【課題】本発明は、ＴＥＭ観察に用いる試料をイオンミリング法により作製するに当たり、イオンビームが試料台をスパッタすることにより生じる試料台物質が試料表面に付着するいわゆるリデポジッションの少ない試料を作製する試料台を提供する。
【解決手段】頂角が１２０度以下の三角形あるいは扇形で、先端部の厚さが１μｍ以上５μｍ以下で、先端から離れるにつれて傾斜断面を有し、傾斜断面の鉛直方向に対する傾斜角を５度以下とする導電性材料であり、ＴＥＭ観察用試料ホルダ及びイオンミリング装置用試料ホルダに固定するための穴を有することを特徴とするイオンミリング用試料台である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術
を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ表面の金属汚染を簡便かつ高感度に分析するための手段を提供すること。
【解決手段】酸化膜付きシリコンウェーハ３を冷却しつつ、フッ化水素ガスと接触させることによりウェーハ表面に結露（但しシリコン酸化成分を含まない）を発生させることによって、シリコンウェーハ表面の酸化膜をエッチングする方法。上記方法によりシリコンウェーハ表面の酸化膜をエッチングにより除去し、酸化膜除去後のシリコンウェーハ表面に溶液を走査させた後、該溶液中の金属成分を分析することを含む酸化膜付きシリコンウェーハの金属汚染分析方法。上記金属汚染分析方法を使用する酸化膜付きシリコンウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ステージを傾けることなく薄片試料を試料ホルダに固定でき、スループットを高めてより短時間で効率良くＴＥＭ試料を作製すること。
【解決手段】ステージ上に載置された試料Ｓから薄片試料２を取り出した後、該薄片試料を試料ホルダ３に固定してＴＥＭ試料１を作製する方法であって、集束イオンビームによるエッチング加工により試料を穴掘りし、平面視矩形状に形成された薄片本体２ａと該薄片本体の側面の一部から側方に向けて突出した突出部２ｂとで一体的に形成された薄片試料を作製する工程と、薄片試料を試料ホルダの近傍まで移動させる工程と、突出部が試料ホルダの表面に接触するように薄片試料を試料ホルダに接触させる工程と、原料ガスを突出部の周辺に供給しながら該突出部の近傍に向けて集束イオンビームを照射して、デポジション膜Ｄにより突出部と試料ホルダとを固定する工程と、を備えているＴＥＭ試料作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＦＩＢ加工で試料からより微小な試料片を摘出し、電子顕微鏡観察用試料に加工する際に、ＦＩＢのイオンビームが微小試料片固定用の電子顕微鏡観察用試料支持部材に照射されず、試料への再付着が生じない電子顕微鏡観察用試料支持部材を提供することにある。
【解決手段】 薄片固定部５が微小試料片２よりも充分に薄いため、イオンビーム６を傾斜し微小試料片２の中央部の電子顕微鏡観察用試料部に照射しても薄片固定部５を削らないようにしての加工が可能となり、これにより薄片固定部５からの微小粉末の発生も生じないため、観察試料への再付着も起こらない。 （もっと読む）

【課題】グロー放電により試料を掘削する試料掘削装置において、試料の大きさ及び形状に関わらずに掘削を可能とし、試料と電極との間の距離を適切に調整することができる試料掘削装置及び試料ホルダを提供する。
【解決手段】グロー放電により試料を掘削する試料掘削装置は、円筒部（端部）１２ｂを有する陽極１２と試料ホルダ２とを備え、試料ホルダ２は、一端が開口端となり他端が閉口端となった筒状筐体部２１と、一端が試料保持端となった試料保持部２２とを有する。試料保持部２２は、試料保持端を開口端と同じ向きに向けて筒状筐体部２１に螺着される。試料ホルダ２は、試料Ｓを保持した試料保持端を陽極（電極）１２の端部に対向させて配置される。螺着の際にねじ込む深さを変更して筒状筐体部２１に対する試料保持部２２の位置を調整することにより、試料保持部２２で保持した試料Ｓと陽極１２の円筒部１２ｂとの距離を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】断面加工方法および装置において、断面加工の加工効率を向上することができるようにする。
【解決手段】観察目標断面２、または観察目標断面２を含む観察領域で、試料１の断面観察を行うために、試料１に対して順次除去加工を施すことによって破断位置を移動させて破断面１ｃを形成していく断面加工方法であって、観察目標断面２の近傍において破断面１ｃが形成可能な範囲に、除去加工によって破断可能、かつ破断面１ｃ内で破断形状が識別可能となるマーク部４Ａ、４Ｂを形成するマーク部形成工程と、このマーク部形成工程で形成されたマーク部４Ａ、４Ｂを含む範囲で、試料１およびマーク部４Ａ、４Ｂに対して除去加工を施して、破断面１ｃを形成する断面形成工程と、この該断面形成工程で形成中または形成後の試料１の断面の観察像を取得する観察像取得工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム照射で変質しやすい試料を、操作性やスループットを損なわずに正確にイオンビームエッチング加工する手段を提供する。
【解決手段】 イオンビーム鏡筒１と電子ビーム鏡筒２を有し、イオンビームによるエッチング加工中の試料の状態を電子ビームによる観察あるいは計測可能な装置において、第一に加工部分全体を含む電子ビームによる二次信号による観察像を取得し、第二に前記観察像の中で照射可能領域７と照射禁止領域８を設定し、第三に前記照射可能領域７のみに電子ビーム照射を制限する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを用いたマイクロサンプリングにおいて、試料加工の妨げとなる、スパッタリングされた物質の試料表面への付着を防止する試料の作製方法を提供する。
【解決手段】試料片１２の一方の側方に試料基板１０と接続した支持部２５を残し、他方の側方である側方側領域２７、前方側領域２１、及び後方側領域２３を掘り下げ加工する。具体的には、抽出すべき試料片１２の周囲を、前方側領域２１において、表面２６から６５°〜９０°の傾斜角で試料片１２から離れた位置から試料片１２へ向かって深くなるように、かつ試料片１２に隣接する前方側隣接領域２１ａを、試料片１２の高さの１．２〜１．５倍の深さに掘り下げる。 （もっと読む）

