【課題】試料の特性に左右されることなく、グロー放電により試料を確実に掘削する。
【解決手段】グロー放電掘削装置１は、連続的に給電を行う連続モード及び断続的に給電を行う断続モードの切替が可能であり、グロー放電に伴う熱により溶融しやすい試料Ｓ、グロー放電に伴うスパッタリングの威力により壊れやすい試料Ｓ等に対しては断続モードで給電を行うことで、良好な観察を行える観察面を得られるように試料Ｓの掘削を行う。試料Ｓが溶解しやすい及び壊れやすい特性を具備しないときは、連続モードで給電を行うことにより効率良く良好な観察面が得られるように試料Ｓの掘削を行う。 （もっと読む）

【課題】球状黒鉛鋳鉄品の供試材の研磨作業の自動化などによって正確な品質評価を従来よりも大幅に短い時間で実施し、また、研磨作業者に提供する作業環境を改善する。
【解決手段】リニアガイド３１１は、略円柱形状の供試材を把持するための３本の爪を有する３点式チャック３３０を該球状黒鉛鋳鉄品質測定装置１０００の装置内においてｘ軸方向に案内する。３点式チャック３３０によって側面を把持される供試材は、研磨用の４つのディスクを有する研磨手段２００によってその底面が研磨される。３点式チャック３３０によって把持される供試材の底面は、水平に保持される。球状黒鉛鋳鉄品質測定装置１０００のカメラ室１６０には、顕微鏡１５３を備えたモノクロＣＣＤカメラ１５０と光源装置１７０とが配設され、カメラ１５０の光軸は鉛直方向に設けられている。光源装置１７０から出力される光は、光ケーブル１５２を介して顕微鏡１５３に供給される。 （もっと読む）

【課題】 集束イオンビーム微細加工装置を用いたフォトマスクの孤立パターンの欠陥修正時のチャージアップに起因する問題点を解決する。
【解決手段】 孤立したパターン間に集束イオンビームCVD金属デポジション膜空中配線7を形成して導通させチャージアップの影響を無くしてから欠陥3を修正する。修正後不要となった金属デポジション膜空中配線7をイオンビームエッチングで除去する。孤立したパターンにX方向及びY方向にFIB-CVDで金属デポジション膜空中配線を形成してチャージアップの影響を無くした状態で、X方向及びY方向の金属デポジション膜空中配線を加工時のドリフト補正のマーカーとして使用し、ドリフト補正を行いながら欠陥を修正する。修正後不要となった金属デポジション膜空中配線をイオンビームエッチングまたはAFMスクラッチ加工で除去する。 （もっと読む）

【課題】 微小試料を把持するための機構では角度ズレ、先端形状に起因する試料の姿勢変化がある。
【解決手段】 把持体１８をＦＩＢなどの荷電粒子ビームで加工を施すことにより、ビームに対して平行な把持面を形成することができ、また把持面に付着したダストも除去する。荷電粒子ビーム照射される装置内でＴＥＭ試料に代表される微小試料を荷電粒子ビームによるエッチングで切り出すことで作製して運搬するとき、試料は荷電粒子ビーム照射方向にエッチングされるので把持体１８の把持面１９を試料の断面加工と同じ方向で加工することができるので、試料と把持面１９とを平行な面に作製することができ、試料を把持したときの試料の姿勢変化を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＡＥＳによる断面加工試料の測定において、断面のエッチングによるクリーニング操作から断面の観察、測定操作までにかかる複雑なステージ操作工程や、さらにＣＭＡを搭載したＡＥＳにおける複数試料観察の際の角度微調節といった工程の削減を可能とする試料台の提供を目的とする。
【解決手段】試料台（１）に傾斜角度５０°〜６０°の傾斜面２面からなる傾斜部分（２）を設けることにより、エッチング後、試料ステージの反転操作を行なわずに観察、測定操作を可能とし、また、傾斜部分（２）に並列に試料（５）を固定できる構造により、観察断面の方向をそろえることを可能とすることで位置調整に要する操作を削減することが出来る。 （もっと読む）

