【課題】欠陥予備軍であっても発熱検査によって特定することができる配線欠陥検査方法および装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態に係る配線欠陥検査装置１００は、半導体基板の配線経路に電圧を印加して、短絡欠陥に至っていない短絡予備軍を短絡させた後、電圧無印加状態を所定時間維持した後で、該半導体基板に印加して該短絡欠陥を含む配線もしくは配線間を発熱させ温度上昇させた後、該半導体基板を赤外線カメラで撮影する。 （もっと読む）

【課題】短時間で簡易に半導体素子を検査できる半導体素子の検査方法、検査装置および検査システムを提供する。
【解決手段】半導体素子の検査システムは、電流源１と、電流計２と、電圧計３と、電流制御部４と、電圧読出部５と、判定部６とを備えている。半導体素子に大きな順方向電流を印加してＰＮ接合の温度を上昇させ、高温時の順方向電圧を計測する。そして、常温時の順方向電圧との差に基づいて、半導体素子が良品か不良品かを判断する。そのため、簡易な検査システムで短時間に半導体素子の検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】インプリントパターンの欠陥の有無の検査を効率化する。
【解決手段】下地層１上に導電層２を形成し、導電層２上にインプリントパターン４を形成し、インプリントパターン４に電解液６を接触させ、電解液６に電極７を接触させ、導電層２と電極６との間に電圧を印加し、導電層２と電極７との間に流れる電流を計測し、その電流の計測結果に基づいてインプリントパターン４の欠陥の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置のトンネル絶縁膜の電荷分布を評価することが可能な半導体記憶装置の評価方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置の評価方法は、浮遊ゲート型の半導体記憶装置の評価方法である。時間の対数の変化に対する前記半導体記憶装置のメモリセルの閾値電圧Vtの変化率に、ε*Cr*2k/Tox/qを乗じる。なお、εはトンネル絶縁膜の誘電率であり、Crは前記メモリセルのカップリング比であり、Toxは前記メモリセルのトンネル酸化膜の膜厚であり、kは電荷がデトラップする時の存在確率の減衰率でありk=(2mE/(h/2π)²)^0.5と表され、mは電子の質量、 Ｅは前記トンネル絶縁膜のトラップのエネルギー準位、ｈはプランク定数、πは円周率である。これにより、前記メモリセルのトンネル絶縁膜中の電子濃度分布を求める。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ接合部の剥離やクラック発生による劣化を高精度かつ容易に診断可能とした半導体パワーモジュールの劣化診断方法及び劣化診断装置を提供する。
【解決手段】半導体パワーモジュールを構成する半導体チップとボンディングワイヤとの接合部の劣化を診断するための劣化診断方法において、半導体チップを複数、直列に接続して各半導体チップのオン時における飽和電圧の合計値を測定し、この合計値が閾値を超えたことから前記接合部に劣化が生じたと判断する。または、前記接合部を第１の接合部とすると共に、半導体チップとボンディングワイヤとの線膨張係数の差よりも大きい線膨張係数の差を持つようなダミー基板とボンディングワイヤとの接合部を、第２の接合部として別個に備え、第１の接合部と第２の接合部とを直列に接続して主回路電流を通流し、第２の接合部の劣化状態から第１の接合部の劣化を予測する。 （もっと読む）

【課題】 パッケージに封止される半導体素子は、使用環境によって湿度の影響を受けて、半導体素子の劣化が起こることがある。パッケージに実装することが容易で、半導体素子周囲の湿度・水分量を測定・記録できる湿度センサを得る。
【解決手段】 半導体基板２上に形成した絶縁膜７の上に、水溶性金属の薄膜８を用いた湿度センサ６を形成し、水溶性金属の薄膜８の抵抗を測定する。水溶性金属とは、電位−ｐＨ図において、電位がゼロ、ｐＨが７付近で腐食域にある金属を意味する。 （もっと読む）

