【課題】小型化および低コスト化を図るとともに、コンクリートの品質劣化を防止しつつ、測定対象物の状態を測定し、その測定結果に基づく情報を鉄筋の腐食前の計画的または予防的な保全に活用することができるセンサー装置およびセンサー装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のセンサー装置１は、不測定対象部位の環境変化に伴って表面に不動態膜を形成するか、または、表面に存在した不動態膜を消失させる第１の金属材料で構成された第１の電極３と、第１の電極３に対して離間して設けられ、第１の金属材料とは異なる第２の金属材料で構成された第２の電極４と、基板２１と、基板２１の一方の面側に設けられ、第１の電極３と第２の電極４との電位差を測定する機能を有する集積回路５０とを含む機能素子５とを備え、第１の電極３および第２の電極４は、それぞれ、集積回路５０上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】従来技術を発展させた半導体ガスセンサを提供すること。
【解決手段】第１の端子部分が、半導体本体（２０）の表面に設けられたパッシベーション層（３０）を貫通する第１の成形部分（１１２）を有し、該第１の成形部分（１１２）は、参照電位に接続された導電性層（１１５）を備えた底面を有し、該第１の端子部分と制御電極（１００）とは第１の接合材（１３０）を用いて電気的接続かつ摩擦接続的に結合されている。第２の端子部分と前記制御電極（１００）とは第２の接合材（１４０）を用いて少なくとも摩擦接続的に結合されており、前記第１の接合材（１３０）は前記成形部分を少なくとも部分的に充填し、前記制御電極（１００）と前記導電性層（１１５）とを接続する。 （もっと読む）

【課題】鉄筋が施工された後、腐食が始まるまでの期間、測定対象物の状態変化を測定し、得られた情報をコンクリート構造物の計画的な保全に活用することができるセンサー装置を提供すること。
【解決手段】本発明のセンサー装置１は、隣接する空孔同士が連通した連続空孔を有する多孔質体で構成された第１の電極３と、第１の電極３に対して離間して設けられた第２の電極４と、第１の電極３と第２の電極４との電位差を測定する機能を有する機能素子５１とを有し、機能素子５１で測定された電子差に基づいて、測定対象部位の状態を測定し得るように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ガスの検出感度とガスの脱離を両立することができる有機電界効果トランジスタ式ガスセンサおよびその使用方法を提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する電界効果トランジスタ１と、電界効果トランジスタ１の温度を制御する温度制御機構２４とを備える有機電界効果トランジスタ式ガスセンサ３である。 （もっと読む）

【課題】化学感応性電界効果トランジスタが自己診断機能によって、該化学感応性電界効果トランジスタの少なくとも１つの動作の仕方を良好に識別できるようにすること。
【解決手段】前記課題は、化学感応性電界効果トランジスタのドレインコンタクトとソースコンタクトとの間に電圧（Ｕ_ＤＳ）を調整し、該ソースコンタクトとゲート電極との間に電圧（Ｕ_Ｇ）を調整するステップ（１０２）と、該ドレインコンタクトと該ソースコンタクトとの間の電流（Ｉ_ＤＳ）を使用して化学感応性電界効果トランジスタの動作の仕方を監視するために、該ドレインコンタクトと該ソースコンタクトとの間の電流（Ｉ_ＤＳ）を検出するステップ（１０４）とを有する方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】欠陥を制御されたナノチューブを含み、物理または化学量を検出するためのセンサの提供することにある。
【解決手段】典型的なナノチューブ・センサ１９は、信号処理回路２１と接続して使用され、この信号処理回路２１は、電力を供給し、そしてセンサからの信号を処理して、検出された量に比例した出力を生成する。ナノチューブは、シリコン酸化物などからなるベース・フィルム２３上に配置され、ナノチューブの各端に電極２５を含む。信号処理回路２１は、限定されるものではないがひずみ、圧力、湿度および光などの検出された量を示す出力信号２７を供給する。 （もっと読む）

