【課題】
半導体等の製造工程で用いられる欠陥検査において、微弱な欠陥散乱光をもとに高速に検査するためにはゲインの高い検出器が必要であるが、一般的な検出器、典型的には光電子増倍管ではゲインを高くするに従い、暗電流ノイズが大きくなり、欠陥検出感度が低下する。
【解決手段】
試料からの反射散乱光を検出する検出光学系に複数の検出器を備え、弱い背景散乱光量を検出する検出器で画素数の少ない光子計数型検出器を適用するとともに、強い背景散乱光量検出する検出器で画素数の多い光子計数型検出器か、あるいはアナログ型の検出器を適用し、更に光子計数型検出器の適用によって発生する散乱光検出強度の非線形性を補正して欠陥散乱光検出信号を補正する。 （もっと読む）

【課題】 撮像カメラの処理能力に制約を受けることなく、検査時間を短縮することができる自動外観検査装置を提供する。
【解決手段】 テーブル部、走査ステージ部、ストロボ照明部、鏡筒部、撮像部並びに、予め登録しておいた検査条件に基づいて、撮像された検査対象物の画像の良否判断をする検査部とを備え、
走査ステージ部には、テーブルの現在位置を計測する位置計測手段が備えられており、
鏡筒部には、観察光を一部透過させると共に、角度を変えて一部反射させる、
光分岐手段が備えられており、
鏡筒部には、光分岐手段で分岐された光を各々撮像することができるように、撮像部が複数取り付けられており、
制御部は、ストロボ発光させる毎に、撮像に用いる撮像部を逐次変えて撮像を行う機能を備えていることを特徴とする、自動外観検査装置。 （もっと読む）

【課題】少ない光源による照明装置を用いて、構造物の表面の欠陥に発生する陰影を確実に認知できるようにする。
【解決手段】
複数の光源121-124から、各光源による光線の主要な照明領域が重複しないよう撮影領域を照射して撮影し、補正データ取得手段103が、欠陥のない撮影領域の撮影結果から、明度のムラを補正する補正データを取得し、欠陥を調査すべき撮影領域の撮影結果を、補正データを用いて補正し、撮影結果の明度のムラを平準化し、撮影結果に含まれる欠陥の影が、明度のムラにまぎれることなく、はっきり認識できるようにする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、加工物（８）内の中空空間（６）の内面（４）を撮影する装置（２）に関する。
【解決手段】 本装置（２）は、画像撮影機（１２）及びその後に配置された評価機器（１４）と画像を伝送できるように接続された全視界方式の光学系（１０）を備えている。更に、本装置（２）は、光学系（１０）によって検出される内面（４）の撮影範囲を照明する光源（１８）を備えた照明機器（１６）を有する。本発明では、照明機器（１６）の発光部材と偏光部材の一方又は両方（２０，２０’）が少なくとも一つ光学系（１０）のレンズ（２２）、特に、視野レンズ（２２）に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ウェハエッジ部の幅広い位置変化にも追従することができる光学式検査装置及びエッジ検査装置を提供する。
【解決手段】ウェハ１００の表面の欠陥を検査する表面検査装置３００と、この表面検査装置３００に対するウェハ１００の搬送路に設けたウェハステージ２１０と、このウェハステージ２１０上のウェハ１００のエッジ部を検査するエッジ検査部５３０と、このエッジ検査部５３０を当該エッジ検査部５３０の光軸に沿って移動させる移動装置６５０とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ケーラー照明系を用いたより安価な検査用照明装置を提供する。
【解決手段】検査用照明装置１０は、光源部２０と、光源部２０から発せられた光を平行光に変換するコリメータレンズ３０と、コリメータレンズ３０を通過した光を被検物体Ｗに向けて集光するためのフレネルコンデンサレンズ４０と、コリメータレンズ３０とフレネルコンデンサレンズ４０の間に配置されたシグマ絞り５０と、を備える。シグマ絞り５０とフレネルコンデンサレンズ４０の間には、アポダイジングフィルタ７０が設置されている。 （もっと読む）