【課題】短時間で観察箇所を平面的に薄膜化したＴＥＭ用平面試料を作製すること。
【解決手段】基板１からマーク２ｂ（観察箇所）を含むとともに柱状になっている試料２を切り出す。その後、試料２を９０度回転する。その後、試料２のマーク２ｂが配された面の反対側の裏面とダミー基板９の側端面とを接着する。その後、試料２のマーク２ｂが配された面から所定の厚さを残すようにして、試料２の側端面から所定の深さで、試料２とダミー基板９との接着面と平行に試料２の裏面側の部分を切削することで、試料２に突出部２ｅを形成する。その後、試料２をダミー基板９から分離する。その後、試料２の突出部２ｅがキャリア６の端面からはみ出すようにして、試料２をキャリア６に接着する。その後、試料２の突出部２ｅの端面の法線方向から収束イオンビーム４を照射して観察箇所を平面的に薄膜化することによって薄膜加工面２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜材料からなる試験片を用いて精度良く引張試験を行う。
【解決手段】引張試験に用いられる薄膜試験片構造体１であって、試験対象部２ａ及びそれに連続する荷重伝達部２ｂが設けられた薄膜試験片２と、薄膜試験片２の試験対象部２ａを除いた少なくとも一部を支持する支持部材３とを備え、支持部材３は、荷重伝達部２ｂに接合された試験片支持部３ａと、薄膜試験片２と離隔した周囲に配置されたフレーム部３ｃと、試験片支持部３ａをフレーム部３ｃに対して引張方向に相対変位可能に連結する弾性連結部３ｄ，３ｅとを有している。 （もっと読む）

【課題】透過電子顕微鏡用試料作製方法の生産性を向上させる。
【解決手段】透過電子顕微鏡で観察可能な略平面状の仕上げ面Ｗｂ１と、微小ピンセット５０によって仕上げ面に触れることなく把持可能な把持部Ｗｂ２とを有する透過電子顕微鏡用試料片Ｗｂを作製する方法であって、試料本体Ｗａから、試料本体と連結部で連結された該試料片を、荷電粒子ビームで切り出す第１の工程と、第１の工程で切り出した該試料片の仕上げ面を微小ピンセットで覆い隠しながら、該試料片の把持部を微小ピンセットで把持する第２の工程と、第２の工程において微小ピンセットで把持した該試料片を、該試料片の把持状態を維持しながら荷電粒子ビームで連結部を切断することによって試料本体から切り離す第３の工程と、第３の工程で切り離した該試料片を、微小ピンセットで試料ホルダに搬送して固定する第４の工程とを備えることを特徴とする透過電子顕微鏡用試料作製方法を提供すること。 （もっと読む）

【課題】従来の冷却技術の欠点を解消する。
【解決手段】サンプル１の冷却に適した超急速冷凍装置１００は、基板チップ１０と、少なくとも一のサンプル担持体２０と、を備える。基板チップ１０は、サンプル１の冷却に適している。少なくとも一のサンプル担持体２０は、サンプル１の収容に適していると共に少なくとも一の加熱可能支持体２１を備える。少なくとも一のサンプル担持体２０は、基板チップ１０に少なくとも一の加熱可能支持体２１を通じて取り付けられている。好ましくは、少なくとも一のサンプル担持体２０は、懸架状態で基板チップ１０に取り付けられている。さらに、サンプル１を超急速冷凍する方法が記載される。少なくとも一のサンプル担持体２０を、基板チップ１０に対して温度勾配が形成される加熱状態と、基板チップ１０に対して熱平衡が形成される冷却状態との間で切り替え可能である。 （もっと読む）

【課題】 簡便に試料小片の姿勢を９０度、１８０度、あるいは任意の角度だけ回転させて試料台に固定可能な装置を提供すること。
【解決手段】 試料７の表面とマニピュレータ回転軸２の交点を一端とする試料表面に垂直な線分をマニピュレータ回転軸２の周りに回転して得られる円錐側面と、試料表面の２つの面によってつくられる交線１１に、試料小片の特定の方向を一致させた後、試料小片をマニピュレータで支持し、マニピュレータ回転軸２を動作させることを特徴とする試料作成装置。 （もっと読む）

