【課題】 試料のレーザアブレーション量を求めることができるレーザアブレーション装置及びレーザアブレーション量算出方法を提供する。
【解決手段】 レーザアブレーション装置２においては、試料Ｓに対するレーザアブレーションが開始されると、演算部５０によって、光検出器４５により測定されたレーザ光のエネルギから、光検出器４３，４４により測定されたレーザ光のエネルギが減ぜられて、試料Ｓに照射されたレーザ光のうち試料Ｓに吸収されたレーザ光のエネルギが算出される。更に、演算部５０によって、試料Ｓに吸収されるレーザ光のエネルギと試料Ｓのレーザアブレーション量との相関関係についての情報に基づいて、試料Ｓに吸収されたレーザ光のエネルギから、試料Ｓのレーザアブレーション量が算出される。 （もっと読む）

【課題】 導出されるキャリアガス中の微粉体物又はガス化物の元素組成比を時間の経過に対して安定化させることができる試料室、レーザアブレーション装置及びレーザアブレーション方法を提供する。
【解決手段】 試料室４０は、レーザアブレーションの対象となる試料Ｓが配置されると共に、試料Ｓに対するレーザアブレーションによって生じる微粉体物又はガス化物を搬送するためのキャリアガスＧが流通する内部空間４２を有している。内部空間４２を画定する側壁面４３には、試料Ｓが配置される位置に対して一方の側Ａに位置する複数のキャリアガス導入口４４、及び試料Ｓが配置される位置に対して他方の側Ｂに位置するキャリアガス導出口４５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】多層薄膜が表面に形成された試料に対して、試料調整を行わず、同一元素が複数の層に含まれていても多層薄膜標準試料を用いず、試料の各層の組成と膜厚を算出する分析方法および装置を提供すること。
【解決手段】試料にレーザビームを照射するレーザ照射手段と、試料をサンプリング範囲内に移動させる移動手段と、レーザビームの作用により試料から発する物質を捕集するサンプリング手段と、レーザビームの作用により削られた深さを測定する深さ測定手段と、サンプリング範囲毎に捕集された物質の組成を分析して試料の各層の組成と膜厚を算出する分析手段とを用いる。 （もっと読む）

【課題】高分子材料の光劣化に関する化学的知見を極く短時間で得られる高分子試料分析装置を提供する。
【解決手段】複数の気相成分を生成する気相成分生成手段２と、キャリヤガスを気相成分生成手段２に導入するキャリヤガス導入手段１５と、該気相成分を個々の成分に分離する分離手段４と、分離された成分を検出する検出手段５とを備える。高分子試料に紫外線を照射する紫外線照射手段１１と、雰囲気ガスを気相成分生成手段２に導入する雰囲気ガス導入手段１６と、分離手段４に導入されるガスを、キャリヤガスと雰囲気ガスとに切替るガス切替手段１７とを備える。雰囲気ガス導入手段１６から導入されるガス雰囲気下、紫外線照射手段１１により紫外線を照射して、該高分子試料を劣化分解させる。劣化分解後、ガス切替手段１７により分離手段４に導入されるガスをキャリヤガスに切り替え、気相成分をキャリヤガスにより分離手段４に導入する。 （もっと読む）

【課題】 試料室等の内壁への微粒子の付着を抑えることができるレーザアブレーション用試料室、レーザアブレーション装置及び試料分析装置を提供すること。
【解決手段】 レーザアブレーション用試料室５は、試料４を収容するための試料室本体５ａと、この試料室本体５ａの上部に設けられ、試料４に照射されるレーザ光を透過させる窓部５ｂとを有している。試料室本体５ａは導電性材料で形成されている。試料室本体５ａは接地電極３４と電気的に接続されている。このため、試料室５内に発生した静電気は、試料室５の外部に逃されることになる。これにより、試料室５の内壁への微粒子の静電的な付着が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を効率よく分解することができる処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置１は、ドラフト内に設置されており、内部にシリコン基板２１と、分解液２２とが充填される容器１１と、加熱部１２と、支持板１３とを備える。支持板１３上にシリコン基板２１を設置し、容器１１内に配置する。支持板１３は、容器１１の容器本体１１１内に所定の角度を持って傾斜して配置されており、分解液２２の液面と平行に配置されていないので、分解液２２の気化を妨げることがない。これにより、シリコン基板２１の分解を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

本発明は、例えば集積回路（ＩＣ）といったような、モールド組成物内に封入されたデバイスの繊細な構造を露出させるための方法およびシステムに関するものである。レーザーを使用することにより、モールド組成物を蒸発させて除去することができ、これにより、直下の構造を露出させることができる。レーザービームを、デバイスの表面上にわたって所望ラスターパターンでもって走査することができる。あるいは、デバイスを、レーザービームに対して相対的に、所望パターンに沿って駆動することができる。蒸発除去プロセスによって放射されたレーザープルームに関してスペクトル解析を行うことにより、蒸発除去された材料の組成を決定することができる。 （もっと読む）