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Fターム[2G059BB16]の内容

光学的手段による材料の調査、分析 (110,381) | 測定対象 (10,253) | 半導体材料、半導体製品 (257)

Fターム[2G059BB16]に分類される特許

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【課題】金属の塗膜や半導体ウエハのエピ層等の積層膜中の欠陥検査の測定時間を短縮したテラヘルツ波を用いた検査装置及び検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】予め基準サンプルを用いてテラヘルツ波信号の時間波形を求め、時間波形の基準ピーク位置およびその近傍の基準測定位置の強度データを予め求めておくステップと、被測定物の測定点の時間波形について、基準ピーク位置および基準測定位置について、被測定物の強度データを求めるステップと、基準サンプルと被測定物との基準ピーク位置および基準測定位置の強度データを比較して、ピーク位置のずれと強度データの差とが予め設定された値以上の場合に異常と判定するステップと、から成り、時間波形を予め測定された基準位置の強度データのみをサンプリングして、測定時間を短縮するようにしたことを特徴とするテラヘルツ波を用いた検査方法。 (もっと読む)


【課題】テラヘルツ電磁波の検出精度を向上させることができるテラヘルツ放射顕微鏡、これに用いられる、光伝導素子、レンズ及びデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】光伝導素子は、基材と、電極と、膜材とを具備する。前記基材は、光源から発生したパルスレーザーが、観察対象であるデバイスに照射されることにより発生するテラヘルツ電磁波が入射する入射面を有する。前記電極は、前記基材に形成され、前記基材の入射面に入射された前記テラヘルツ電磁波を検出する。前記膜材は、前記基材の前記入射面に形成され、前記テラヘルツ電磁波を透過させ、前記パルスレーザーを反射させる。 (もっと読む)


【課題】OCT装置を用いて深さ方向の構造を確認すること。
【解決手段】OCT装置を用いて測定対象の3次元画像データを得てメモリに保持する。次いでx,yの各座標について深さ方向のデータの少なくとも一部を加算して加算した2次元画像を得る。そして2次元画像を表示し、この2次元画像から注目ラインを決定する。次に3次元画像データから注目ラインに沿ったz軸方向のデータを読み出して注目ラインに沿った断面画像を表示する。 (もっと読む)


【課題】不良と判定される欠陥を内在する半導体基板のウェハプロセスにおける製造効率を向上させ、良品率を向上させる。
【解決手段】ウェハ1を搬送してウェハ支持台4へ載置するための搬送装置3と、該ウェハ支持台4の位置を可変制御する駆動装置14と、該ウェハ1が載置される前記支持台4の位置の可変制御により、ウェハ1の上部に配設される照射光8を前記ウェハ1表面に走査させながら照射する光照射部6と該光照射部6に照射光8を供給する光源7と、前記ウェハ1表面からの散乱光9を検出する第1受光検出部13とウェハ1の透過光を検出する第2受光検出部10と、該受光検出部からの信号を受けて演算処理する演算部11と該演算部11からの信号を受けて画像として出力するモニター12とを含む半導体基板の欠陥検査装置。 (もっと読む)


【課題】ワイドギャップ半導体においても、CPM測定による欠陥密度の精度の高い評価を可能とする。
【解決手段】ワイドギャップ半導体のバンドギャップの波長(λEg)以下、所定の波長範囲以上におけるCPM測定で得られた照射光量から導出した吸収係数と、別途測定したワイドギャップ半導体のλEg以下の所定の波長範囲以上における吸収係数とのフィッティング値F(x)を0.0001以上1以下、好ましくは0.0001以上0.1以下とする。 (もっと読む)