【課題】表面からは見ることのできない試料内部の要観察部位に位置を合わせて断面を作成できる試料作製装置を提供する。
【解決手段】試料Ｓについて、試料内部に存在する波線で囲まれた要観察部位Ｚの中央を通る平面ＡＡで切断し試料断面Ｓ２を得たい場合、遮蔽板４３のエッジが試料Ｓ上で平面ＡＡの位置に来るように遮蔽板を位置合わせする。遮蔽板４３は矢印４７で示す方向に移動可能であり、試料Ｓ上方の撮像素子３６で撮像しモニタ３７上に映し出されるＸ線顕微鏡像中の遮蔽板の影を観察することにより位置が視認でき、オペレータはＸ線顕微鏡像中の試料Ｓの要観察部位と遮蔽板４３の重なり具合を見ながら、矢印２７方向に遮蔽板４３を調整する。 （もっと読む）

【課題】試料全面からのものではなく、試料表面の特定部分からの吸着物，含有物の評価を容易にできるようにする。
【解決手段】図２（ａ）のような酸化膜付きシリコンウエハを用い、その表面に図２（ｂ）のように例えばアセトンを滴下する。その際、アセトンが塗布されなかった箇所の裏面に、例えばＡｌ膜パターンを図２（ｃ）のように成膜し、このような試料を試料ホルダ（上部電極）にセットして真空排気を行ない、熱酸化膜とＳｉの浅い層が残るようＳｉのドライエッチングを施す。その後、この裏面エッチングを施した試料をサンプリング室へ搬送し、剛性のある針でつついて脱落させ、エッチング穴の直下に配置した石英の試料皿で“アセトンが付いていないであろう特定部”をキャッチし、この試料皿を分析室に搬入した後、脱離ガス分析を行なう。 （もっと読む）

【課題】 試料の断面部の画像を得るための方法及びシステムの提供。
【解決手段】 試料の断面部をさらすように試料を粉砕するが、断面部が、第一材料から製造された少なくとも一つの第一部分と第二材料から製造された少なくとも一つの第二部分を備えるステップと；断面部を平滑にするステップと；断面部の少なくとも一つの第一部分と少なくとも一つの第二部分との間で形状差を生じるように断面部のガス援助エッチングを行うステップと；断面部を導電物質の薄層で被覆するステップと；断面部の画像を得るステップと；を含み、粉砕するステップ、平滑にするステップ、エッチングを行うステップ、被覆するステップ、画像を得るステップが、試料が真空のチャンバ内に配置されている間に行われる。 （もっと読む）

【課題】共通のイオンビームカラムを用いて試料の加工とダメージ層の除去とを迅速に実行することができるイオンビーム加工装置及び試料加工方法を提供する。
【解決手段】ガスイオン源１１から引き出されたイオンビーム１２を試料３１に導くイオンビーム光学系と、イオンビーム１２を通過させてイオンビーム１２の断面を成形する開口１５ａ〜１５ｃを有するマスク１５と、ガスイオン源１１に印加する加速電圧及びマスク１５の動作を制御するイオンビームカラム制御部１８とを備え、イオンビームカラム制御部１８は、マスク１５の開口１５ｂ，１５ｃに通して断面成形した高速加工用のイオンビーム１２を投射して試料３１又は試料片５０を加工する手順と、高速加工用のイオンビームに比較して加速電圧を下げ、加工後の試料３１又は試料片５０の観察面にイオンビーム１２を投射して観察面のダメージ層を除去する手順とを実行可能である。 （もっと読む）

【課題】 例えば透過型電子顕微鏡用の試料を比較的容易に形成することができるようにする。
【解決手段】 比較的大きな直方体形状のガラス基板１上の全面に形成された試料層４の上面の一部に厚さ２．２μｍのマスク５を形成する。次に、マスク５を含む試料層４およびガラス基板１の上面側をアルゴンイオンエッチングにより２μｍ程度除去し、ガラス層３、試料層４およびマスク５からなる試料部形成用凸部２を形成する。次に、試料部形成用凸部２の中央部両側に、集束イオンビームの照射による掘削加工により、溝６を形成し、両溝６間に残存された試料部形成用凸部２により試料部７を形成する。以上の工程は、比較的大きな直方体形状のガラス基板１に対して行なえばよく、ガラス基板１の運搬等を比較的容易に行なうことができる。なお、ガラス基板１を試料支持部材８に固着すれば、その取り扱いをさらに容易とすることができる。 （もっと読む）

【課題】３ＤＡＰの試料作製に対する加工時間が短く、試料に異物が混入しないような試料作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の試料の作製方法は、基板に溝加工を施す事により島状構造体を形成する工程と、前記島状構造体に等方性エッチング処理を施し針状体を形成する工程と、前記針状体の少なくとも先端部に分析対象を膜状に形成する工程と、を備える。本発明の構成によれば、等方性エッチング処理による全面エッチングを行うことにより、島状構造体を針状に形状調整すると同時に異物の除去を行うため、レジストなどの異物が残留しにくいという効果を奏する。 （もっと読む）