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Fターム[2G060DA01]の内容

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【課題】特定の標的DNA配列を高感度で迅速に検知する。
【解決手段】ナノチューブ装置は、標的DNA配列用電子センサーとして設計させる。ナノチューブのフィルムは、基板140上の電極を覆うように沈着される。単鎖DNA溶液を、標的DNA配列に対して相補的になるように調製する。このDNA溶液を電極が覆われるように付着させ、乾燥後、付着物を基板から除去する(但し、電極間の領域を除く)。得られる構造体は、対置する電極間のナノチューブに直接的に接触する所望のDNA配列鎖を保有し、標的DNA鎖の存在に対して電気的に応答するセンサーを構成する。ssDNAプローブをナノチューブセンサー装置へ結合させるリンカー基を用いる別のアッセイ態様も提供される。 (もっと読む)


【課題】化学感応性電界効果トランジスタが自己診断機能によって、該化学感応性電界効果トランジスタの少なくとも1つの動作の仕方を良好に識別できるようにすること。
【解決手段】前記課題は、化学感応性電界効果トランジスタのドレインコンタクトとソースコンタクトとの間に電圧(UDS)を調整し、該ソースコンタクトとゲート電極との間に電圧(U)を調整するステップ(102)と、該ドレインコンタクトと該ソースコンタクトとの間の電流(IDS)を使用して化学感応性電界効果トランジスタの動作の仕方を監視するために、該ドレインコンタクトと該ソースコンタクトとの間の電流(IDS)を検出するステップ(104)とを有する方法によって解決される。 (もっと読む)


【課題】作製工程が簡便であるガスセンサを提供することを課題の一とする。また、作製コストが抑制されたガスセンサを提供することを課題の一とする。
【解決手段】ガスセンサの検知素子として機能する、酸化物半導体層がガスと接するトランジスタと、検出回路を構成する、酸化物半導体層がガスバリア性を有する膜に接するトランジスタとを、同一表面上に単一工程で作製し、これらのトランジスタを用いたガスセンサを作製すればよい。 (もっと読む)


【課題】製造コストが低いと共に、センサの特性のばらつきを抑制しながら、センサの感度を向上させることが可能なセンサ等を提供する。
【解決手段】本発明に係るセンサ1は、半導体基板3と、半導体基板3上に設けられた半導体領域5と、半導体領域5の上面に設けられたソース電極7及びドレイン電極9と、半導体基板3の裏面3b上に設けられたバックゲート電極11とを備え、半導体基板3と半導体領域5とはpn接合Jを構成し、半導体領域5の上面5uの少なくとも一部5eには、複数の孔部15が形成されており、複数の孔部15は、それぞれ、半導体領域5の上面5uから半導体基板3に向かって延びると共に、半導体基板3には至っておらず、半導体領域5の上面5uの少なくとも一部5e及び複数の孔部15の側面15sは、オープンゲート5gを構成していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】潤滑油の劣化度を簡単に且つ安定的に測定し得る潤滑油劣化度評価装置、潤滑油劣化度評価方法及びオンライン潤滑油管理装置を提供すること。
【解決手段】pH−ISFETを使用して、潤滑油の水素濃度変化を、ドレインとソース間に一定電圧を印加した場合のドレインとソース間に流れる電流の変化又はドレインとソース間に一定電流を流した場合のドレインとソース間の電圧の変化を出力として測定することにより潤滑油の劣化状態を判別する潤滑油劣化度評価装置、潤滑油劣化度評価方法及びそれを使用したオンライン潤滑油管理装置とする。 (もっと読む)


【課題】金属−半導体トランジスタ式の水素感知器及び、半導体プロセスと無電気メッキ技術を結合することにより、水素感知器を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体ベースを形成するステップと、該半導体ベースに半導体緩衝層が設けられるステップと、該半導体緩衝層に半導体主動層が設けられるステップと、該半導体主動層に半導体ショットキー接触層が設けられるステップと、該半導体ショットキー接触層に半導体ハット層が設けられるステップと、該半導体ハット層にオーム金属接触電極層が設けられるステップと、該半導体ショットキー接触層に無電気メッキ技術でゲート電極とするショットキー金属接触電極層が設けられるステップとを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】濃度0の場合に出力が0となる有機電界効果トランジスタを用いたガスセンサ。
【解決手段】1.Aの有機電界効果トランジスタ100は、導電性基板10表面に絶縁膜20を形成する。この絶縁膜20の表面20sを、疎水化処理をしたものと、しないものとで1組とする、或いは親水化処理をしたものと、しないものとで1組とする。その上にチャネル形成層である有機半導体層30を形成する。導電性基板10裏面にはゲート電極40gを形成し、有機半導体表面には、チャネル長を空けてソース電極40sとドレイン電極40dが形成される。1組とした2つの有機電界効果トランジスタ100の、ガス濃度0の時の出力を、等しくなるように増幅調整した上で、差分をとれば、ガス濃度0の場合に出力が0となる構成とできる。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブ電界効果トランジスタのチャネル作製の歩留まりを向上させること。
【解決手段】基板のソース電極およびドレイン電極の形成予定部位に、ゾルゲル状態のアミノアルキルアルコキシシランの層を形成する。基板上にカーボンナノチューブの分散液を提供して、カーボンナノチューブを基板上に形成されたゾルゲル状態のアミノアルキルアルコキシシランの層に選択的に結合させる。窒素ガスを吹き付けてゾルゲル状態のアミノアルキルアルコキシシランの層を押し流し、ソース電極形成予定部位とドレイン電極形成予定部位との間にカーボンナノチューブを架橋させる。基板のソース電極形成予定部位にソース電極を形成し、基板のドレイン電極形成予定部位にドレイン電極を形成する。 (もっと読む)


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