行い，結果を統合して欠陥候補を検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】量産装置としての完成度が高く、かつ、大気中でのレンズを使用した検査光学系を使用できるＤＵＶ光を使用したマスクブランクの検査方法において、わずか数ｎｍの微細な凹凸欠陥（位相欠陥）を高感度に検出できる技術を提供する。
【解決手段】第１画像検出器ＳＥ１をレンズＬ３の結像面１６よりも光路長がＸＬ１だけ短い位置に配置することにより、マスクブランクＭＢ上の検査光照射領域１２の拡大検査像を負のデフォーカス状態で収集する。これに対し、第２画像検出器ＳＥ２をレンズＬ４の結像面１７よりも光路長がＸＬ２だけ長い位置に配置することにより、マスクブランクＭＢ上の検査光照射領域１１の拡大検査像を正のデフォーカス状態で収集する。 （もっと読む）

【課題】吸収体パターンを被着させる前のマスクブランクの段階で位相欠陥を検出することが可能な装置を提供する。
【解決手段】マスク検査装置１００は、ＥＵＶ光を反射する多層膜が形成されたマスクブランクの表面に照明光を照明する照明光学系と、マスクブランク表面から反射された同じ位置の像について、異なるデフォーカス量でデフォーカスさせた位置で撮像するセンサ１０５，３０５と、異なるデフォーカス量で撮像されたマスクブランク表面の同じ位置での第１と第２の光学画像を用いて、マスクブランクの欠陥の有無を判定する判定部１７６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 疑似欠陥を発生させることなく、暗視野像の取得によりマスクの欠陥を高い感度で検出する。
【解決手段】 半導体露光用マスクの欠陥の有無を検査する方法であって、マスクに任意波長の光を入射させ暗視野像を取得する光学系を用い、マスク上にて均一な暗視野像が得られる任意の一部領域をジャストフォーカス位置から離れたデフォーカス位置に配置して像を取得する。取得された一部領域の像の信号強度と、所望検査領域と一部領域の面積比を用い、所望検査領域において検出しきい値以上の信号強度を示す信号数が目標擬似欠陥数以下になるように検出しきい値を決定する。次いで、マスクをジャストフォーカス位置近傍に配置して所望検査領域の像を取得する。そして、取得された所望検査領域の像の信号強度が前記検出しきい値以上を示す信号を欠陥として判定する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を光源として用いた場合、照射密度が高い細いビームが第一平面鏡及び第二平面鏡の同じ個所に長時間照射されると平面鏡の表面が劣化、反射率が低下し十分な光量が確保出来ない為、光軸自体を変えないで、平面鏡の長寿命化を行う点である。
【解決手段】レーザ光源３から発振するレーザ光Ｌ１は、第一，第二平面鏡４ａ，４ｂによって軌道を偏向され、ビームエキスパンダ５に入光する。この第一，第二平面鏡４ａ，４ｂは、レーザ光Ｌ１を照射されていると表面が劣化し、反射率が低下する。この低下によりビームエキスパンダ５に入光される光量が基準値以下にならないようにレーザ光Ｌ１の照射が一定時間を越えたところで光軸自体が変わらない様、レーザ光源３が照射する第一平面鏡４ａ上及び第二平面鏡４ｂ上の位置を、各々平面鏡４ａ，４ｂを含むその面上にて鏡面を回転させられる構造、または鏡面を回転ではなく平行移動させられる構造とする。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光を検査光とする多層膜マスクブランクのマスクブランク検査装置において、プラズマ光源の位置を短時間で、かつ正確に位置決めする。
【解決手段】ＥＵＶ光検出用フォトダイオード２４によりＥＵＶ光を捉えるマスクステージ７の位置をあらかじめ記憶し、この位置におけるＥＵＶ光の第１強度分布を計測しておく。光源６を再設置した後、ＥＵＶ光を捉えるマスクステージ７の位置でのＥＵＶ光の第２強度分布をＥＵＶ光検出用フォトダイオード２４の位置座標の関数として計測し、第１強度分布と第２強度分布とが一致するように光源微動機構２３によって光源６を移動させる。さらに、散乱体２５にＥＵＶ光を照射し、散乱したＥＵＶ光の第３強度分布を２次元アレイセンサーＳＥで検知し、第３強度分布に応じて、光源６を光源微動機構２３によって移動させる。 （もっと読む）

【課題】周期性パターンが形成された基板は、周期性パターンの回折現象によって生じる擬似欠陥をスジ状ムラ欠陥として誤判断し易く、検査精度に問題が残る。本発明の課題は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、実欠陥と擬似欠陥とを高精度に弁別できる検査用パターン及び検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
ムラ欠陥検査装置に用いるムラ検査用パターンが、前記基板と同一の材料でかつ同一の製法でパターンが形成され、該パターンが互いに直行するＸ方向、Ｙ方向において、それぞれ最小パターンピッチをＭｉｎ、パターンピッチ増量分をΔ、最大パターンピッチをＭａｘとすると、Ｍｉｎ，Ｍｉｎ＋Δ，Ｍｉｎ＋２Δ・・Ｍｉｎ＋ｎΔ，Ｍａｘの少なくとも１種類のパターンピッチでパターンが等間隔に配列していることを特徴とするムラ検査用パターン。 （もっと読む）