説明

Fターム[2G052AA13]の内容

サンプリング、試料調製 (40,385) | 対象試料 (4,333) | 半導体 (284)

Fターム[2G052AA13]に分類される特許

1 - 20 / 284



【課題】試料作製装置及び試料作製方法において、簡便な方法により加工対象の試料の膜厚を測定すること。
【解決手段】試料Sに第1の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第1の二次信号Is1を取得するステップと、試料Sに第2の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第2の二次信号Is2を取得するステップと、第2の二次信号Is2と第1の二次信号Is1との比Is2/Is1を算出するステップと、比Is2/Is1が試料Sの膜厚tに依存することを利用し、比Is2/Is1に基づいて膜厚tを算出するステップと、算出した試料Sの膜厚tに基づき、膜厚tが目標膜厚t0となるのに要する試料Sの加工量を算出するステップと、試料SにイオンビームIBを照射して上記加工量だけ試料Sを加工して、膜厚tを目標膜厚t0に近づけるステップとを有する試料作製方法による。 (もっと読む)


【課題】S/TEM分析のためにサンプルを抽出および取り扱うための改善された方法および装置を提供すること。
【解決手段】本発明の好適な実施形態は、ラメラを基板表面を有する基板から抽出するための装置であって、1以上のステージ・コントローラに接続された基板用の可動ステージと、マイクロプローブと、可動ステージ上に設けられて基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダが基板を保持しているときに基板表面に対してある斜角で基板表面に光を当てるための斜照明と、基板を撮像する光学顕微鏡とを備える。 (もっと読む)


【課題】FIB加工装置で試料を加工するにあたって、FIB加工装置の真空装置内でプローブ先端に付着した異物を、真空状態を維持したまま除去することが可能な試料作製方法を提供すること。
【解決手段】作業が失敗してプローブの先端部に試料片の一部または全部が異物として付着してしまった場合に、真空を保持したまま、試料片の一部をイオン液体(常温溶融塩)に接触させてから引き離すことによって、前記異物がプローブの先端部から除去されることを特徴とする試料作製方法。 (もっと読む)


【課題】基板から試料を抽出するための効率的な方法。
【解決手段】集束イオンビームのようなビームを使って複数回の重なり合う切り込みを入れて試料のまわりに溝を作り、次いで当該試料の下を切って切り離す。切り込みの側壁が垂直でないため、重なり合う切り込みは以前の切り込みによって形成された傾きのある側壁上に入射する。大きな入射角のため、切削スピードが大幅に向上し、複数回の重なり合う切り込みを行って広い溝を生成することに必要な時間は、試料の周に沿って単一の深い切り込みを入れるよりも短くできる。 (もっと読む)


【課題】S/TEMサンプルの調製および分析用の改良された方法および装置を提供すること。
【解決手段】本発明の好ましい実施形態により、TEMサンプル作成用、特に小さい形状(厚さ100nm未満)のTEMラメラ用の改良された方法が提供される。本発明の好ましい実施形態は、TEMサンプルの作成および分析のプロセスの労力を低減し、TEM分析のスループットおよび再現性を高めるために、TEMサンプル作成を一部または全部自動化する方法を提供することにより半導体ウェハ上に製造される集積回路または他の構造などの対象に対するS/TEMベースの計測用のインライン・プロセスも提供する。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子線装置に新たに別の装置を設けることなく、真空状態において試料の加工,観察,追加工を行う装置及び方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の真空室内にイオン液体を充填した液体浴と超音波振動手段を配置し、イオン液体と試料の加工対象領域が接触した状態において、イオン液体中に超音波振動を伝搬させて試料を加工する。
【効果】荷電粒子線装置に新たに別の装置を設けることなく、真空状態において試料の加工,観察,追加工ができるため、スループットを向上させるとともに、大気の影響を防止する。 (もっと読む)


