【課題】高精度のパターン検査を行うことが可能なパターン検査方法等を提供する。
【解決手段】披検査パターンの設計データを、披検査パターンの検査に用いる照明の照明条件に依存した情報に基づいて加工する工程（Ｓ１２）と、加工された設計データから披検査パターンの参照データを生成する工程（Ｓ１４）と、実際に形成された披検査パターンのデータと参照データとを比較する工程と（Ｓ１５）、を備える。 （もっと読む）

【課題】電子回路基板の製造と共にマスク欠陥検査装置自体の検査を実行可能なフォトマスクを製造するフォトマスク製造方法、そのフォトマスクを用いたフォトマスク欠陥検査装置判定方法、及びフォトマスク欠陥検査装置判定装置を提供する。
【解決手段】電子回路基板を製造する際に用いられるフォトマスクの欠陥を検査するフォトマスク欠陥検査装置の検査をするための欠陥検査用パターンを、前記電子回路基板における電子回路領域を避けて配置したマスクパターンを示すマスクパターンデータを作成する作成段階と、前記作成段階により作成されたマスクパターンデータが示すマスクパターンを、フォトマスクに転写する転写段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被検体（ガラス板）の表面の欠陥を内部や裏面よりも高精度に検出する。
【解決手段】投光器から投光された検査光１７の一部に遮蔽部材２０を挿入することにより回折光１９を生成する。遮蔽部材２０の外側を通過した検査光１７はガラス板１１の表面１１ａ上の検査範囲１４を照明し、回折光１９はガラス板１１の裏面１１ｃの検査範囲２２と内部の検査範囲２３を照明する。回折光１９は、検査光１７よりも光強度が弱く、裏面１１ｃに近くなるほど更に弱くなる。ＣＣＤラインセンサカメラ１５は、検査範囲１４，２２，２３に欠陥が存在する場合、各欠陥からの散乱光を受光する。検査範囲１４の欠陥からの散乱光は強いから、微細な欠陥でも検出される。検査範囲２３の欠陥からの散乱光は弱いから、大きな欠陥のみが検出される。検査範囲２２の欠陥からの散乱光は検査範囲２３の欠陥からの散乱光よりも更に弱いから、より大きな欠陥のみが検出される。 （もっと読む）

【課題】マイクロリトグラフィー用マスクなどの対象物の検査装置。
【解決手段】対象物から放出される照明光をより長波長の光線へ変換するためのコンバータ、および画像記録のためのセンサが装備されていて、そのセンサが真空チェンバの外側にあって、真空チェンバからコンバータのセンサに到るまでの光学インタフェースとして配置されている、または結像対物レンズＯの少なくとも一部が窓として真空チェンバ内に配置されている、真空チェンバ内に存在する、特にマイクロリトグラフィー用マスクなど対象物ＯＦの検査装置。 （もっと読む）

【課題】光学画像のパターンと基準画像のパターンとの位置合わせを高い精度で行いつつ、且つ、高速で欠陥検出のできる検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】画像センサから試料の光学画像を取得する工程と、光学画像および判定の基準となる基準画像のいずれか一方について、そのＸ方向とＹ方向の移動量をそれぞれα（０≦α＜１）とβ（０≦β＜１）として、αおよびβと光学画像と基準画像の差分の２乗和との関係を表す方程式を求める工程と、この方程式から得られる差分の２乗和が最小となる（α，β）の組から、位置合わせに最適な移動量を求める工程とを有する。この方程式についてαおよびβの偏微分を解くことにより、位置合わせに最適な移動量を求めてもよい。 （もっと読む）

【目的】予め歪ませたパターンが形成された被検査対象試料をダイーダイ検査する際に、高精度な検査が可能なパターン検査装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置１００は、複数の同一パターンが形成位置にそれぞれ歪みをもって形成された被検査試料の光学画像データを取得する光学画像取得部１５０と、前記光学画像データを複数の部分光学画像データに切り出す切り出し部７２と、前記被検査試料に形成されたパターンの歪み量を取得可能な歪情報を用いて、前記複数の部分光学画像データの位置を補正する補正部７４と、補正された前記複数の部分光学画像データ同士を画素毎に比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周期性のあるパターンにおいて、回折光量差によるコントラストからパターン変動発生箇所を精度良く識別し、かつ、その変動発生周期を簡便に導出することによってパターン描画装置の状態監視を実施できるパターン描画装置の状態監視方法を提供する。
【解決手段】描画装置によって周期性パターンが形成された基板に照明光を斜め入射し、周期性パターンにより生じる回折光を用いて画像取得を行い、処理判定を行うパターン描画装置向け状態監視方法であって、前記周期性パターンのパターン情報入力工程と、位置決め工程と、パターンピッチと撮像分解能の関係から撮像倍率を決定するための撮像倍率設定工程と、デフォーカス工程と、デフォーカスさせた位置において、前記基板の周期性パターンを撮像し被処理画像を取得する撮像工程と、前記基板上で発生しているむら欠陥の発生周期を求めるむら欠陥周期算出工程と、前記基板上で発生しているむら欠陥が描画装置起因のものであるかどうかの判定を行う判定工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】表面に透明薄膜が形成された基板等の試料において、透明薄膜の上面の微小な異物、キズ等の欠陥を高感度且つ高速に検査することができる欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の欠陥検査装置によると、照明光学系は、試料の表面の法線に対して所定の入射角を有する検査用照明光を試料表面に照射し、試料表面にスリット状のビームスポットを生成する。試料の表面に対して所定の傾斜角にて傾斜した光軸を有する斜方検出系と試料の表面の法線に沿った光軸を有する上方検出系によって、ビームスポットからの光を検出する。斜方検出系と上方検出系の出力によって、試料の表面の透明薄膜上の欠陥を検出する。検査用照明光の入射角は、試料の表面の透明薄膜下面にて反射した反射光が透明薄膜上面にて全反射するときの入射角より僅かに小さい角度である。 （もっと読む）