【課題】酸素濃度が異なる場合にも対応して窒素濃度の値を求めることができるシリコン単結晶中の窒素濃度を算出する方法および抵抗のシフト量を算出する方法を提供する。
【解決手段】窒素をドープしたシリコン単結晶中の窒素濃度を算出する方法であって、前記窒素ドープシリコン単結晶における、酸素ドナーを消去する熱処理後の抵抗率と窒素酸素ドナーを消去する熱処理後の抵抗率との差から求められるキャリア濃度差分Δ[n]と、酸素濃度[Oi]と、窒素濃度[N]との相関関係を予め求めておき、該相関関係に基づいて、前記キャリア濃度差分Δ[n]と前記酸素濃度[Oi]とから、窒素ドープシリコン単結晶中の未知の窒素濃度[N]を算出して求めるシリコン単結晶中窒素濃度算出方法。 (もっと読む)


【課題】散乱光の空間分布がマイクロラフネスの差異に応じて、前方/後方/側方と色々な方向に変化することについて配慮し、特にエピタキシャル成長ウェハに出現するステップ・テラス構造は散乱光分布に異方性が生じることに配慮した表面形状計測装置を提供する。
【解決手段】試料1表面に光を照明し、光軸の方向が互いに異なる複数の検出光学系51,52により散乱光の空間分布を検出し、試料1表面の空間周波数スペクトルを算出する。 (もっと読む)


【課題】電磁波パルスを利用して取得される試料の情報の画像化を、効率良く行う技術を提供する。
【解決手段】テラヘルツ波測定装置100は、照射部12を試料Wに対して相対的に移動させる移動機構15と、検出部13に入射するプローブ光LP12の光路長が互いに相違する第1の測定用光路長、第2の測定用光路長および第3の測定用光路長のそれぞれに設定されるように遅延部14を制御する制御部17を備えている。また、テラヘルツ波測定装置100は、検出部13にて検出された電界強度を、RGBの階調特性を示す階調データに変換するデータ変換部25と、検出部13にて検出される電界強度に関する情報が前記階調データに応じた色調で表現された画像を生成する画像生成部26とを備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、取得したスペクトルから基板上に形成した膜の複数の測定点に対する光学定数を唯一の値として求めることができる光学特性測定装置および光学特性測定方法を提供する。
【解決手段】本発明は、光源10と、検出器40と、データ処理部50とを備えている。データ処理部50は、モデル化部と、解析部と、フィッティング部とを備えている。複数の膜モデル式を連立させ、複数の膜モデル式に含まれる光学定数が同一であるとして所定の演算を行ない、算出した膜の膜厚および光学定数を膜モデル式に代入して得られる波形と、検出器40で取得した波長分布特性の波形とのフィッティングを行なうことにより、複数の膜モデル式に含まれる光学定数が同一で、解析部で算出した膜の膜厚および光学定数が正しい値であることを判定する。 (もっと読む)


【課題】効率良く安価に電磁波パルスの測定精度を向上する技術を提供すること。
【解決手段】テラヘルツ波測定装置100は、テラヘルツ波を試料Wに照射する照射部12と、試料Wを透過したテラヘルツ波の電界強度を検出する検出部13と、レーザ光源11から検出部13までの光路長を段階的に変更することによって、検出部が前記電磁波パルスの電界強度を検出するタイミングを段階的に変更する遅延部14と、光路長を変更する変更範囲を設定する変更範囲設定部23とを備えている。変更範囲設定部23は、遅延部14が、光路長を第1の変更範囲で段階的に変更した場合に、前記試料を透過または反射した前記電磁波パルスが前記検出部で検出されるときの前記光路長を含む前記光路長の範囲を、第2の変更範囲に設定する、前記遅延部14は、光路長を変更範囲R2で段階的に変更する際に、光路長を変更範囲R1で段階的に変更する場合よりも細かく変更する。 (もっと読む)