【課題】分析時におけるバックグラウンドノイズを大幅に低減することが可能な微小試料台を提供すること。
【解決手段】微小試料台100は、半導体基板よりなる微小試料台基部10の一面に成膜により一体化された微小試料搭載用薄膜20を有する。微小試料台基部10はV字形状の溝11を有し、微小試料搭載用薄膜20は溝11の上面と溝11の最深部との間に設けられた上端面21を有する。V字形状の溝の両側面は(111)面である。微小試料台基部10の上面13と微小試料搭載用薄膜20の上端面21との間の部分が微小試料70のガード部となる。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハ上に形成されたエピタキシャル層の層厚測定用試料を簡便に製造できる層厚測定用試料製造装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層3が形成されたウエハ片1を、そのエピタキシャル層3の一部を残してエピタキシャル層3をエッチングして層厚測定用試料を製造し、エッチング後のウエハ片1上に段差として残ったエピタキシャル層3の層厚を測定するための層厚測定用試料製造装置10において、ウエハ片1を挟み込む開閉自在の2枚の樹脂板11,12と、これら2枚の樹脂板11,12の一方に設けられ、ウエハ片1上に形成されたエピタキシャル層3の一部をエッチングから保護すべくエピタキシャル層3の一部と密着するエッチング防止ゴム13とを備えたものである。 (もっと読む)


【課題】一定面の微小な特定箇所を分析する試料用の保護具において、分析対象箇所の最表面にも汚染や状態変化が生じない状態で試料を加工出来る分析用試料の保護具を提供する。
【解決手段】板状の分析用試料に載置される分析用試料の保護具であって、
桶状体と、この桶状体の外側底部を囲繞し、前記分析用試料と気密に接合する再剥離が可能な接着部と、を備えるものとする。ここで、前記桶状体の内側壁面に橋架されたつまみ部を備えることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 蛍光X 線分析装置において高精度な分析結果を得る方法及び装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板を酸蒸気に暴露する工程と、酸蒸気に暴露された前記半導体基板の表面の不純物を酸溶液で走査回収する工程と、前記走査回収した酸溶液を前記半導体基板上で濃縮乾燥させ濃縮乾燥物に変える工程と、前記濃縮乾燥物を全反射蛍光X線分析で測定し第一の測定値を得る工程と、前記半導体基板を酸蒸気に暴露する工程の後に、前記半導体基板上で前記濃縮乾燥物の位置とは異なる位置を全反射蛍光X線分析で測定し第二の測定値を得る工程と、前記第二の測定値を用いて前記第一の測定値の精度の確認を行う工程とにより半導体基板の分析を行う方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は電子顕微鏡用針状試料の作製方法に関し、針状試料を簡単に作製することを目的としている。
【解決手段】電子顕微鏡で観察するための針状試料を作製する方法であって、目的試料を載置用試料上に載置する工程と、前記目的試料を前記載置用試料上に固定する工程と、前記目的試料と前記載置用試料に集束イオンビームを照射して、前記目的試料と前記載置用試料からなる薄片試料を作製する工程と、前記薄片試料を溶液に入れて、前記載置用試料を溶解せしめて目的試料のみにする工程と、残った目的試料を溶液から取り出す工程とを含んで構成される。 (もっと読む)


【課題】基板上の半導体デバイスを均一に汚染した試料を作成できる試料汚染方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の実施形態に係る試料汚染方法は、汚染物を含有する薬液を筺体内へ噴霧する工程と、噴霧により薬液が充満した筺体内へ半導体基板を搬入する工程と、薬液が充満した筺体内へ半導体基板を所定時間放置する工程と、所定時間経過後に、半導体基板を筺体内から搬出する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】減厚による歪緩和の影響を補正して、バルクの結晶中の歪を測定する。
【手段】結晶基材を含む被測定試料に集束イオンビームを照射して減厚し、被測定試料薄片とする減厚工程と、減厚工程途中の複数時点で、被測定試料薄片に集束電子線を照射して高角度散乱電子の電子線強度I1〜I3を測定する工程と、前記複数時点で、結晶基材の格子定数を電子線回折法により測定し、被測定試料薄片の歪E1〜E3を算出する工程と、散乱電子の電子線強度I1〜I3及び歪E1〜E3に基づき、散乱電子の電子線強度Iを変数とする歪の近似式E=E(I)を作成する工程と、減厚に伴い歪緩和が始まる臨界厚さに等しい厚さの結晶基材に、集束電子線を照射したとき測定される高角度散乱電子の臨界電子線強度Ioを予測する工程と、臨界電子線強度Ioを近似式E=E(I)に代入して、被測定試料の歪Eoを算出する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】シリコンウェーハ等のシリコン試料の所望領域において、ドーパント種(B、P)を特定および定量するための手段を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様は、シリコン試料の一部または全部を分解すること、上記分解後に得られるシリコンを含む溶液を加熱蒸発させること、ただし、液滴が1滴残留している状態で加熱蒸発を停止し、上記液滴を回収し、該液滴中に含まれるボロンおよびリンからなる群から選ばれるドーパント元素を誘導結合プラズマ質量分析装置により分析すること、を含むことを特徴とする、シリコン試料の分析方法に関する。 (もっと読む)


