【課題】ＦＩＢ加工装置で試料を加工するにあたって、ＦＩＢ加工装置の真空装置内でプローブ先端に付着した異物を、真空状態を維持したまま除去することが可能な試料作製方法を提供すること。
【解決手段】作業が失敗してプローブの先端部に試料片の一部または全部が異物として付着してしまった場合に、真空を保持したまま、試料片の一部をイオン液体（常温溶融塩）に接触させてから引き離すことによって、前記異物がプローブの先端部から除去されることを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】基板から試料を抽出するための効率的な方法。
【解決手段】集束イオンビームのようなビームを使って複数回の重なり合う切り込みを入れて試料のまわりに溝を作り、次いで当該試料の下を切って切り離す。切り込みの側壁が垂直でないため、重なり合う切り込みは以前の切り込みによって形成された傾きのある側壁上に入射する。大きな入射角のため、切削スピードが大幅に向上し、複数回の重なり合う切り込みを行って広い溝を生成することに必要な時間は、試料の周に沿って単一の深い切り込みを入れるよりも短くできる。 （もっと読む）

【課題】安価な手段により、加工中に装置を開けることなく、エッチング部の（厚み方向の）貫通が完了したか否かを判断することができる断面観察試料の作製装置を提供する。
【解決手段】試料台、前記試料台上に被加工物を固定する試料固定手段、被加工物上に被加工物の表面を覆うように遮蔽板を固定する遮蔽板固定手段、遮蔽板に覆われていない被加工物の１断面にイオンビームを照射するイオンビーム照射手段、及び、試料台側に流れる電流をモニタリングする試料電流測定手段又は被加工物を照射せずイオンビーム照射面の反対側に漏れたイオンビーム量の測定手段を有することを特徴とする断面観察試料の作製装置。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡により高分子材料の相分離構造、ラメラ構造および結晶の配向状態を解析することが可能な高分子材料の微細構造の観察方法を提供する。
【解決手段】本発明の高分子材料の微細構造の観察方法は、高分子材料を所定の大きさに成形して、観察用の試料とする工程Ａと、前記試料を液状の透明樹脂で包埋する工程Ｂと、前記透明樹脂が硬化した後、クロスセクションポリッシャーにより、前記透明樹脂および前記試料を研磨し、前記試料の観察面の面出しを行う工程Ｃと、前記面出しされた観察面に、導電膜を形成する工程Ｄと、前記導電膜が形成された観察面を、走査型電子顕微鏡により観察する工程Ｅと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 観察対象部位が試料内部にある場合でも、集束イオンビーム加工装置を用いた断面加工を行って走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡を用いて精度の高い観察ができる電子顕微鏡用試料の作製方法を提供する。
【解決手段】 透明性を有する試料の内部に存在する観察対象部位とその試料の表面に存在する所定の目標物とが同一画像上に現れるように光学顕微鏡で試料を撮像し、撮像された顕微鏡像に基づいて、観察対象部位の位置情報を算出し、算出された観察対象部位の位置情報に基づいて、集束イオンビーム加工装置を用いて試料から観察対象部位を包含する微小片試料を摘出し、摘出した微小片試料を、集束イオンビームを照射することによって断面加工し、微小片試料の表面に観察対象部位を位置させる。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射を受けて遮蔽板が高温度となって遮蔽板の支持部材に熱膨張が発生して遮蔽板が移動しても、良好な断面試料を作製する試料作製装置を提供する。
【解決手段】遮蔽板を試料の一部が露出しその他が遮蔽されるように配置し、遮蔽板と試料６の露出部分に跨るようにイオンビームを試料６に照射することにより、試料６の露出部分をエッチングして試料断面を作製する試料作製装置であって、遮蔽板ステージ９と、前記遮蔽板ステージ９により基端部を支持され、先端側が自由端となされた支持部材と、前記支持部材の先端側に支持された遮蔽板とを備え、前記支持部材は、前記遮蔽板の前記支持部材の基端側に向かう一側縁が前記イオンビームの照射位置となるように該遮蔽板を保持し、この遮蔽板により前記イオンビームが遮蔽される位置に設置された前記試料の該遮蔽板の一側縁から露出した箇所への前記イオンビームによる加工を行わせるようにした。 （もっと読む）

【課題】 速やかにかつ簡便に絶縁性無機材料の焼結体の組織観察を行うことができる組織観察方法を提供する。
【解決手段】 本発明の組織観察方法は、鏡面研磨された焼結体である試料の表面に導電性コーティング層を形成する第一ステップ（ステップＳ４）と、集束イオンビームによって、前記表面に形成された前記導電性コーティング層の一部を除去することで前記試料の表面の一部が露出した観察面を形成する第二ステップ（ステップＳ５）と、走査型イオン顕微鏡による二次電子像で、前記観察面を観察する第三ステップ（ステップＳ６）と、を備えている。 （もっと読む）