【課題】バイオセンサチップを提供する。
【解決手段】本発明は、バイオセンサチップに関し、ターゲット物質と感知物質との間の相互反応によって、前記ターゲット物質を検出するセンシング部と、前記センシング部と電気的に接続された基板回路部と、前記ターゲット物質を含む溶液性物質を前記センシング部に提供するチャンネル部と、前記基板回路部と結合して前記チャンネル部及びセンシング部を覆うカバーと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】標的物質検出方法において、検体中の夾雑物が基体に非特異的に吸着することにより、標的物質検出のノイズを発生させていた。
【解決手段】構基体の表面に捕捉体がリンカーを介して固定化された標的物質検出素子であって、前記リンカーが光照射によって構造変化することと、前記基体はその近傍の物理量に応じて信号を出力するセンサ素子であることと、前記センサ素子は、前記物理量が存在する場と前記基体の表面との距離に応じて前記信号が連続的に変化することを特徴とする標的物質検出素子。 （もっと読む）

本明細書は生物的材料および電気的材料並びに該生物的材料と該電気的材料との間の界面を含む電子デバイスの製造方法を記載する。この方法は、電子デバイスを製造する際、所望の位置にタンパク質（１１）の自己組織化を利用する。この明細書はまた、構造部としてタンパク質層を含む電子デバイスも記載する。ハイドロフォビンタンパク質を含む電子デバイスのタンパク質層もまた記載する。いくつかの実施形態では、電子デバイスはタンパク質（１１）に接触したグラフェン（１２）の層も含む。 （もっと読む）

マイクロ流体ベースのラボオンテストカードが記載されている。テストカードは、ポイント・オブ・ケア（ＰＯＣ）分析器で使用される。テストカードは、サンプルを受けとり、次いでＰＯＣ分析器を用いてサンプル中の特定の物質を定量化又はカウントするように設計されている。テストカードは、複数の層を具えてもよい。一実施例では、テストカードは、濾過表面、捕捉チャネル、及び粒子検出器を具える第一分離チャンバを具えている。テストカードは、ナノワイヤーセンサを具えていてもよい。 （もっと読む）

【課題】高い測定精度を可能にする、冒頭で述べた種類のガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ（１）は少なくとも１つの導電性のガス感知層（７）を有し、当該ガス感知層（７）は目標ガスと接触可能な表面領域（９）を有し、当該表面領域内での仕事関数は表面領域と接触している目標ガスの濃度に依存している。少なくとも１つの電気ポテンシャルセンサは、エアギャップ（８）を介して表面領域（９）に容量結合している。表面領域（９）は少なくとも１つの繰り抜き部によって構造化され、当該繰り抜き部内に、ガス感知層（７）と導電結合されている平坦な材料要素（１８）が配置され、当該材料要素の材料はガス感知層（７）の材料と異なり、且つ金属、および／または、金属を含有する化合物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタを含むセンサであって、ゲート電極の着脱による接触帯電を抑制し、試料溶液が溶液状態のままでも検出可能な、高精度かつ高感度なセンサを提供すること。
【解決手段】本発明のセンサは、バックゲート型の電界効果トランジスタを含むセンサであって、反応領域を囲むゲート電極が半導体基板の絶縁膜上に固定されていること、および反応領域の絶縁膜の厚さがその周囲の絶縁膜の厚さよりも薄いことを特徴とする。本発明のセンサは、ゲート電極の着脱による不安定性および検出誤差を低減することができるため、高感度にかつ安定して被検出物質を検出することができる。また、本発明のセンサは、試料溶液が溶液状態のままでも、被検出物質の吸着や反応などに伴う信号の変化をリアルタイムで検出することができるため、これら物理現象を理解することができる。 （もっと読む）

【課題】流路において露出したナノ構造体を有するセンサ素子であり、信頼性が高く簡易に形成できるセンサ素子を提供する。
【解決手段】シリコンナノワイヤ３は、少なくとも一部を溝部５において露出し、かつ、基板２と一体に構成されている。また、基板に形成されたソース半導体領域は溝部５の片側の側壁の一部を成し、ドレイン半導体領域は溝部５のもう片側の側壁の一部を成している。 （もっと読む）

