【課題】 ＴＥＭ観察などに適した良好な薄膜試料を確実に作製できる試料作製方法および試料作製装置を提供する。
【解決手段】 高輝度画素抽出手段１０は、撮像手段８で撮像された試料像に対して、所定のしきい値Ｋより大きな強度を有し、且つ試料の薄膜化に伴ってその強度が前記しきい値Ｋより大きくなった高輝度画素Ｐを抽出する。判定手段１１は、高輝度画素抽出手段１０で抽出された高輝度画素Ｐがその試料像上において所定個数以上連なっているかどうかを判定する。判定手段１１は、高輝度画素Ｐが所定個数以上連なっていると判定した場合、試料へのイオンビーム照射を停止させる信号をイオン銃制御手段１２に送る。 （もっと読む）

【課題】 試料の特性に左右されることなく、グロー放電により試料を確実に掘削する。
【解決手段】 グロー放電掘削装置１は、連続的に給電を行う連続モード及び断続的に給電を行う断続モードの切替が可能であり、グロー放電に伴う熱により溶融しやすい試料Ｓ、グロー放電に伴うスパッタリングの威力により壊れやすい試料Ｓ等に対しては断続モードで給電を行うことで、良好な観察を行える観察面を得られるように試料Ｓの掘削を行う。試料Ｓが溶解しやすい及び壊れやすい特性を具備しないときは、連続モードで給電を行うことにより効率良く良好な観察面が得られるように試料Ｓの掘削を行う。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】 FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術を用いる。
【効果】 分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、微小試料片およびまたはその周辺領域を汚染することなく、確実で安定的な微小試料片の分離、摘出、格納を行う装置および方法を提供することにある。
【解決手段】試料基板から観察すべき領域を含む試料片をイオンビームスパッタ法により分離し、試料を押し込んで保持し、引き抜いて分離するための、根元に比較して先端が細く、該先端部が割れている形状で、該形状により得られる試料片を保持する部位の弾性変形による力で試料片を保持する棒状部材からなるはり部材を用いて、前記試料片を試料基板から摘出し、試料片を載置するための載置台上へ移動させた後、前記はり部材と前記試料片を分離することで該試料片の格納を行う。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームにより試料体が切除されて観察断面が更新された際に、観察断面に対する電子ビームの焦点を合わせるようにする。
【解決手段】 試料体２００にイオンビームＩＢを照射して観察断面２０２を形成するイオン銃１０２と、イオン銃１０２により形成された観察断面２０２に電子ビームＥＢを照射する電子銃１０４と、観察断面２０２と電子ビームＥＢの焦点との関係を調整する焦点調整部１０６と、イオン銃１０２のイオンビームＩＢの照射による試料体２００の切除量に基づいて、焦点調整部１０６を制御する焦点制御部１０８と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】 大気中で安定的な表面を有し、保管方法が簡便で寿命の長いＡＦＭ標準試料を提供すること。
【解決手段】 被検体の垂直方向の測定値を１０^−１０〜１０^−８ｍの分解能で直接的に校正する為に用いられるＡＦＭ標準試料であって、
主面として（０００１）面、または（０００１）面から１０度以内のオフ角度を持った面を有する単結晶サファイヤ基板からなり、該凹部の内側の面にステップ構造を有することを特徴とするＡＦＭ標準試料及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 断面観察用試料の観察面に残存する加工ダメージ層を簡単かつ迅速に除去する手段を備え、２次元キャリア分布測定を精度よく実施することが可能な断面観察用試料を作製する方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン基板上に不純物を導入したシリコン層を有する半導体デバイスの断面観察用試料片を作製する方法において、半導体デバイスの断面を露出させ、その断面を平坦化する加工を施した後、断面観察用試料をアルカリ金属水酸化物と過酸化水素とを含む強アルカリ性エッチング液に浸漬させ、さらに塩酸またはアンモニアと過酸化水素とを含む表面改質液に浸漬させて、加工ダメージ層を除去し、かつ、加工ダメージ層が除去された断面表面に均一なシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 イオンミリング装置において、かかる装置固有の照射角度の上限より大きな照射角度においてもイオンビームの照射を可能ならしめる試料固定用治具を提供すること。
【解決手段】 基準面に対して所定の照射角度にてイオンビームを照射することの出来るイオンミリング装置において用いられる試料固定用治具にして、前記イオンビームが照射される試料を保持する試料保持部材と、前記イオンミリング装置内の試料支持台に固定される台座と、該試料保持部材と該台座とを連結して、該台座上に該試料保持部材を支持する支持部材とから構成し、且つ、該試料保持部材を、前記基準面に対して傾斜した状態において、前記支持部材により前記台座に対して取り付けた。 （もっと読む）