【課題】 ウェハを検査する際の下地の影響を低減させた検査装置を提供する。
【解決手段】 検査装置１は、複数種の波長を有する照明光でウェハを照明する照明部３０と、照明光により照明されたウェハを撮影する撮影部４０と、複数種の波長毎に所定の重み付けを行って撮影部４０により撮影されたウェハの検査用撮影像を生成するとともに、生成した検査用撮影像に基づいてウェハにおける欠陥の有無を判定する画像処理部２７とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】より小型または簡単な構成で、より精度よく、半導体ウェハの表面に存在するソーマークの検出又は大きさの測定を行うことが可能な技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷの表面に対して斜め方向から、入射面において平行光である光を照射し、ラインセンサカメラ３、４で半導体ウェハＷの表面におけるライン状の領域３ａを撮影する。このことで、半導体ウェハＷの表面からの照射光の反射光または散乱光を検出し、この強度に基づいて、半導体ウェハＷの表面における線状の凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。光源装置１、２によって、ラインセンサカメラ３、４によって撮影されるライン状の領域３ａのラインに平行な方向から光を照射し、線状の凹凸の方向がラインの方向に直交するように配置された状態で、半導体ウェハＷの線状の凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。 （もっと読む）

【課題】
表面の異物や傷欠陥だけでなく基板の局所的な厚さの変化による欠陥まで検出することを可能にする。
【解決手段】
ガラス基板検査装置を、ガラス基板を透過した光を検出する第１の欠陥検出光学系と、ガラス基板を透過した光によりガラス基板の表面又は内部で発生した散乱光を検出する第２の欠陥検出光学系と、第１の検出光学系で検出した信号と第２の検出光学系で検出した信号とを処理する信号処理手段とを備えて構成し、信号処理手段は、第１の検出光学系手段からの検出信号を入力して処理することによりガラス基板の局所的な厚さの変化に起因する欠陥を検出し、第２の検出光学系手段からの検出信号を入力して処理することによりガラス基板の欠陥を検出するように構成した。 （もっと読む）

【課題】位相欠陥と表面異物とを識別できるＥＵＶマスク検査装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＥＵＶマスク検査装置は、ＥＵＶ光を出射するＥＵＶ光源１００ａと、ＥＵＶ光を伝播する第１多層膜楕円面鏡１０３ａ、第２多層膜楕円面鏡１０３ｂ、落とし込みＥＵＶミラー１０５を含む光学系と、ＥＵＶ光の光軸と同軸に導入され、光学系で伝播される紫外光を出射するＡｒＦエキシマレーザ１００ｄとを備える。紫外光は、ＥＵＶ光の光軸上に挿入された振り込みミラー１１３により反射され、ＥＵＶ光と同軸に導入される。 （もっと読む）

【目的】インテグレータレンズによって形成される複数の集光点に起因した光学素子の劣化を回避可能な検査装置を提供することを目的とする。
【構成】パターン検査装置１００は、レーザ光を発生する光源１０３と、レーザ光を入射し、入射されたレーザ光を分割して光源群を形成するインテグレータレンズ２０６と、インテグレータレンズの入射面の手前に配置され、インテグレータレンズに入射するレーザ光を散乱させる散乱板２０４と、インテグレータレンズを通過したレーザ光を照明光として用いて、複数の図形パターンが形成された被検査試料におけるパターンの欠陥を検査する検査部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高アスペクトの深溝パターンに存在する欠陥を高い精度で検出できる欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】実施形態の欠陥検査装置は、照射手段と、加震手段と、検出手段と、判定手段とを持つ。前記照射手段は、複数のパターンが形成された基体に光を照射する。前記加振手段は、欠陥が存在しない場合の前記パターンの固有振動数で前記基体を振動させる。前記検出手段は、振動させられている前記基体から発生する光を検出する。前記判定手段は、前記検出手段からの信号を処理して前記散乱光による前記基体の画像を生成し、前記複数のパターンのそれぞれの間で揺れ方の相違があるかどうかを検査し、検査結果から欠陥の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの構造や欠陥がばらついて適切な波長が変化しても欠陥を精度よく検出でき、かつ、スループットが速いパターン検査装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、パターン検出装置は、光を発生する光源と、前記光をラインビームに整形してウエハ上に照射する集光器とを備える。さらに、前記装置は、前記ウエハで反射した前記ラインビームを分光する分光器を備える。さらに、前記装置は、前記分光器により分光された前記ラインビームを検出し、前記ラインビームのスペクトル情報を保持する信号を出力する二次元検出器を備える。さらに、前記装置は、前記ウエハ上の繰り返しパターンの対応箇所から得られた前記スペクトル情報を比較する比較部と、前記スペクトル情報の比較結果に基づいて、前記ウエハの欠陥の有無を判定する判定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】
表面検査装置では、より粒径の小さいＰＳＬを使用することで、より小さい欠陥を検査することが可能となる。しかし、ＰＳＬの粒径は、有限である。このことから、従来の表面検査装置では、近い将来に半導体製造工程の検査で必要となるＰＳＬに設定の無いほど小さい粒径の欠陥をどのように検査するかということに関しては配慮がなされていなかった。
【解決手段】
本発明は、被検査物体で散乱，回折、または反射された光の、波長，光量，光量の時間変化、および偏光の少なくとも１つを模擬した光を発生する光源装置を有し、前記光を表面検査装置の光検出器に入射させるより微小な欠陥を検査することができる。 （もっと読む）

