【課題】試料ガスが低濃度の場合にも高精度の測定が可能な赤外線ガス分析計の提供。
【解決手段】本発明は、赤外線光源１からの赤外光の光路上に配置され試料ガスが流通される試料セル３と、試料セル３を透過した赤外光の光路上に配置される赤外線検出器４と、を備える。赤外線検出器４は、受光室４１、４２、圧力センサ４３、および光学フィルタ４４、４５を備える。受光室４１、４２のそれぞれには、被検出成分ガスの赤外線吸収波長と少なくとも一部が重なる赤外線吸収波長を有するガスが封入されている。圧力センサ４３は、受光室４１と受光室４２とにおける赤外光の吸収量の差を検出する。光学フィルタ４４、４５は、受光室４１、４２に封入されているガスの赤外線吸収帯のうちの予め定めた異なる一部をそれぞれ反射する。また、光学フィルタ４４、４５は、受光室４１よりも後段側の位置にそれぞれ配置されている。 （もっと読む）

【課題】測定セルを通過する試料ガスが長い透過距離を移動すると透過中にオゾンが何度も紫外線に照射され、正しいオゾン濃度測定ができない。
【解決手段】波長２００ｎｍ〜３２０ｎｍを含む紫外線を発光する固体発光素子１０２を利用して、試料ガスが吹き出るガス注入部と対抗する位置にこの試料ガスを吸い込むガス排出部で構成された試料ガス計測部１２９を備え、試料ガスが瞬時に通過する機構を設け、ガスの乱れを無くし、透過時間を短くする事によって再オゾン化を抑える効果があり正しいオゾン濃度測定が可能になる。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波の発生及び検出を行うテラヘルツ波発生検出室を有するテラヘルツ波伝播装置において、テラヘルツ波の伝播経路を簡単に調整できるテラヘルツ波発生検出室を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るテラヘルツ波発生検出室２００においては、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１は、壁面の開口部に挿入され、壁面の外側から固定部材２０３によって固定される。固定部材２０３は、凹型固定部材２０４と、凸型固定部材２０５とを含む。凹型固定部材２０４が有する凹面と、凸型固定部材２０５が有する凸面とを合致させて固定することによって、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１を所望の位置及び向きに調整することができる。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体においても、ＣＰＭ測定による欠陥密度の精度の高い評価を可能とする。
【解決手段】ワイドギャップ半導体のバンドギャップの波長（λ_Ｅｇ）以下、所定の波長範囲以上におけるＣＰＭ測定で得られた照射光量から導出した吸収係数と、別途測定したワイドギャップ半導体のλ_Ｅｇ以下の所定の波長範囲以上における吸収係数とのフィッティング値Ｆ（ｘ）を０．０００１以上１以下、好ましくは０．０００１以上０．１以下とする。 （もっと読む）

【課題】調査される材料に所定の光路に沿って所定の放射線を照射する第１の照明機器と、調査される材料を透過した放射線を記録する放射線記録空間とを備えた光透過材の光学特性の測定装置の提供。
【解決手段】放射線記録空間４は、上記第１の照明機器２によって放射された上記放射線が、まず初めに上記材料１０に当たった後に、少なくともしばらくの間、上記放射線記録空間４の内壁４ａに当たるように設けられ、実質的に上記放射線記録空間４の内壁４ａからのみ反射した及び／又は散乱した放射線を記録するように設けられた放射線検出機器１２と、上記放射線記録空間４の内壁４ａに光を照射する第２の照明機器１４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】動的変化の早い化学反応、凝集体のプロセスや生体高分子のコンフォメーション変化等のダイナミクス測定が可能な第三世代の円二色性スペクトル測定装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る測定方法は、方位角４５度の偏光子、光学軸を０度とした第一偏光変調器、光学軸を０度とした波長板及び方位角−４５度の偏光子とで光チョッパシステムを構成し、前記光チョッパシステムを用いて光源からの光をサンプルに入射する前に直線偏光し、さらに、第二偏光変調器を設けて、前記直線偏光された光を円偏光のみの変調光に偏光すると共に、第一偏光変調器に付加する駆動電圧の電圧信号波形の極性を反転させることができるようにすることで、前記光チョッパシステムにおいて、光源からの光に左右円偏光それぞれに同期したチョッパをかけて、光源からの光を矩形波状の波形の光強度を持つ直線偏光に偏光する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、広い波長帯域で使用でき、測定精度を向上し得る、屈折率および屈折率温度係数の測定装置を提供する。
【解決手段】窓６０１を介して恒温槽６内部に入射し、ウェッジプリズム型試料７の第１面７０１で反射した後に窓６０１を介して恒温槽６外部へ射出した平行光束か、または窓６０１を介して恒温槽６内部に入射し第１面７０１から試料７内部に入射し第２面７０２の裏面で反射した後に第１面７０１を経て試料７外部へ射出し、窓６０１を介して恒温槽６外部へ射出した平行光束が、コリメータ部５に戻りコリメータミラー５０２で集光された後にミラースリット５０１のミラー面５０１ａで反射された光束を受信する測定光デテクタ１１と、試料回転ステージ８の回転制御を行い、測定光デテクタ１１からの出力と回転角度検出部８ａで検出された試料回転ステージ８の回転角度との関係に基づき、試料７の屈折率を算出する解析制御部１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波の反射波を利用して金属の腐食を防ぐための塗膜や半導体ウェーハのエピ層等の積層物中の欠陥（気泡）検査を行う際に測定対象物の位置合わせを容易に行えるテラヘルツ波を用いた検査装置及び検査方法。
【解決手段】第１レーザ光の照射によりテラヘルツ波を発振するテラヘルツ波発振アンテナ５、第２レーザ光に時間遅延を与える時間遅延機構７と、第２レーザ光に基づいた検出タイミングでテラヘルツ波を検出し、検出したテラヘルツ波の強度に応じた検出信号を生成するテラヘルツ波受信アンテナ８、測定対象物１００の位置と傾きとが所定の状態にあるか否かを検出する状態検出部、測定対象物の位置と傾きとが所定の状態にあり、時間遅延機構７で与えられる時間遅延を変化させた場合のテラヘルツ波受信アンテナで生成された検出信号に基づく時系列信号強度データのピーク値に基づいて測定対象物の欠陥の有無を検査する検査部部５４を備える。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で、メンテナンスしやすいセクターミラーを提供する。
【解決手段】 回転軸１に挿嵌される軸取付孔３ａを備えた固定部３と、固定部３の周辺の一部から延びる連結部４を介して固定部３と一体構造で連結された調整部５とからなる取付部材２を備え、前記調整部５は回転軸１の先端面より前方で固定部３の前面側に配置され、かつ、調整部５の前面側に反射鏡７が、背面側にチョッパ１０が取り付けられており、前記連結部４を除く固定部３と調整部５の間には、回転軸１の軸芯と直交する方向に延びる調整用の隙間Ｌが形成され、調整部５の前面に調整ネジ１２ａ，１２ｂ，１２ｃが設けられ、この調整ネジを回動することにより、連結部４を支点として調整部５を変位させて反射鏡７の取付角度を調整する。 （もっと読む）