【課題】 ナノレベル構造組成観察用試料の作製方法に関し、試料にダメージを与えることなく、より容易に保護層を除去する。
【解決手段】 試料母体の表面に保護層２を形成したのち、保護層２上から加工を施すことによって試料母体を針状試料１に加工する際に、針状試料１の頂部から遊離した保護層成分４を検出することによって加工の終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】 被加工物を外部に出さずに、容易に移し変えて効率良く加工を行うこと。
【解決手段】 予め決められた範囲の観察領域Ｗ内で被加工物Ｄ、Ｌを観察しながら集束ビームＢを照射して被加工物Ｄ、Ｌを加工する際に用いられるものであって、被加工物Ｄ、Ｌを上面２ａ、３ａにそれぞれ載置可能な載置台２、３を複数有するテーブル１０と、載置台２、３をそれぞれ上面２ａ、３ａに垂直なＺ軸回りに回転させると共に、上面２ａ、３ａを任意の角度に傾斜させる回転傾斜手段１１とを備え、テーブル１０が、観察領域Ｗ内に、複数の載置台２、３をそれぞれ配置させるように移動可能とされている加工用ステージ４を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板から試料を抽出するための効率的な方法。
【解決手段】集束イオンビームのようなビームを使って複数回の重なり合う切り込みを入れて試料のまわりに溝を作り、次いで当該試料の下を切って切り離す。切り込みの側壁が垂直でないため、重なり合う切り込みは以前の切り込みによって形成された傾きのある側壁上に入射する。大きな入射角のため、切削スピードが大幅に向上し、複数回の重なり合う切り込みを行って広い溝を生成することに必要な時間は、試料の周に沿って単一の深い切り込みを入れるよりも短くできる。 （もっと読む）

【課題】 本発明が解決しようとする課題は、メッシュのように表面の平坦度の問題やバックグランドノイズとなることが無く、試料の追加加工が可能であって、その作製に熟練技術を要しないでピンポイントサンプリングした試料を固定することができる試料台を提供することにある。
【解決手段】 本発明の試料台は、シリコン基板を素材として、形状と１０μｍ以下の厚さ構造を半導体シリコンプロセス技術によって作製し、本発明の試料台は、試料部分がかからないように半切りメッシュ上に試料台を貼着した。また、試料が取り付けられる箇所が同一基板上に複数個配置されるようにした。 （もっと読む）

【課題】マニホルドであって、これを通じて延びる所定パターンの流体導管を含むマニホルドと、マニホルドに取付けられたプラテンであって、複数のサンプル受容部分を含み、ここで、サンプル受容部分の各々が、マニホルドの少なくとも１つの流体導管と流体連絡する入口、および少なくとも１つの流体導管と流体連絡する出口を含むプラテン、とを備える、マニホルドアセンブリを提供すること。
【解決手段】自動化組織処理システムのためのマニホルドアセンブリであって、マニホルドであって、これを通じて延びる所定パターンの流体導管を含むマニホルドと、マニホルドに取付けられたプラテンであって、複数のサンプル受容部分を含み、ここで、サンプル受容部分の各々が、マニホルドの少なくとも１つの流体導管と流体連絡する入口、および少なくとも１つの流体導管と流体連絡する出口を含むプラテン、とを備える、マニホルドアセンブリ。 （もっと読む）