個別の細胞を分離するのに便利な方法は、それらの内容物のそれぞれの解析を可能とする。目的の細胞をそれぞれ得るための捕捉支持体は、それぞれの細胞に適した大きさにした少なくとも１ウェルを含む第１表面を備え、支持体は、多様な透過性を有する材料が用いられ、溶媒及び任意の低分子量種は支持体の第２表面から支持体を通ってウェルに移動可能だが、実質的にバイオポリマーは不透過性である。捕捉された単一細胞の内容物を取り出し、個別の細胞の内容物について、その後、適切な分析成分、例えば固定された核酸プローブ、固定された抗体等を含むチャンバー内で分析する。これにより、単一細胞のゲノム、トランスクリプトーム、プロテオーム等の分析が可能である。
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【課題】 イオンビームによって削られた物質が遮蔽材や試料に再付着するリデポジションの影響を受けない平坦な試料断面を作製する試料作製装置及び試料作製方法を提供する。
【解決手段】 加工を始めるとき遮蔽材１２の端縁部を断面作製位置より試料の端部に近くに設定し、遮蔽材に遮蔽されない試料の突き出し部が狭くなるようにしておく。制御演算装置２０は試料６の突き出し部の切削が進行するのに合わせて、ピエゾモータ２２により試料ホルダ７を駆動し、試料を矢印方向に移動させる。遮蔽材１２の端縁部が断面作製位置に到達したら移動を停止させ、その状態でイオンビーム照射を継続し仕上げ加工を行なう。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁膜を含む層の境界を明確に判別可能とすることができる試料作製方法および試料作製装置を提供する。
【解決手段】有機絶縁膜と他の絶縁膜とが積層されてなる試料Ｗａに対して集束イオンビーム２０Ａを照射して試料の断面を露出させる断面露出工程と、断面に対して水または水蒸気を供給しつつ、集束イオンビームを照射して断面の各膜が判別可能となるように処理する断面処理工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 集束イオンビームを用いて透過型電子顕微鏡で観察をおこなうための薄膜試料を作製する方法において、大きな試料基板から観察所望部位を確実に抽出し、薄膜試料作製のための仕上げ加工を行なう際に、観察所望部位を試料ホルダに安定して保持することができるようにする。
【解決手段】 ナノピンセット４０の先端で、試料ブロック２７上部の凸部２７ａを掴む。試料ブロック２７を試料基板２３から掴みだし、シリコンブロック２９の端面２９ａに予め形成された溝４１に試料ブロック２７を差し込む。
試料ブロック２７の外壁面と溝４１の内壁面の摩擦力が大きくて、ナノピンセット４０で試料ブロックを把持する力だけでは試料ブロック２７を溝４１に圧入することが困難な場合は、試料ブロック２７の凸部２７ａの段差部をナノピンセット４０の先端で押圧する。 （もっと読む）

【課題】対象試料から薄片試料を切り出した後に、正確に対象断面に仕上げ加工を行うことが可能な薄片試料作製方法を提供する。
【解決手段】薄片試料作製方法は、対象試料の対象断面を含む位置に荷電粒子ビームを照射して、対象試料Ａに対象断面を含む薄片部を形成する薄片部形成工程Ｓ２と、細長な保持手段の先端によって薄片部を保持して薄片試料として対象試料から取り出す試料取り出し工程Ｓ３と、保持手段を軸回りに回転させることで、取り出した薄片試料を反転させる試料反転工程Ｓ４と反転した薄片試料の一部を、薄片試料を固定するための固定台に予め形成した薄片試料の側面を支持する挿入溝に挿入した後に、薄片試料と固定台とを少なくとも一箇所で接合させる試料固定工程と、固定台に固定された薄片試料の対象断面を含む面に荷電粒子ビームを照射する仕上げ工程Ｓ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム・システムにおけるビーム・ドリフトを補正する方法および装置を提供する。
【解決手段】ビームがサンプルを加工している間に、ビーム加工する改善された方法および装置がビーム・ドリフトを補正する。フィデューシャルを撮像し、ステージを移動させなくてもサンプルを加工できるように作動領域に十分近い位置にあるフィデューシャルを用いてビーム位置が整列される。加工中、ドリフトを予測するモデルを用いて、ビーム位置決めがドリフトに対して補正される。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢによって液体浸透性材料、熱、イオン衝撃に弱い材料の表面近傍の正確な断面情報を得る時に保護膜形成時に構造変化を発生しない保護膜形成方法を提供する。
【解決手段】ＦＩＢ装置による断面加工に用いる加工対象物表面に被覆する保護膜を、保護膜原料となるガス状物質を凝結固化させることにより形成する保護膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】試料加工方法および装置において、集束イオンビームを用いて試料の加工を行う場合に、試料の加工精度を向上することができるようにする。
【解決手段】試料１に位置参照マークを形成し、集束イオンビームによって位置参照マークを走査して、試料１における位置参照マークの位置情報を取得し、この位置情報に基づいて集束イオンビームの試料１に対する照射位置を補正して、試料１の加工を行う試料加工方法であって、試料１上に、マーク部３、４を形成し、集束イオンビームによって、マーク部３、４のいずれかを走査して、マーク部３、４のいずれかの位置情報を取得し、マーク部３、４のいずれかの位置情報に基づいて、集束イオンビームの試料１に対する照射位置を補正して、試料１の加工を行う。 （もっと読む）

