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Fターム[2G060DA12]の内容

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【課題】 センサ感度を向上させることが可能なセンサ素子を提供する。
【解決手段】
本発明のセンサ素子は、Alx1Ga(1−x1−y1)Iny1N(0≦x1≦1、0≦y1≦1、x1+y1≦1)からなり、上部3Aに稜線部3A’を有する半導体部3と、半導体部3上に稜線部3A’を覆うように設けられた、Alx2Ga(1−x2−y2)Iny2N(0≦x2≦1、0≦y2≦1、x2+y2≦1)からなり、かつx1≠x2またはy1≠y2となるように設定されている半導体層4と、上部3A側から平面透視して半導体部3上に稜線部3A’と重なるように設けられた、特定の物質が接触することによって該物質との間で電荷の移動が起こる検知電極5と、半導体層4上に検知電極5を間に挟むように一対で設けられた、間の半導体層4に流す電流における検知電極5への電荷の移動による変化を検出する検出電極6とを備える。 (もっと読む)


【課題】化学感応性電界効果トランジスタが自己診断機能によって、該化学感応性電界効果トランジスタの少なくとも1つの動作の仕方を良好に識別できるようにすること。
【解決手段】前記課題は、化学感応性電界効果トランジスタのドレインコンタクトとソースコンタクトとの間に電圧(UDS)を調整し、該ソースコンタクトとゲート電極との間に電圧(U)を調整するステップ(102)と、該ドレインコンタクトと該ソースコンタクトとの間の電流(IDS)を使用して化学感応性電界効果トランジスタの動作の仕方を監視するために、該ドレインコンタクトと該ソースコンタクトとの間の電流(IDS)を検出するステップ(104)とを有する方法によって解決される。 (もっと読む)


【課題】製造コストが低いと共に、センサの特性のばらつきを抑制しながら、センサの感度を向上させることが可能なセンサ等を提供する。
【解決手段】本発明に係るセンサ1は、半導体基板3と、半導体基板3上に設けられた半導体領域5と、半導体領域5の上面に設けられたソース電極7及びドレイン電極9と、半導体基板3の裏面3b上に設けられたバックゲート電極11とを備え、半導体基板3と半導体領域5とはpn接合Jを構成し、半導体領域5の上面5uの少なくとも一部5eには、複数の孔部15が形成されており、複数の孔部15は、それぞれ、半導体領域5の上面5uから半導体基板3に向かって延びると共に、半導体基板3には至っておらず、半導体領域5の上面5uの少なくとも一部5e及び複数の孔部15の側面15sは、オープンゲート5gを構成していることを特徴とする。 (もっと読む)


本発明は、ガス状態で存在する、または溶媒に溶解した対象化合物を検出および/または定量するための装置および方法に関する。本発明による装置は、2つの電極を含む電気デバイスと、電気デバイスの2つの電極間の電荷の変動を測定するためのデバイスとを含む。電気デバイスは、受容体分子の層がその上にグラフトされた、絶縁性誘電材料で作製された層を含み、最終的に、半導体材料の層が該受容体分子層上に堆積される。本発明は、特にガスまたは溶液として存在する対象化合物の検出および/または定量の分野において使用することができる。 (もっと読む)


【解決手段】半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む絶縁層が形成された電界効果型トランジスタの絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機分子で構成された有機単分子膜を形成し、有機単分子膜に反応性官能基を介して架橋分子を結合させ、電界効果型トランジスタの通電回路に通電することにより架橋分子に電圧を印加し、更に、架橋分子にプローブ物質を結合させて固定化する。
【効果】本発明によれば、センシング時の電圧の印加による架橋分子やプローブ物質の脱離を抑制して、従来に比べて、高い感度と再現性で被検出物質を検出することができる。 (もっと読む)


例えば呼気などの流体中のNO濃度を決定する半導体デバイスが開示される。デバイス(1)は典型的に、有機半導体層(14)内にチャネル領域(16)を画成するように互いに離隔された一対の電極(18)と、チャネル領域を制御するゲート構造(10)と、チャネル領域に少なくとも部分的に重なる受容体層(22)とを有し、受容体層は、NOと錯体形成するIII族からXII族の遷移金属イオン又は鉛(Pb)イオンを含むポルフィン又はフタロシアニン配位錯体を有する。このような半導体デバイスは、ppbレンジのNO濃度を検出することができる。
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【課題】高感度で定量計測が可能な簡便・安価な遺伝子計測システムを実現する。
【解決手段】遺伝子増幅を無線センサチップよって計測するシステムにおいて増幅産物を効率よくセンサ電極に捕捉するため、通信用のアンテナコイルの出力とセンサ電極をコンデンサ19,20によって結合する。 (もっと読む)


【課題】 毛髪や肌のダメージの程度を2次元画像として可視化できるイオンイメージセンサ及びダメージ計測装置を提供する。
【解決手段】 本発明によるイオンイメージセンサは、イオン濃度を検出するイオンイメージセンサであって、毛髪もしくは頭皮を含む肌に液体を介して接触するセンシング部を2次元状に配列して備え、該センシング部で検出したイオン濃度を2次元画像データとして出力する。イオン濃度としては、水素イオン濃度やカルシウムイオン濃度等が挙げられる。 (もっと読む)


