【課題】各貫通穴の形状が異なっていても貫通穴の大きさが所定値以内であれば良品とするような良否判定を行える穴検査対象物の検査装置を提供する。
【解決手段】貫通穴が形成された後に搬送路の所定の位置を通過する穴検査対象物の一方の面に光を照射する光照射手段１１と、前記所定の位置を通過する際に光が照射された穴検査対象物の一方の面の裏側である他方の面を所定時間間隔で撮像する撮像手段１２と、良否判定装置１３とを備え、良否判定装置１３は、撮像手段により所定時間間隔で撮像された前後の各画像データにおける輝度のピークツウピーク値の平均値を求める輝度演算処理手段２１と、Ｘ＝（ＡＬ_ｐ−ｐ−ΣＡ_ｐ−ｐ）^ｎ−（ＡＬ_ｐ−ｐ−ΣＢ_ｐ−ｐ）^ｎに基づいて判定値Ｘを算出する判定値算出処理手段２２と、判定値Ｘに基づいて穴検査対象物の貫通穴の良否を判定する判定処理手段２３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】バンプ接合部を効率よくかつ精度よく検査する。
【解決手段】基板５３と半導体素子５１との間に形成されたバンプ５２を検査するバンプ検査装置は、基板５３と半導体素子５１との間にレーザー光を照射するレーザー照射装置１０と、バンプ５２を介して半導体素子５１が戴置された基板５３を保持するワーク保持部１４と、基板表面に対し垂直方向にレーザー照射装置１０を移動しながら、バンプ５２に向けて照射されるレーザー光の入射方向が、基板５３に対して平行方向になるようにレーザー照射装置１０からレーザー光を照射させるＸＹＺステージ１３と、バンプ表面から基板５３と平行方向に反射された反射光を受光する受光装置１１と、受光装置１１が受光した反射光の強度分布が所定の条件を満たすとき、バンプ５２の接合状態を良好と判定する制御部１７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】製品レチクルにＴＤＩセンサ撮像面積に比して充分な広さの黒領域及び白領域が存在しなくても、製品レチクルを用いてセンサアンプのオフセット及びゲインの調整が可能なレチクル欠陥検査方法及びレチクル欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】ＴＤＩセンサ１１の各画素の出力がセンサアンプ１５により増幅される。増幅された各画素の光量信号のボトム値が、オフセット／ゲイン調整手段１６のボトム値記憶手段１６ａにより記憶され、ピーク値がピーク値記憶手段１６ｂにより記憶される。各画素のボトム値に基づいて、オフセット算出手段１６ｃにより各画素のオフセットが算出される。各画素のオフセットと、各画素のピーク値とに基づいて、ゲイン算出手段１６ｄにより各画素のゲインが算出される。算出された各画素のオフセット及びゲインがレジスタ１５３に記憶されることで、センサアンプ１５のオフセット及びゲインが調整される。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク（マスク）の表面に透明粒子が散布されても、粒状物による影響なく、マスクの欠陥を正確に検出できる欠陥検査方法及び欠陥検査装置。
【解決手段】粒状物が散布されたマスクを照明する光源装置、マスクの透過光を受ける対物レンズ、対物レンズからの光を受けてマスクの透過画像を撮像する撮像装置を含むカメラヘッドとを用い、オートフォーカス機構（ＡＦ機構）により撮像装置のフォーカスを基準動作点に制御しながらマスクの透過画像を撮像し、撮像装置から出力されるビデオ信号に基づいて欠陥検出を行う。欠陥検査に先立ってＡＦ機構の基準動作点を設定する際、撮像装置のフォーカス点を対物レンズの光軸方向に変位させながら、マスクの透過画像を撮像する。また、粒状物の画像の輝度が周囲の画像の輝度とほぼ等しい輝度に移行するフォーカス点を検出する。最後に、検出されたフォーカス点をＡＦ機構のフォーカス位置の基準点に設定する。 （もっと読む）

【課題】欠陥判別のための比較器におけるしきい値を効率良く求める。
【解決手段】バンドパスフィルタ３０を通した受光信号をＡ／Ｄ変換部４１により、デジタルデータに変換する。演算制御部４２により、演算タイミング信号、演算期間信号、検査幅設定回路３２からの検査幅信号などに基づき、Ａ／Ｄ変換部４１でのＡ／Ｄ変換対象を検査領域内のみに特定し、一定期間この特定信号をＡ／Ｄ変換部４１に送る。ノイズ値演算部４３は、Ａ／Ｄ変換されたデジタルデータを演算処理して、平均値、最大ピーク値、最小ピーク値、標準偏差をノイズ値として求める。しきい値演算部４５は、ノイズ値に基づきしきい値を求める。しきい値はしきい値設定器３４により、比較器３３のしきい値として設定される。自動的にしきい値が設定されるため、欠陥検出条件の最適化を効率良く行うことができる。 （もっと読む）

【課題】校正サンプル、パターン検査装置および方法において、被検物に形成されるパターンに応じて、適切な検出感度が得られるように校正を行うことができるようにする。
【解決手段】パターン検査装置５０に、被検物である基板２０に形成されるべきパターンに応じて複数の校正用パターンを基板２０と同様の製造方法により形成したキャリブレーションサンプル１を検査位置に移動するサンプル移動機構２と、検査位置を照明する照明光学系３と、キャリブレーションサンプル１を撮像する撮像光学系５を設ける。そして統合制御手段１０により、キャリブレーションサンプル１の画像読取条件を調整できるようにする。 （もっと読む）

【課題】より短時間で被検査部材の壁面等の欠陥の検査が可能な欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】投光用光ファイバと受光用光ファイバとを用い、前記投光用光ファイバの出射面と前記受光用光ファイバの入射面が一定の距離を保つように対向させて配置するとともに、前記投光用光ファイバから出射する検出光を透過する被検査部材を前記投光用光ファイバの出射面と前記受光用光ファイバの入射面との間に配置し、前記投光用光ファイバの出射面及び前記受光用光ファイバの入射面を前記被検査部材の表面に沿って前記被検査部材に対して相対的に移動させ、前記投光用光ファイバの出射面から出射されて前記被検査部材を透過して前記受光用光ファイバの入射面に入射された検出光の強度の変化に基づいて前記被検査部材の欠陥を判定する。 （もっと読む）

【課題】各次数の回折光が小さい角度で生じる場合、特定の次数の回折光を検出する方法によらず、被検査物の周期構造の欠陥を検出する装置を提供すること。
【解決手段】周期構造が形成された被検査物に、光源からの光を略平行光として照射する光照射手段と、該被検査物から生ずる回折光の画像を検出する画像検出手段を有し、該画像検出手段は、前記回折光の光強度の包絡線におけるメインローブあるいはサイドローブにおいて、回折光強度がピーク強度より低く、０より大きい値を示す回折角度で回折光を画像検出することを特徴とする周期構造の欠陥検出装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ハーベスタで収穫されたサトウキビの梢頭部を収穫後に迅速且つ構成度で分別、除去するサトウキビ梢頭部の識別装置を提供する。
【解決手段】本発明は、製糖原料であるサトウキビの茎部と、ショ糖の結晶化を阻害し製糖効率を低下させるサトウキビの梢頭部とを分別する、製糖工程におけるサトウキビ梢頭部の識別装置に関する。同装置では、サトウキビ１にレーザ光源３からのレーザ光を照射し、後方反射光を光センサ７にて検出して、信号処理部９にて得られた受光パターンに基づいて茎部と梢頭部とを識別する。 （もっと読む）