【課題】
単一の統合条件においては複数の欠陥種を同時に検出することは困難であり、また、多次元の特徴量として扱って複数の欠陥を検出すると、信号処理にかかる計算コストが検出器の増加とともに増大するという問題が発生する。
【解決手段】
被検査対象物に照明光を照射する照明光学部と、前記照明光学部により照射され該被検査対象物から該被検査対象物の表面に対してそれぞれ異なる方位角方向および仰角方向に散乱する散乱光をそれぞれ検出する複数の検出器を備えた検出光学部と、前記複数の検出器により検出した該被検査対象物からの散乱光に基づく複数の信号のそれぞれについて、ゲイン調整および閾値判別に基づく欠陥判別を並列に行い、前記ゲイン調整および欠陥判別された結果に基づき欠陥を抽出する信号処理部と、を有する欠陥検査装置である。 （もっと読む）

【課題】設定された精度の検査結果を得るのに要する時間の点で有利な検査装置を提供する。
【解決手段】異物または欠陥としての不具合に関して物体を検査する検査装置は、光を照射された物体からの光を検出し、当該光の強度が閾値を超えた前記物体上の位置を示す信号を出力する検出部と、前記物体上の位置に異物または欠陥としての不具合が存在することを示す情報を出力する制御部と、前記物体上の位置に前記不具合が存在する確率を示す情報を記憶する記憶部と、前記不具合の検査漏れの数に対する上限値を示す情報を入力する操作部と、を備える。前記制御部は、前記検出部に既定回数（少なくとも１回）前記検出を行わせ、推定された総数と前記記憶部に記憶された情報が示す前記確率とに基づいて、決定された全回数から前記既定回数を減じた残り回数の前記検出を前記検出部に行わせる。 （もっと読む）

【課題】異物の付着した面が被検物の２面のうちのいずれの面であるかを検出することが可能な異物検査装置を提供する。
【解決手段】異物検査装置は、被検物に検査光を投光する投光部と、検査光が投光されることによって被検物から生じる散乱光の強度を検出する検出器を含む受光部と、制御部とを備える。検出器は、偏光方向が第１の方向である検査光が投光されることによって被検物から生じる第１の散乱光の強度と、偏光方向が第２の方向である検査光が投光されることによって被検物から生じる第２の散乱光の強度とを検出する。制御部は、検出器により検出された第１の散乱光の強度および第２の散乱光の強度の比が基準値より大きいか小さいかによって異物が付着した面が第１面および第２面のいずれであるかを判定する。 （もっと読む）

【課題】位相欠陥と、パターン欠陥または異物とを、同時に検出可能な検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置１００は、透過照明光学系３０１によってマスク１０１の一方の面に光を照射し、マスク１０１を透過した透過光を透過結像光学系３０３を介して第１のフォトダイオードアレイ１０４に結像する。また、反射照明光学系３０２によってマスク１０１の他方の面に光を照射し、マスク１０１で反射した反射光を反射結像光学系３０４を介して第２のフォトダイオードアレイ１０５に結像する。透過照明光学系３０１の瞳面には第１の開口絞り２０３が配置され、透過結像光学系３０３の瞳面には、第１の開口絞り２０３と共役な形状であって位相差フィルタを備えた第２の開口絞り２０８が配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板と屈折率が同等もしくは近い異物を高感度に検出できる基板の検査方法及び基板の検査装置を提供する。
【解決手段】プリズム１６の表面１６ａに形成された金属膜１５に対して基板２０に形成された凹凸パターンを近接させた状態で、プリズム１６の表面１６ａと金属膜１５との界面側から金属膜１５に光を照射して光の反射特性を取得する工程を複数の基板２０について行い、複数の基板２０間で反射特性を比較する。 （もっと読む）