【課題】シリコンウェハの金属不純物の元素情報及び空間情報を高感度且つ高精度で取得することができ、加えて低コスト且つ簡便に実現することができるシリコンウェハの金属不純物分析方法を提供する。
【解決手段】気相エッチング用のO/HF混合ガスをシリコンウェハ表面に噴射し、シリコンウェハ表面を気相エッチングする。これにより、第1表層のシリコンが分解され、該第1表層に含まれる金属不純物がその位置をほぼ維持したまま第1表層分解後のシリコンウェハ表層に蓄積する。また、第1表層分解後のシリコンウェハ表面は、O/HF混合ガスによる気相エッチングにより鏡面化される。その後、気相エッチングにて鏡面化されたシリコンウェハ表面をTXRF法にてスキャンし、シリコンウェハの第1表層に含まれる金属不純物の面内分布情報を取得する。 (もっと読む)


【課題】本願の目的は,イオンビームによる断面形成時間を短縮する加工方法,およびウェーハから微小試料を分離する加工時間を短縮する加工方法,およびイオンビーム加工装置を提供することにある。
【解決手段】本発明によるイオンビーム加工装置は,真空容器41を有しており,真空容器内には,デュオプラズマトロン51,非軸対称イオンビームレンズ52,ステンシルマスク57,などから構成されており,断面に垂直方向に急峻なビームプロファイルを持つアルゴンイオンビームにより試料11から微小試料139を摘出する。
【効果】本願によると,デバイス製造ウェーハ検査・不良解析のための断面観察結果が短時間で得られる。さらに試料を取り出したおよびウェーハをプロセスに戻しても不良を発生させない新たな検査・解析方法,および高歩留まりの電子部品製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】所望の被測定箇所における不純物の検出下限値を向上させ、正確に不純物濃度を測定する。
【解決手段】本発明の表面不純物測定方法は、まず、被測定物200の表面における被測定箇所に溶媒を滴下する。このとき、溶媒を留めておくための溶液保持部材(たとえば小片化基板420)を、被測定物200の一部領域上に載せた状態で、溶媒を保持することにより試料溶液300を作製する。次いで、試料溶液300を溶液抽出部560で抽出する。その後、試料溶液300の不純物分析を行う。 (もっと読む)


【課題】試料識別標記や特異元素で構成されたマスクや試料ホルダを要せず、試料を試料ホルダに搬送する前に試料ホルダを短時間で自動識別する分析装置を提供する。
【解決手段】本発明の分析装置は、カセット21の種類を識別するカセット部20と、試料Sが挿入される挿入口83、および、試料が載置される輪状の台座82を有する試料ホルダ8と、カセット21から試料ホルダ8へ試料Sを搬送する搬送手段23と、試料ホルダの挿入口の径方向端84または輪状の台座の内径方向端85を検出して、載置されるべき試料の直径に対応した試料ホルダの種類を識別する試料ホルダ識別信号を発信する試料ホルダ識別手段35と、カセット識別信号および試料ホルダ識別信号に基づいて、カセット21に収納されるべき試料の直径と試料ホルダ8の台座に載置されるべき試料の直径とが合致しているか、否かを判定する判定手段40とを備える。 (もっと読む)


【課題】短時間で容易に、半導体デバイス基板の微小な欠陥部を特定でき、透過形電子顕微鏡観察に適した薄片試料とすることが可能な半導体デバイス基板の欠陥部観察用試料の作製方法を提供すること。
【解決手段】光学顕微鏡によって、観察対象である、シリコン半導体基板上に形成された半導体デバイス内の微小欠陥部の上部表面に電子ビーム、レーザーなどでマーキングして位置を特定する第1工程、該特定場所を支持台に固定する第2工程、基板の両面からのFIB加工によって表面を削って電子が透過する程度に薄くして平面観察用試料を作成する第3工程、STEMで観察することにより微小欠陥部を特定する第4工程、微小欠陥を特定した後にSEM観察して、欠陥部上に新たにマーキングする第5工程、FIBで切断して断面観察用試料とする第6工程を実施する。 (もっと読む)


1 - 20 / 284