【課題】性能が長期間安定して維持され、特性が安定して製造歩留りが高く、応答速度が大きいガスセンサを提供する。
【解決手段】 n型SiC基板1の表面から内部へと設けられたp型領域6と、p型領域の表面に配置された触媒3と、触媒3の上に位置するp側電極11と、ソース電極21およびドレイン電極22と、基板内でp型領域に接してソースとドレインとを繋ぐn型チャネルと、半導体基板のn型領域の裏面に位置するn側電極12とを備え、触媒3を介在させて、n側電極とp側電極との間に電圧を加えて、pn接合15に逆バイアス電圧を印加することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ノイズが存在する環境においても、ISFET型の電界効果型センサにより目的とする物質をより正確に検出できるようにする。
【解決手段】複数のイオン感応型電界効果トランジスタ(ISFET)101および各ISFET101に共通に設けられてISFET101の各々のチャネルに容量接続した検出対象の物質が付着する物質固定部102を備える。ISFET101は、バックゲート111,ソース112,およびドレイン113を備える。また、本実施の形態における電界効果型センサは、ISFET101の各々に共通のゲート電圧をバックゲート11に印加するゲート電圧印加部103、および,ISFET101の各々のソース112とドレイン113との間電流を検出する検出部104を備える。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブの内部を利用したCNT−FETセンサを提供すること。
【解決手段】CNT−FETセンサ10は、基板12上に形成された、両端部が開放されてチューブ状の端面が露出したカーボンナノチューブ14と、該カーボンナノチューブ14に接続して形成されたソース電極16及びドレイン電極18と、上記カーボンナノチューブ14の上記開放された両端部が露出し且つ上記カーボンナノチューブ14の少なくともソース−ドレイン間を覆うように形成された絶縁体20と、を備える。 (もっと読む)


【課題】流体における少なくとも一つの成分の存在及び/又は量を決定するための良好なセンサーデバイス、該センサーデバイスの製造方法、及びセンサーデバイスを使用した成分の存在及び/又は量の決定方法を提供する
【解決手段】本発明は、液体における少なくとも一つの成分の存在及び/又は量を決定するためのセンサーデバイス20を提供する。センサーデバイス20は、少なくとも一つのセンサーユニットを備え、該センサーユニットは、少なくとも一つの伸長されたナノ構造体8と、該ナノ構造体を囲む誘電材料9とを備える。誘電材料は、少なくとも一つの成分のうちの一つに関して選択的に透過性であり、誘電材量を通して浸透した成分を検出可能なようなものである。 (もっと読む)


本発明は、電気化学(EC)信号および電気(E)信号を使用して検体を検出することができる統合された検知装置を開示する。本装置は、相乗的な新しい性能をもたらすとともに、液相および気相での高濃度の干渉の存在を含む複合マトリクス中の検体の実時間検出における感受性および選択性を高める。

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【目的】 ガスセンサにおいて,ガス選択性が高く量産が可能なセンサ構造を提供する。
【構成】 本発明は、電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜の上に,触媒金属からなる下部ゲート電極と,イオン導伝性膜と,触媒金属からなる上部ゲート電極の積層構造を設けた多層ゲート型ガスセンサである。 (もっと読む)


【解決手段】半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む第1の絶縁層が形成された電界効果型トランジスタの上記第1の絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機分子で構成された第1の有機単分子膜を形成し、該第1の有機単分子膜に塩基数3〜35の短鎖プローブDNAを上記反応性官能基を介して、直接又は架橋分子を介して結合させてなる、プローブDNA/有機単分子膜/絶縁層/半導体構造を検出部として備える半導体DNAセンシングデバイス。
【効果】本発明の半導体DNAセンシングデバイスは、オンチップでの高感度マイクロマルチDNAセンシングデバイスとして非常に効果的な半導体デバイスであり、これを用いた集積化デバイスは、一塩基多型等のミスマッチ配列のDNA解析を高精度に可能とするセンシング特性を有するものであり、高度な医療の提供・テーラーメード医療に有効である。 (もっと読む)


【課題】検査感度が高いセンサを提供する。
【解決手段】液体中の物質成分の検出において、多孔質イオン交換体に検査液を導入し、選択的に生成された物質成分を、計測回路にて計測する。第1のセンサは、被測定物質を選別する選別素子と、選別された被測定物質を検出する計測回路の一部とからなる。選別素子は、多孔質イオン交換体からなり、多孔質イオン交換体は、計測回路の一部の経路と一体化される。多孔質イオン交換体に検査液が導入可能である。また、第2のセンサでは、多孔質体イオン交換体は、計測回路に隣接して配置される。多孔質イオン交換体の空孔には、酵素、抗原または抗体が固定されていて、多孔質イオン交換体に検査液を導入したとき酵素、抗原または抗体により発生された物質が計測回路内に送り込まれる。 (もっと読む)


大気中に含まれる電荷の濃度を検出および/または測定するためのセンサが提供される。本センサは、ドレイン領域(6)とソース領域(7)との間に位置する活性層(10)の上に懸架されておりゲートを形成するブリッジ(4)を含む電界効果トランジスタ構造を有する。ある特定の値を有するゲート電圧がブリッジ(4)に印加される。ブリッジ(4)と活性層(10)もしくは活性層(10)上に積層した絶縁層(8)との間に含まれており特定の高さを持ついわゆるエアギャップ領域(9)も前記構造に含まれる。エアギャップ領域(9)内には、ゲート電圧とエアギャップ(9)の高さとの比で定義される電場(E)が生成される。エアギャップ(9)内に生成される電場(E)は、大気中に含まれかつエアギャップ(9)内に存在する電荷の分布に影響を及ぼすとともに活性層(10)上の電荷の蓄積によって高いセンサ感度が得られることを可能にするのに十分な大きさのある特定の閾値(50,000V/cm、100,000V/cm、好ましくは200,000V/cm)以上の値を有する。
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