【課題】微細に加工された半導体デバイス内の所望の箇所の３次元的構造を観察するための電子顕微鏡用試料作製装置、電子顕微鏡及びその方法を提供する。
【解決手段】試料片１０の加工にダイサーを用い、試料片上の観察対象となる部分を突起状に削り出す加工に集束イオンビーム加工を用い、試料片１０を１軸全方向傾斜試料ホルダに、突起１１の中心軸と試料傾斜軸Ｚを一致させて固定し、高角に散乱された電子で結像したＴＥＭ像を投影像として用い、再構成を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は試料作製方法及びシステムに関し、集束イオンビーム装置と走査電子顕微鏡を利用することによる、ＦＩＢ装置の時間効率を改善することを目的としている。
【解決手段】集束イオンビーム装置１０内にイオンビーム照射により薄膜試料を作製する加工手段を設け、走査電子顕微鏡２０内には前記試料を前記集束イオンビーム装置１０から試料ホルダ１２ごと移し替えたものに、ガスを噴射させるガス供給手段２２と、プローブ２４を有するマニピュレータ２３とを設け、前記プローブ２４を試料に接触させた状態で前記ガス供給手段２２よりガスを噴射させつつ、試料に電子ビームを照射することにより、前記プローブ２４に試料を接着させるように構成される。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを照射して加工する時に針状試料の先端の頂点周辺の汚染を抑えるとともに、針状試料の機械的な強度の低下を抑えたアトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】針状試料１０を、その先端１１側が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ先方を向きかつ基端１２側が集束イオンビームの進行方向後方を向くように、集束イオンビームの進行方向に対して針状試料の軸線Ｃ１が鋭角をなすように傾斜させて配置する。そして、針状試料をその軸線を中心に回転させながら、針状試料の先端に集束イオンビームを照射して加工する。 （もっと読む）

【課題】 例えば透過型電子顕微鏡用の試料を比較的容易に形成することができるようにする。
【解決手段】 比較的大きな直方体形状のガラス基板１上の全面に形成された試料層４の上面の一部に厚さ２．２μｍのマスク５を形成する。次に、マスク５を含む試料層４およびガラス基板１の上面側をアルゴンイオンエッチングにより２μｍ程度除去し、ガラス層３、試料層４およびマスク５からなる試料部形成用凸部２を形成する。次に、試料部形成用凸部２の中央部両側に、集束イオンビームの照射による掘削加工により、溝６を形成し、両溝６間に残存された試料部形成用凸部２により試料部７を形成する。以上の工程は、比較的大きな直方体形状のガラス基板１に対して行なえばよく、ガラス基板１の運搬等を比較的容易に行なうことができる。なお、ガラス基板１を試料支持部材８に固着すれば、その取り扱いをさらに容易とすることができる。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射により断面を露出させた試料を作製するため試料をイオンビームに対する所定位置に保持する試料作製装置において、イオンビームによる試料の加工中にイオンビームを遮断する遮蔽板のイオンビームに接近する方向への移動を防止し、良好な断面が現れた試料を作製する。
【解決手段】基端側を支持され先端側が自由端である第１の支持部材２と、第１の支持部材２の先端側に基端側を支持され先端側が第１の支持部材２の基端側に向けた自由端である第２の支持部材９と、第２の支持部材９に支持された遮蔽板１０とを備え、第２の支持部材９は、第１の支持部材２よりも熱膨張率の大きな材料によって形成され、遮蔽板１０の第１の支持部材２の先端側に向かう一側縁をイオンビームＢの照射位置として保持し、遮蔽板１０によりイオンビームＢが遮蔽される位置に設置された試料１０１の遮蔽板１０の一側縁より露出した箇所への加工を行う。 （もっと読む）