【課題】テラヘルツ波の反射波を利用して金属の腐食を防ぐための塗膜や半導体ウェーハのエピ層等の積層物中の欠陥(気泡)検査を行う際に測定対象物の位置合わせを容易に行えるテラヘルツ波を用いた検査装置及び検査方法。
【解決手段】第1レーザ光の照射によりテラヘルツ波を発振するテラヘルツ波発振アンテナ5、第2レーザ光に時間遅延を与える時間遅延機構7と、第2レーザ光に基づいた検出タイミングでテラヘルツ波を検出し、検出したテラヘルツ波の強度に応じた検出信号を生成するテラヘルツ波受信アンテナ8、測定対象物100の位置と傾きとが所定の状態にあるか否かを検出する状態検出部、測定対象物の位置と傾きとが所定の状態にあり、時間遅延機構7で与えられる時間遅延を変化させた場合のテラヘルツ波受信アンテナで生成された検出信号に基づく時系列信号強度データのピーク値に基づいて測定対象物の欠陥の有無を検査する検査部部54を備える。 (もっと読む)


【課題】 簡易な測定によってアモルファス有機半導体等の物質のキャリア挙動を測定する。
【解決手段】 本発明のある態様においては、試験片1の被測定物質1Sのうち電界が印加されているある領域に励起光パルスを照射する光励起工程と、TBC用プローブ光を試験片1の領域に対し照射する工程と、変形HTOF強度を測定する工程と、TBC強度を測定する工程とを含む被測定物質1Sのキャリア挙動の測定方法が提供される。励起光パルスは、互いに可干渉な2光束の所定の短時間照射の光パルスであり、TBC用プローブ光は、励起光パルスと同一波長の互いに可干渉な2光束の光である。励起光パルスとTBC用プローブ光は、ともに光路の組14および16により照射される。変形HTOF強度は、回折強度測定用プローブ光の回折強度の時間変化として測定され、TBC強度はTBC用プローブ光の時間変化として測定される。 (もっと読む)


【課題】試料上の微小領域を加熱し、この加熱に伴う同領域の温度計測並びに磁気計測を実施することが可能な磁気光学効果計測装置を提供するにある。
【解決手段】磁気光学効果計測装置においては、磁気計測モードにおいて、直線偏光又は円偏光の特性を与えられている第1の光ビームが発生され、また、温度計測モードにおいて、赤外波長を有する第2の光ビームが発生される。磁性体試料上の微小領域に第2の光ビームが直入射型反射光学素子によって集光されてこの領域が加熱され、この微小領域の加熱に伴いこの微小領域から輻射される赤外線が直入射型反射光学素子によって伝播されて温度が計測される。また、磁性体試料に磁界が印加された状態で、第1の光ビームが直入射型反射光学素子によって集光照射され、微小領域で磁気光学効果の作用を受けて伝播される。 (もっと読む)


【課題】基板抵抗にかかわらずシリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および面内分布を高精度に評価するための手段を提供すること。
【解決手段】評価対象シリコンウェーハに対して該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第一の面内分布情報を取得すること、上記第一の面内分布情報取得後の評価対象シリコンウェーハに対して熱酸化処理を施した後、該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第二の面内分布情報を取得すること、第一の面内分布情報と、第二の面内分布情報に1未満の補正係数による補正を加えて得られた第三の面内分布情報との差分情報を得ること、および、得られた差分情報に基づき、評価対象シリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および酸素析出物の面内分布からなる群から選ばれる評価項目の評価を行うこと、を含むシリコンウェーハの評価方法。 (もっと読む)


【課題】装置を大型化すること無く選択波長の可変範囲を容易に広げること。
【解決手段】この分光装置は、光源からの光L2を、光L2の入射角に応じた波長範囲で選択的に透過させる4枚のバンドパスフィルタ11a〜11dと、バンドパスフィルタ11a〜11dが主面10a上に立設され、主面10aに沿って回転中心Cの周りを回転可能にされた平板状の回転テーブル10とを備える分光装置であって、4枚のバンドパスフィルタ11a〜11dは、それぞれ、光入射面12或いは光出射面13が、回転テーブル10の主面10a上の回転中心Cと主面10a上の該バンドパスフィルタ11a〜11dの中心点15a〜15dとを結ぶ線に対して傾斜するように配置されている。 (もっと読む)