【課題】高い検出感度を得ることが可能なガス分析装置を提供する。
【解決手段】ガス分析装置は、その内部に分析対象のガスが導入された中空ファイバ４と、中空ファイバ４の一方端側に配置されて、中空ファイバ４の内部に光を照射する投光部１２と、中空ファイバ４の他方端側に配置されて、中空ファイバ４の内部を通過した光を検出する検出部１３と、検出部１３で検出された光に基づいて、分析対象のガスを分析するための点灯制御／信号検出部２１およびシステム制御部２２とを備える。投光部１２は、発光波長が異なる複数の赤外線ＬＥＤ２ａ〜２ｃを含む。 （もっと読む）

【課題】測定対象物の断層情報をより高い精度で得る。
【解決手段】光トモグラフィ装置１によれば、受光ファイバ１２，１３の開口数が互いに異なる。したがって、立体角分布が異なる２種類の光を、受光ファイバ１２，１３においてそれぞれ受光する構成を有することで、測定対象物１００から出射された光の強度情報のほか、角度情報を得ることも可能となる。その結果、測定対象物の断層情報に係る解析の精度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波発生素子及びテラヘルツ波検出素子が一体に設けられた内部全反射プリズムにおいて、被測定物の加熱・冷却に伴う影響を抑制できるテラヘルツ波分光計測装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るテラヘルツ波分光計測装置では、内部全反射プリズム３１は、全反射面３１ｃを含む第１のプリズム部分３１ｆと、テラヘルツ波発生素子３２及びテラヘルツ波検出素子３３が一体に固定される本体部分３１ｇと、を有し、第１のプリズム部分３１ｆと本体部分３１ｇとの嵌合部分に断熱材３１ｈが介在している。これにより、被測定物３４を加熱・冷却する際の温度変化が、第１のプリズム部分３１ｆから本体部分３１ｇに伝わり難くなっている。従って、テラヘルツ波発生素子３２及びテラヘルツ波検出素子３３に温度変化が過剰に伝わることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ半導体などの光応答性の低い試料においても、精度の高いＣＰＭ測定が可能となる測定方法を提供する。
【解決手段】ＣＰＭ測定の際、ワイドバンドギャップ半導体などの光応答性の低い試料に光を照射することで生成される光励起キャリアを、試料に設けられた測定用の２電極に加えて設けられた第３の電極に正のバイアス電圧を印加することにより瞬時に追い出す。光励起キャリアが追い出されることにより、光電流値の制御性が高まり、光応答性の低い試料においても精度よくＣＰＭ測定を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】固体の被測定物に関する光学定数を精度良く計測することができる全反射分光計測方法を提供する。
【解決手段】全反射分光計測装置１を用いた全反射分光計測方法は、プリズム３１の全反射面３１ｃの上に被測定物３４を配置し、内部全反射プリズム３１を通って全反射面３１ｃで全反射したテラヘルツ波に基づいて、被測定物３４に関する光学定数を計測する全反射分光計測方法であって、少なくとも全反射面３１ｃと被測定物３４との間に、被測定物３４が不溶性を示す液体５０を介在させる。この液体５０と被測定物３４との間に働く接着力等の力により、被測定物３４を全反射面３１ｃに近接させることが可能となり、エバネッセント成分と被測定物３４との相互作用を安定して生じさせることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体内の多重励起子の生成状態を評価する。
【解決手段】回折格子の背後に標準試料を移動可能に配置し、前記回折格子を通して前記標準試料に、励起光としての第１のレーザー光及びプローブ光としての第２のレーザー光を入射させると共に、前記第１のレーザー光によって縞状の強度分布を持つ光を前記標準試料内に発生させ、前記回折格子及び前記標準試料からの回折光を観察することで、前記標準試料の複素屈折率の虚数部の変化による回折光が消失する前記標準試料の位置を特定し、特定した前記位置に半導体を含む測定試料を配置し、前記回折格子を通して前記測定試料に、前記第１のレーザー光及び前記第２のレーザー光を入射させると共に、前記第１のレーザー光によって縞状の強度分布を持つ光を前記測定試料内に発生させ、前記回折格子及び前記測定試料からの回折光を観測する。 （もっと読む）