【課題】疑似位相整合型の波長変換光学素子におけるフォトリフラクティブ効果を抑制し得る手法を提供し、同効果に起因した問題を解決可能なレーザ装置等を提供する。
【解決手段】レーザ装置ＬＳは、レーザ光を出力するレーザ光出力部１と、レーザ光出力部から出力されたレーザ光を波長変換して出力する波長変換部３とを備える。波長変換部３には、波長λのレーザ光を波長λ／２のレーザ光に波長変換する疑似位相整合型の波長変換光学素子３１を備え、この波長変換光学素子３１の入射面及び出射面の少なくともいずれかに、波長がλ〜λ／ｎ（ｎ≧３）の光の反射率を低減する反射率低減コーティングが施されて構成される。 （もっと読む）

【課題】ステージ上で大きく撓むようなマスク基板のクロム膜等のピンホール欠陥を高精度に検出する。
【解決手段】基板の表面にクロム膜等のマスクパターンが存在すると、基板の表面へ照射された光線はそのマスクパターンの形状や欠陥によって散乱され、基板の表面側の周囲にのみ散乱光が発生するようになり、基板の裏面側に透過する光線は存在しない。一方、このマスクパターンにピンホールが存在する場合、そのピンホールのエッジにて散乱した光の一部は基板の表面側で周囲に散乱光として発生すると共にそのピンホールを介して基板の内部へ透過し、基板裏面側の周囲に散乱光として発生することになる。これらの基板の表面及び裏面で検出された散乱光を、基板の表面側及び裏面側に配置された散乱光受光手段でそれぞれ受光することによって、ステージ上で大きく撓むようなマスク基板のクロム膜のピンホールを高精度に検出する。 （もっと読む）

【課題】 透明な物体の表面に付着した微小な異物、及び透明な物体の表面の微小な欠陥を精度良く検出することができる観察装置を提供する。
【解決手段】 表面観察装置は、光源装置、偏光変換装置、ハーフミラー、レンズ、受光モジュール、回路基板、筐体、処理装置などを備えている。受光モジュールは、偏光フィルタ１５１、マイクロレンズアレイ１５３、イメージセンサなどを有している。そして、偏光フィルタ１５１の＋Ｚ側の面とマイクロレンズアレイ１５３との間隙Ｄｉｎｔは、マイクロレンズアレイ１５３におけるレンズピッチＰｍｌ以下となるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】検査対象物（例えば半導体パターン）の微細化により、検査すべき欠陥の大きさも微小化し、欠陥からの散乱光の強度が大幅に減少するが、このような欠陥からの微小な散乱光を検出するのに適した欠陥検査装置および方法を提供する。
【解決手段】表面にパターンが形成された試料１００に光を照射するレーザ光源１１１を備える照明光学系１１０ａと、前記照明光学系により照明された該試料から発生する光を検出するセンサ１２６を備える検出光学系１２０と、前記検出光学系により検出された光に基づく画像から欠陥を抽出する信号処理手段２５０と、を備え、前記検出光学系にて光を検出する間に前記センサの増幅率を動的に変化させることを特徴とする欠陥検査装置である。 （もっと読む）