本発明は、マスク検査装置の照明系及び投影対物系に関する。本発明の態様により、マスク検査装置の作動中の照明系（６１０）は、重心光線を有する照明光線束（６１５）を用いてマスク（６３０）を照明し、この重心光線は、マスク（６３０）上の照明光線束（６１５）の入射場所に依存する方向を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体用フォトマスクの欠陥検査装置等の大量の画像データを収集し、その画像データに基づいてコンピュータがフォトマスク上の欠陥を検出する装置などでは、画像データの任意の部分に直接アクセスできる一次記憶装置、即ちメモリ上にその全てを収納できるならばデータ処理の利便性が飛躍的に向上する。
【解決手段】メモリボード１に複数のソケット２を装着し、そこにＳＤカードなどの取り外し可能な不揮発性メモリ・カードを装着する。それをメモリボードの中心部に設けた制御回路４で制御することにより装着したメモリの容量の総合計が全体の容量となるメモリ・システムを構築した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被検査物の欠陥を確度よく能率的に検査可能な被検査物の検査方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の一つの態様は、被検査物を探傷し得られた被検査物画像に基づき被検査物画像データを生成する被検査物画像生成ステップと、同一寸法を有する複数の画像を被検査物画像から抽出するように複数の抽出画像データを含む抽出画像データ群を生成する画像抽出ステップと、抽出画像データ群から一の抽出画像データを選択し、検査画像データとする検査画像選択ステップと、検査画像データとして選択された抽出画像データ以外の抽出画像データのうち二以上の抽出画像データを抽出画像データ群から選択し、その二以上の抽出画像データを平均化処理して基準画像データを生成する基準画像生成ステップと、検査画像データと基準画像データとを比較し欠陥を検出する欠陥検出ステップとを含む被検査物の検査方法である。 （もっと読む）

【課題】複数の外観検査装置から出力される外観不良箇所の位置情報が大きな誤差をもつことが原因で、実施が困難な工程トレースを通常の自動撮像時に同時に実行する。
【解決手段】外観検査装置から出力される外観不良箇所の位置を、ＳＥＭ式レビュー装置内の絶対座標として記憶し、工程が異なっても、ユーザーが指示した絶対座標の自動撮像を実施することによって工程トレースが容易に実施可能となる。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造可能な検査装置を用いて、低メンテナンスコスト及び低検査コストで、マスクブランク用基板の内部欠陥（光学的不均一部分)を検出して、微細なパターニングに適応した基板、マスクブランク及び転写用マスクを高い歩留まりで製造する方法を提供する。
【解決手段】透光性材料からなる板状の基板２を準備する工程と、波長２００ｎｍ以下の検査光を基板２に照射し、基板２内を透過した透過検査光を板状の蛍光部材８で受光して蛍光に変換し、蛍光の強度分布から基板２の内部欠陥を検出する欠陥検査を行ない、内部欠陥がない基板２を選定する基板欠陥検査工程と、を有するマスクブランク用基板の製造方法、このマスクブランク用基板２の主表面４ａにパターン形成用の薄膜４２を形成するマスクブランク４０の製造方法、及びこのマスクブランクのパターン形成用薄膜４２の表面に転写パターンを形成する転写用マスク５０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】微細な欠陥の検査を精度よく且つ短時間に行うことができる欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】第１の光源２から出射された第１の波長を有する光を載置部１２に載置された被検査体へ導くとともに、被検査体からの第１の反射光を第１の検出部１０へ導く第１の光学系３と、第２の光源６から出射された第２の波長を有する光を載置部に載置された被検査体へ導くとともに、被検査体からの第２の反射光を第２の検出部１１へ導く第２の光学系９と、第１の光源と、第２の光源と、を制御する制御部１３と、を備え、前記制御部は、前記被検査体の検査対象部分の材質に応じて、第１の光源と、第２の光源と、を制御して、前記第１の波長を有する光と、前記第２の波長を有する光と、の切り替えを行うことを特徴とする欠陥検査装置１が提供される。 （もっと読む）

【課題】１つ以上の空間光変調器（ＳＬＭ）を用いて検査システム内の光学ビームの位相および／または振幅を変える方法を提供する。
【解決手段】試料を光学的に検査する装置１００は、入射光ビーム１１５を試料１１６上に導くビーム発生器１０２を含む。試料からの出力ビーム１２５は、結像光学系１２０、１２４を通して検出器１２６に向けて導かれる。この装置はさらに出力ビームまたは入射ビームのいずれかの光路内に配置されるプログラム可能な空間光変調器（ＳＬＭ）を含む。空間光変調器は、照射開口１０８と共に第１ＳＬＭを、視野開口（field aperture）１１２と共に第２ＳＬＭを含み、入射ビームまたは出力ビームの位相または振幅プロファイルを調節するよう構成される。空間光変調器は、異なる検査モードを達成するために入射ビームの照射プロファイルを変えるよう構成されえる。 （もっと読む）