【課題】金属−半導体トランジスタ式の水素感知器及び、半導体プロセスと無電気メッキ技術を結合することにより、水素感知器を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体ベースを形成するステップと、該半導体ベースに半導体緩衝層が設けられるステップと、該半導体緩衝層に半導体主動層が設けられるステップと、該半導体主動層に半導体ショットキー接触層が設けられるステップと、該半導体ショットキー接触層に半導体ハット層が設けられるステップと、該半導体ハット層にオーム金属接触電極層が設けられるステップと、該半導体ショットキー接触層に無電気メッキ技術でゲート電極とするショットキー金属接触電極層が設けられるステップとを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ電界効果トランジスタのチャネル作製の歩留まりを向上させること。
【解決手段】基板のソース電極およびドレイン電極の形成予定部位に、ゾルゲル状態のアミノアルキルアルコキシシランの層を形成する。基板上にカーボンナノチューブの分散液を提供して、カーボンナノチューブを基板上に形成されたゾルゲル状態のアミノアルキルアルコキシシランの層に選択的に結合させる。窒素ガスを吹き付けてゾルゲル状態のアミノアルキルアルコキシシランの層を押し流し、ソース電極形成予定部位とドレイン電極形成予定部位との間にカーボンナノチューブを架橋させる。基板のソース電極形成予定部位にソース電極を形成し、基板のドレイン電極形成予定部位にドレイン電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 使用環境に影響を受けない動作の安定した降雨検出装置を提供する。
【解決手段】 水滴の介在によって電気抵抗が変化する降雨検出部と、前記降雨検出部を通じた後の電位をレベル弁別するレベル弁別手段とを含む降雨検出装置であって、ヒステリシス動作を有する回路素子を含む前記レベル弁別手段と、前記レベル弁別手段の出力に応答し、予め定める時間以上、前記降雨検出部を通じた後の電位が弁別レベル以上の状態を継続したとき、降雨信号出力手段によって降雨信号を出力する。
降雨信号出力手段は、入力部と出力部とが電気的に絶縁されている回路素子を含むものである。 （もっと読む）

ガス分析装置は、導電性チャネルに基づく有機半導体（６）とゲート（２）との間にキャビティ（７）を有するトランジスタを有する。動作中、キャビティ（７）に案内されたガスサンプルからの成分は、有機半導体（６）の露出された吸収感応性表面部分において吸収されることが可能である。検出器（１３）は、露出表面部分において吸収された成分によりもたらされるトランジスタの閾値電圧における変化を検出する。この変化の検出に応じて、検出器は、サンプルにおける成分の濃度を表す測定信号を生成する。
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電気的構成部材（１）は、基板（２）を備えたセンサチップ及び／又はアクチュエータチップを有しており、その基板上にパッシベーション層（３）と、アクティブな表面領域（５ａ、５ｂ）を有するセンサ構造及び／又はアクチュエータ構造が配置されている。チップは、カプセル部（６）によって包囲されており、そのカプセル部が開口部（７）を有し、その開口部が少なくとも１つのアクティブな表面領域（５ａ、５ｂ）への通路を形成する。基板（２）上に、層スタックが配置されており、その層スタックは−パッシベーション層（３）から始まって基板（２）へ−少なくとも１つの第１の導体路層（１５）、第１の電気的絶縁層（１４）、第２の導体路層（１７）及び第２の電気的絶縁層（１６）を有している。第１の導体路層（１５）は、チップの、開口部（７）によって覆われる領域の完全に外部に配置されている。第２の導体路層（１５）の少なくとも１つの導体路が、センサ構造及び／又はアクチュエータ構造と接続されている。 （もっと読む）

【課題】 ＡＤコンバータを必要としなくても、デジタル的な出力を発生させられるセンサ装置を提供する。
【解決手段】 ｎＭＯＳトランジスタ２とトレンチ１１を用いて形成した容量３とを組とする複数のメモリセル４を備えた構造で湿度センサを構成する。そして、トレンチ１１の幅を複数のメモリセル４ごとに変えることで、容量値Ｃが異なる値となるようにする。これにより、雰囲気の湿度に応じた水分が感湿膜３１に吸収された場合に、雰囲気中の湿度が同一であっても、各メモリセル４における容量３の容量値Ｃが異なることになる。換言すれば、各メモリセル４における容量３で検出できる容量値Ｃが変わる。したがって、メモリセル４が書き込み状態か書き込みがなされていない状態であるかを読み出すことで、湿度をデジタル値として検出することが可能となる。 （もっと読む）

ＦＥＴ型ガスセンサーのセンサーシグナルを感応性層での仕事関数の変化により生じさせ、その際、前記仕事関数の変化の読み出しに対して付加的に感応性層の容量の変化を評価する、ＦＥＴ型ガスセンサーでガスを測定する方法。
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