【課題】 基板表面に形成された膜の表面または膜中に存在する被測定物を溶解、乾燥させて基板表面に保持する気相分解装置などにおいて、基板表面に形成された膜が厚くてもマッピング分析が可能なものを提供する。
【解決手段】 基板表面１ａに形成された膜の表面または膜中に存在する被測定物を前記膜とともに反応性ガスにより溶解し、反応副生成物である水を不活性ガスおよび／または減圧により乾燥させて、被測定物を基板表面１ａに保持する気相分解装置２０であって、前記溶解と乾燥を繰り返すことにより、被測定物の基板表面１ａにおける位置を維持する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの表面近傍欠陥を容易に解析できる試料作製方法を提供する。
【解決手段】欠陥検出手段で検出した欠陥の位置座標を基準にして、その近傍にイオンビームなどによってマーキングし、試料を透過型電子顕微鏡で観察して、マーキングと欠陥との相対位置関係から、欠陥部を特定し、目的とする欠陥部を含む試料を確実に作製する。 （もっと読む）

集束イオンビーム３１２のスパッタリングエッチング加工を行って薄片を作製すると同時に、薄片の側壁に対して平行な方向から電子ビーム３１４の照射を行って走査電子顕微鏡観察をし、薄片の厚さを測定する。そして、薄片の厚さが所定の厚さになったことを確認して、集束イオンビーム３１２による加工を終了する。
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【課題】 観察に適した良好な試料を簡単に作製できる試料ホルダおよびイオンビーム加工装置を提供する。
【解決手段】 試料セット部９は試料貼付け面１０を有している。遮蔽材ガイド部１２は試料セット部９の上に配置されており、遮蔽材ガイド部１２は試料セット部９に固定されている。遮蔽材ガイド部１２は遮蔽材ガイド面１３を有している。試料貼付け面１０は遮蔽材ガイド面１３より所定量Ｄ＝４０μｍだけ下がった所に位置している。このように試料貼付け面１０が遮蔽材ガイド面１３より４０μｍだけ下がった位置に形成されているため、厚さ１００μｍの試料７を試料貼付け面１０に取り付けると、図２（ｄ）に示すように、試料７が遮蔽材ガイド面１３より６０μｍだけ前に出た状態となる。そして、厚さ２０μｍ程度の遮蔽材１６が遮蔽材ガイド面１３にセットされる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜化した試料に電子線を照射して観察、特にX線検出による元素分析を、背景雑音を低減して高精度、高分解能で行える試料観察装置および試料観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】 薄膜試料の直後に孔部を有する軽元素材料からなる部材５６を配置して、電子線８で該試料２２の特定部位を観察する。
【効果】 本発明により、薄膜試料に電子線を照射して観察する際に、該試料以外の部分から発生するX線、および、該試料以外の箇所で散乱されて再び該試料に入射する電子線を低減できる。これにより高精度、高感度な２次電子像観察および元素分析が可能となり、一段と微細化が進むＬＳＩデバイス等の内部観察等を、高精度、高分解能で実施できる試料観察装置および試料観察方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 単結晶試料又は配向性が高い多結晶試料であっても、電子後方散乱回折像のコントラストを改善することができる方法を提供する。
【解決手段】 試料の観察領域以外の領域にイオンビームを照射して結晶性を劣化させた劣化領域を形成する（ステップＳ１２）。その後、劣化領域における電子後方散乱回折像を撮像する（ステップＳ１３）。さらに、試料の観察領域における電子後方散乱回折像を撮像する（ステップＳ１４）。最後に、各回折像の間で、同一画素毎に回折強度の差を算出することにより回折像のコントラストを改善する（ステップＳ１５）。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子などの特定箇所の断面を透過型電子顕微鏡で観察するための簡易で確実性の高い電子顕微鏡観察用試料及びその作製方法を提供すること。
【解決手段】 観察用試料３の内部に不規則に存在する結晶欠陥などを観察するために、観察用試料３の観察対象領域を薄膜化してなるものであり、観察対象領域に複数の薄片１，２を形成すべく中間部分に凹状溝５ａが設けられているとともに、観察対象領域の両外側に加工溝５ｂが設けられてなる複数の薄膜化された薄片１，２を有している。従来の電子顕微鏡観察用試料は、Ｓｉなどの観察用試料に対し、１枚の薄片１１を形成しているのに対して、本発明では、観察用試料３に対し、凹状溝５ａと加工溝５ｂにより第１の薄片１と第２の薄片２の２枚の薄片１，２を形成している。 （もっと読む）