【課題】濃度測定センサの近傍を試料ガスの雰囲気で満たすことにより、測定環境雰囲気の変動によらずに試料ガス中の測定対象物の濃度を安定かつ正確に測定する。
【解決手段】試料ガス中の測定対象物の濃度を測定するガス濃度測定装置であって、光源が配置された光源ユニットと、前記光源の光路上に配置され、試料セルユニットと、前記光源の光路上に配置され、前記試料セルユニットを透過した前記光源の光を受光して前記測定対象物の濃度を測定する濃度測定センサが配置されたセンサユニットと、前記濃度測定センサ近傍に前記試料ガスを導入する導入手段とを備えたガス濃度測定装置。 （もっと読む）

【課題】高感度なタンパク質結晶化分析装置を提供する。
【解決手段】
タンパク質の結晶化を分析するタンパク質結晶化分析装置Ｘを用いる。測定試料部３は、タンパク質結晶化溶液の入った溶液セルを固定する。この測定試料部３の溶液セルに光源１から、入射光調整部２を介して入射光を導入する。測定散乱光導入部７は、測定試料部３の溶液セルからの散乱光のみを散乱光検出部５へと導く。測定散乱光導入部７により導かれた結晶化溶液の前方小角散乱光又は後方小角散乱光は、散乱光検出部５で検出する。制御解析部９は、散乱光検出部５で検出された小角散乱光又は後方小角散乱光の強度を解析し、前記結晶化溶液におけるタンパク質の結晶化状態を分析する。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を回避しつつ計測精度を確保できる全反射分光計測装置を提供する。
【解決手段】全反射分光計測装置１では、テラヘルツ波発生素子３２が設けられた内部全反射プリズム３１の入射面３１ａに対し、被測定物３４が配置される反射面３１ｃが鈍角となっている。これにより、テラヘルツ波発生素子３２で発生したテラヘルツ波Ｔを第１光学面３１ｄに対して垂直に近い状態で入射させることが可能となり、テラヘルツ波Ｔの広がり角度に対して第１光学面３１ｄのサイズを最小化できる。したがって、装置の大型化を回避できる。また、このことは、同一のサイズの第１光学面３１ｄで対応できるテラヘルツ波Ｔの広がり角度を大きくできることを意味し、テラヘルツ波Ｔの損失を抑えることで反射分光計測の精度を確保できる。 （もっと読む）

【課題】赤外線の影響によるノイズを十分に抑制する。
【解決手段】ガスは、取入通気孔（８）から入り、遮光板（１３）の微細孔（１３ａ，１３ｂ）を通り、上流通気孔（７ａ）を通り、下流通気孔（７ｂ）を通って出て行く。遮光板（１３）は、上流薄膜抵抗体（１ａ）や下流薄膜抵抗体（１ｂ）に赤外光が入射するのを防止する。
【効果】フローセンサ（１０１）の抵抗体（１ａ，１ｂ）に赤外線が当ると、抵抗体（１ａ，１ｂ）の温度が上昇して抵抗値が変動し、ノイズの原因になる。これを抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でデッドエリアを低減できる光伝導アンテナ、及びこのような光伝導アンテナを用いたテラヘルツ波発生方法を提供する。
【解決手段】光伝導アンテナ３１では、各電極３３のパッド部３５に対し、電極３３の配列順に徐々に増加又は徐々に減少するように直流電圧源２４からの電圧が印加される。これにより、発生するテラヘルツ波Ｔの極性が電極３３ごとに少しずつ変化し、テラヘルツ波Ｔが電極３３毎に反転して出力が打ち消されることを防止できる。光伝導アンテナ３１では、従来のような遮光マスクや電極間の切り離し部分が存在しないので、電極３３自体を除いてデッドエリアが存在せず、テラヘルツ波Ｔの発生効率を確保できる。また、光路長差を形成するためのガラス板を用いず、各電極３３に印加する電圧の調整によってテラヘルツ波Ｔの極性を調整しているので、構成の簡素化が図られる。 （もっと読む）