【課題】試料作製及び試料観察を効率よく行う。
【解決手段】イオン銃１１のイオンビーム照射口は試料表面に対向するように試料室５内部に設けられ、イオンビーム照射口から試料ホルダー４にセットされた試料表面に直接イオンビームを照射することができるので、大面積の薄片加工が可能となる。またイオン銃１１は希ガスのイオンビームを試料表面に照射するので、試料の材質を問わずに安定的にドライエッチングを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】
シリコンウェーハ表面上の珪素を効率よく脱離することができるシリコンウェーハ表面の珪素脱離方法、この珪素脱離方法を適用することにより採取した液体サンプル中のシリコン含有量を低く抑えることができるようにしたシリコンウェーハ表層下領域の液体サンプル採取方法、及びこの採取方法により採取した液体サンプルを用いて分析することにより分析感度を向上させ高感度で安定した分析が行えるようにしたシリコンウェーハ表層下領域の金属不純物分析方法を提供する。
【解決手段】
ＨＦ溶液、ＨＮＯ₃溶液及びＨ₂ＯのそれぞれをＮ₂ガスでバブリングする工程と、シリコンウェーハを収納したチャンバー内に前記それぞれの溶液の揮発蒸気を含んだＮ₂ガスを導入し当該シリコンウェーハをエッチングする工程と、前記エッチングされたシリコンウェーハをＮ₂ガスでブローすることにより前記シリコンウェーハ表面上の珪素を蒸発する工程と、を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】グロー放電を利用した円柱状又は棒状の試料の側面の掘削を可能とする試料掘削方法、及び試料掘削装置を提供する。
【解決手段】アルゴンガス（不活性ガス）が供給される試料室（処理室）３内で、グロー放電管１が備える電極に対して、棒材等の円柱状の試料Ｓの側面を対向配置する。モータ３８により試料Ｓを軸周りに回転させながら試料Ｓと電極との間に電圧を印加してグロー放電を発生させ、グロー放電に伴うアルゴンイオンのイオン衝撃により試料Ｓの側面を掘削する。円柱状の試料Ｓの側面が軸対称に掘削され、グロー放電発光分析による成分分析が可能となり、清浄に形成した試料Ｓの側面をＳＥＭ等で観察することも可能となる。 （もっと読む）

【課題】グロー放電を利用した球状の試料の掘削を可能とする試料掘削方法、及び試料掘削装置を提供する。
【解決手段】アルゴンガス（不活性ガス）が供給される試料室（処理室）３内で、グロー放電管１が備える電極に対向して下方に配置された載置部３１に球状の試料Ｓを載置し、複数のセラミックボール（球）３２によって試料Ｓの移動を拘束した上で、試料Ｓを電極に対向配置させる。超音波発振器（発振器）３３から振動を載置部３１に加えながら試料Ｓと電極との間に電圧を印加してグロー放電を発生させ、グロー放電に伴うアルゴンイオンのイオン衝撃により試料Ｓの表面を掘削する。振動によって試料Ｓはランダムに回転しながらほぼ等方的に掘削され、グロー放電発光分析による半径方向の成分分析が可能となり、清浄に形成した試料Ｓの表面をＳＥＭ等で観察することも可能となる。 （もっと読む）

【課題】 装置のコストアップが生じることなく探針の交換作業を効率的に行う。
【解決手段】 試料室２内において、第１の探針６の先端部をメタルデポジションによりダミー部材１１に固着し、イオンビーム１ｂの照射により第１の探針６を切断して先端側部分６ｂと基端側部分６ａとに分離し、ダミー部材１１を移動させて当該先端側部分６ｂを移動し、保持部材１３に固定された第２の探針１２を当該基端側部分６ａにメタルデポジションにより固着し、イオンビーム１ｂの照射により第２の探針１２と保持部材１３とを分離し、その後保持部材１３を第２の探針１２から移動させる。 （もっと読む）

【課題】 ボンディング界面に形成された金属間化合物を直接Ｘ線回折により同定するための試料の調整方法を提供する。
【解決手段】 ボンディング済みの金属細線と下地パッド金属との間において、ボンディングされた金属細線を物理的な力で剥離して露出した剥離面に、表面から内部に向かって断続的にＡｒイオンビームを照射してイオンエッチングし、順次新しい観察面を露出させてＸ線回折試料とする。金属細線と下地パッド金属とを物理的な力で剥離するに際し、ボンディングパッド上にボンディング済みのボンディングワイヤを含むように中空の容器を立て、該中空の容器内に熱硬化性樹脂を流し込み、熱硬化性樹脂を硬化させて金属細線を樹脂で保護した後に、物理的な力で剥離することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】試料の観察表面が変形したり、ダメージを受けたりせず、真空チャンバ内を排気する排気装置の負荷が増大しない顕微鏡用試料作成装置を提供することを課題とする。
【解決手段】真空チャンバ１内の試料５にイオンビームを照射するイオン銃（イオン照射手段）７と、真空チャンバ１内の試料５を観察可能な光学顕微鏡（観察手段）１１と、イオン銃７が試料５にイオンを照射できる第１の状態，光学顕微鏡１１が試料５を観察できる第２の状態を切り替える切り替え手段とを設ける。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で、イオンビームに対して試料の加工面が非直交の状態で、前記試料の加工面に対して直交する軸を中心に回転されながら、前記加工面にイオンビームが照射される試料作成装置に関し、操作性の良い試料作成装置を提供することを課題とする。
【解決手段】真空チャンバ１に取り付けられ、試料ホルダ７が設けられた筐体９に、試料ホルダ７の試料６が設けられた面７ａと直交するＸ軸（第１の軸）を中心に試料ホルダ７を回転させる回転機構と、Ｘ軸と直交するＺ軸（第２の軸）を中心に試料ホルダ７を傾斜させる傾斜機構とを設け、筐体９の真空チャンバ１の外側に位置する部分に、傾斜機構の操作部を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＭ観察に好適な試料を容易に作製可能な試料作製装置及び試料作製方法を得る。
【解決手段】イオンビームを形成する照射光学系と、試料の観察部位をイオンビームにより切り出してなる微小薄片試料と、この微小薄片試料が載置及び接着される試料ホルダと、微小薄片試料に接着されるプローブを有し、このプローブを介して該微小薄片試料を試料ホルダまで移送する移送手段とを備えた試料作製装置において、移送手段とは別に、三次元方向に駆動可能な、試料ホルダに載置または接着された微小薄片試料の姿勢を調整する姿勢調整ニードルを設けた。 （もっと読む）