【課題】簡易・簡便に、しかも多結晶シリコン棒中の所望の位置における置換型炭素不純物の大凡の濃度が測定可能な方法を提供すること。
【解決手段】多結晶シリコンロッドから板状多結晶シリコンを切り出し、該板状多結晶シリコンの両面を鏡面研磨して2.12±0.01mmの厚みとする。置換型炭素濃度が既知の厚み2.00±0.01mmの単結晶シリコン標準試料を用いて赤外吸収分光法により標準測定法に則って検量線を作成し、鏡面研磨後の板状多結晶シリコンの置換型炭素の吸収帯ピークを含む波数領域の赤外吸収スペクトルを検量線作成時と同一条件下で求め、厚み補正を行うことなく置換型炭素濃度を求める上記置換型炭素濃度が既知の単結晶シリコン標準試料は、JEIDAによるラウンドロビン等で用いられた標準試料に準じて作成されたものが好ましい。 (もっと読む)


【課題】光学的手法を用いて被処理基板の構造をより高精度に評価することができるプロセスモニター装置を提供する。
【解決手段】プロセスモニター装置11は、光を出射する光源部と、光の強度を検知可能な光検知部と、光源部から出射された光をウェハWまで導き、ウェハWから反射した反射波を光検知部まで導く第一光経路21と、第一光経路21と同等の光伝搬特性を有するように構成され、光源部から出射された光を、ウェハWを経由することなく光検知部まで導く第二光経路と、第二光経路を通して光検知部により検知された光の強度情報に基づいて、第一光経路21を通して光検知部により検知された光の強度情報を補正し、ウェハWの構造を解析するコントローラ17とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板に形成された凹部の深度を、非破壊、非接触で検査できるとともに、高速に検査できるようにする技術を提供する。
【解決手段】基板検査装置100は、ポンプ光の照射に応じて、基板Wに向けてテラヘルツ波を照射する照射部12と、プローブ光の照射に応じて、基板Wを透過したテラヘルツ波の電場強度を検出する検出部13と、テラヘルツ波が検出部13に到達する時間と、検出部13における検出タイミングを遅延させる遅延部14とを備える。また、基板検査装置100は、基板Wの第1領域を透過した第1テラヘルツ波の時間波形を構築する時間波形構築部21と、基板Wの第2領域を透過した第2テラヘルツ波について、特定の検出タイミングで検出される電場強度と、前記時間波形とを比較することにより、第1テラヘルツ波と第2テラヘルツ波の位相差を取得する位相差取得部24とを備える。 (もっと読む)


【課題】ワイドバンドギャップ半導体などの光応答性の低い試料においても、精度の高いCPM測定が可能となる測定方法を提供する。
【解決手段】CPM測定の際、ワイドバンドギャップ半導体などの光応答性の低い試料に光を照射することで生成される光励起キャリアを、試料に設けられた測定用の2電極に加えて設けられた第3の電極に正のバイアス電圧を印加することにより瞬時に追い出す。光励起キャリアが追い出されることにより、光電流値の制御性が高まり、光応答性の低い試料においても精度よくCPM測定を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】ウエハの特性を決定するための方法とシステムを提供する。
【解決手段】検査システム16を用い、ウエハからの光に対応する出力を生成することを含む。出力は、ウエハ上の欠陥に対応する第一出力と、欠陥に対応しない第二出力とを含む。また本方法は、第二出力を用い、ウエハの特性を決定することを含む。一つのシステム16は、ウエハに光を当て、ウエハからの光に対応する出力を生成するように設定された検査サブシステムを備える。出力は、欠陥に対応する第一出力と、欠陥に対応しない第二出力を含む。また本システムは、第二出力を用い、ウエハの特性を決定するように設定されたプロセッサを備える。 (もっと読む)


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