【課題】表面の汚染物質を確実に除去することができる表面前処理方法及び表面前処理装置を提供すること。
【解決手段】グロー放電により発生させた不活性ガスイオンを試料表面に衝突させ、表面から飛び出した粒子をプラズマ中で励起するグロー放電発光手段を備えた装置に試料を設置し、試料表面をスパッタリングする第１工程と、プラズマ中で励起された粒子が基底状態に戻る際に放出するトータル発光量ＦＩを測定する第２工程と、トータル発光量ＦＩを測定しながら、１次微分値ＦＩ’及び２次微分値ＦＩ”を逐次算出する第３工程と、測定を開始してから最初に、１次微分値ＦＩ’の絶対値又は２次微分値ＦＩ”の絶対値の少なくとも一方が第１しきい値α以下となり、かつ、他方が第２しきい値β（０＜α≦β）以下になったときに、スパッタリングを停止させる第４工程とを備えた表面前処理方法、及び、表面前処理装置。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で試料の断面を広範囲に観察することができる試料観察方法及び試料観察装置を提供する。
【解決手段】微細パターンが形成されたウエハである平板状の試料Ｓに対して、グロー放電によって表面から深さ方向に掘削し、試料Ｓの表面から深さ方向に掘削断面を形成する。形成した掘削断面に電子線を照射し、ＳＥＭによって試料Ｓの掘削断面の観察を行う。グロー放電によって、試料Ｓの特定の位置に掘削断面を形成することができ、また試料Ｓの表面を広範囲に短時間で掘削することができる。従って、ウエハに形成された微細パターンの欠損の検査を、簡便に短時間で広範囲に実行することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料のマスク面側と搭載面とが非平行の場合に、平行に加工する必要が無く試料作製を容易に行うことができるイオンミリング装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、平面を有する試料を真空チャンバ内で試料ホルダユニットに固定してイオンビーム照射しミリング加工するイオンミリング装置において、前記試料ホルダユニットは、前記試料を前記イオンビームから遮蔽するマスクに接する前記平面に対してその裏面側の傾斜に沿って固定できる固定構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料の高さ方向の位置を容易に調節することが可能なホルダ装置、及びこのホルダ装置を用いた加工観察方法を提供する
【解決手段】ホルダ装置２５は、試料台１０及び試料台ホルダ３０で構成され、試料台ホルダ３０は、本体３１及びバネ３２を備えている。本体３１には、保持部３３が形成され、この保持部３３には、試料台１０を高さ方向に付勢するバネ３２が設けられている。試料台１０は、試料２０が固定される固定面１０ａと、挿入穴１１と、挿入穴１２とを備えている。バネ３２が挿入穴１１，１２のいずれかに挿入されるように、試料台１０を保持部３３に保持させて、ストッパ４１によって試料２０を位置決めした後、試料台１０が固定される。また、アダプタの突起部を挿入穴１１に挿入して固定することにより、試料台１０を研磨機専用の試料ホルダに装着することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスへの金属汚染の拡散を最小限度に抑制し歩留まりを向上させることができる荷電粒子線加工装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０に接続され非金属イオン種のイオンビーム１１を試料３５に照射するイオンビームカラム１と、イオンビーム１１により試料３５から切り出されたマイクロサンプル４３を摘出するプローブ１６を有するマイクロサンプリングユニット３と、マイクロサンプル４３とプローブ１６とを接着するガスを流出させるガス銃２と、イオンビームカラム１が接続されたと同一の真空容器１１に接続され汚染計測用ビーム１３をイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡に照射する汚染計測用ビームカラム６Ａと、汚染計測用ビーム１３を照射した際にイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡から放出される特性Ｘ線を検出する検出器７とを備えたことを特徴とする荷電粒子線加工装置。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子ビーム操作のためにサンプルを配向させる方法および装置を提供する。
【解決手段】サンプルが、サンプルの主表面がプローブ・シャフトに対して垂直ではない角度にある状態で、プローブに付着され、プローブ・シャフトは、サンプルを再配向させるために回転される。一実施形態では、サンプル・ステージに対して４５度などのある角度に配向されたプローブは、平坦領域がプローブの軸に対して４５度で平行に配向された、すなわち、平坦領域がサンプル・ステージに平行であるプローブの先端を有する。プローブ先端の平坦領域は、サンプルに付着され、プローブが１８０度回転されるとき、サンプルの配向は、水平から垂直に９０度変化する。次いで、サンプルは、ＴＥＭ格子をサンプル・ステージ上で垂直配向ＴＥＭ格子に付着される。サンプル・ステージは、薄くするためにサンプルの背面をイオン・ビームに向けるように回転および傾斜される。 （もっと読む）