【課題】連結回路パターンにキャパシタセンサーが非接触式で設置されて、接触圧力による誤測定の頻度を減らし、測定時間を節減する基板の回路パターン欠陥検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】基板の検査対象回路パターン１０６に接触して電圧を入力するためのピンプローブ１０１；検査対象回路パターン１０６と電気的に連結される連結回路パターン１０７に非接触方式で対向する膜電極１０３を備え、連結回路パターン１０７から膜電極１０３に作用する静電引力による電極間の変位によって発生する静電容量及び静電容量変化を感知するためのキャパシタセンサー１０２；及びキャパシタセンサー１０２に連結され、キャパシタセンサー１０２から入力される膜電極１０３の変位による静電容量を測定するための静電容量測定部１０４を含む。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの電気的特性評価方法及び電子デバイスの電気的特性評価装置に関し、実電子デバイスの電気特性を高精度でモニタリングするとともに、実測したモニタリング結果から抽出した物性値を用いて理論計算を行って精度の高いキャリア分布を取得する方法の提供。
【解決手段】電子デバイス試料の電気的物性値を測定する測定工程と、前記電子デバイス試料の歪み分布及び元素分布を数値的に畳み込んだ電気抵抗モデルを用いて、前記電子デバイス試料の電気的物性値を計算する計算工程と、前記測定工程で取得した実測値と前記計算工程で取得した計算値を照合して、前記実測値との差分が最小になるまで畳み込みの度合いを変化させて反復計算を続ける反復計算工程とを用いて前記電子デバイス試料のキャリア分布を取得する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子のような微小な電流を流すだけで簡単に損傷してしまう微細な素子の抵抗特性等を評価する際に、素子を損傷させることなく、的確に特性を評価することができる微細素子の評価方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する微細素子１０に電流を印加して微細素子の特性を評価する方法において、前記微細素子１０をレジスト１４により被覆する工程と、前記レジスト１４が被覆された微細素子１０に電流を印加し微細素子の特性を評価する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズモン共鳴吸収を有する金属構造体を用いた光学デバイス等の温度変化を検出することができるプラズモン共鳴検出器を提供する。
【解決手段】
導電性基板１２、ｎ型半導体層１３、ｉ型半導体層１４、ｐ型半導体層１５、ｎ電極（負電極）１１、ｐ電極（正電極）１７、絶縁膜１６等で構成されたダイオードを温度変化に伴って抵抗値が変化する半導体として用い、このダイオード上に複数の金属ナノ粒子が連結されたナノチェイン２を配置する。光が照射されると、ナノチェイン２が発熱し、ナノチェイン２で発生した熱はダイオードに伝わるが、ダイオードは温度変化によって抵抗値が変化するので、この変化を読み取り、ナノチェイン２の温度又は発熱量を測定し、プラズモン共鳴の有無や強弱を検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電極を形成していない非電極面に電圧を印加する場合であっても、非電極面へ照射される赤外線、又は非電極面から放射される赤外線を用いて、半導体装置の欠陥部位を容易に判別できる半導体装置の検査方法、及び半導体装置の検査装置を提供すること。
【解決手段】赤外線を用いて半導体装置１０の欠陥部位を判別する半導体装置の検査方法において、半導体装置１０の電極を形成していない非電極面１０ａに透明電極２１ｂを当接する工程と、透明電極２１ｂを介して半導体装置１０の非電極面１０ａに電圧を印加すると共に、透明電極２１ｂを介して半導体装置１０の非電極面１０ａに赤外線のスポット光３１を照射する工程と、赤外線のスポット光３１で半導体装置１０の非電極面１０ａを走査して、半導体装置１０の電流変化ΔＩを測定し、半導体装置１０の欠陥部位を判別する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板の耐マイグレーション性を予測する方法及び装置を提供する。
【解決手段】加速劣化試験環境において劣化させたプリント配線板に交流電圧を印加して、Ｃｏｌｅ−Ｃｏｌｅプロットを得ること、および得られたＣｏｌｅ−Ｃｏｌｅプロット上のワールブルグインピーダンス（Ｆｗ）の存在に基づいて、プリント配線板の耐マイグレーション性を予測することを含む、プリント配線板の耐マイグレーション性予測法とする。また、加速劣化試験環境において劣化させたプリント配線板に交流電圧を印加してＣｏｌｅ−Ｃｏｌｅプロットを得る加速劣化試験部、および得られたＣｏｌｅ−Ｃｏｌｅプロット上のワールブルグインピーダンス（Ｆｗ）の存在に基づいて、プリント配線板の耐マイグレーション性を予測する計算手段を具備している、プリント配線板の耐マイグレーション性予測装置とする。 （もっと読む）

例示的な一実施形態は、半導体の製造中に、半導体ウェハ（１０２）またはリソグラフィマスク（２０２）などの平坦リソグラフィ物体と、チャック（１０４）との間の不要パーティクル（１２２）の存在を検出するための方法（５００）である。例示的な方法は、この実施形態においては、前記半導体ウェハ（１０２）などの前記平坦リソグラフィ物体を前記チャックの上に配置するステップ（５０４）を含む。前記方法は、前記チャック（１０４）と半導体ウェハ（１０２）間のキャパシタンスの、前記不要パーティクルにより引き起こされる変化を測定する（５０６）など、前記チャックと前記平坦リソグラフィ物体により、両者の間に形成される少なくとも１つの電気的特性の変化を測定するステップを含む。
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【課題】故障位置の特定のみならず、故障状態をも特定することができる半導体デバイスの欠陥評価方法及び欠陥評価装置を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの欠陥評価方法は、評価対象の半導体デバイスにプローブ光を照射して半導体デバイスに発生させた電流を検出する第１電流検出ステップと、発生させた電流から半導体デバイスの欠陥位置を検出する欠陥位置検出ステップと、検出した半導体デバイスの欠陥位置にプローブ光を所定範囲で波長を変化させて照射することにより、欠陥位置における電流を検出する第２電流検出ステップと、検出した欠陥位置における電流から欠陥位置の光励起準位を検出する光励起準位検出ステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】走査顕微鏡像の空間分解能を向上させる手段の提供
【解決手段】レーザ光として、基準信号に同期した変調信号に基づいて強度変調された変調レーザ光をＩＣチップ１１０に照射し、磁束計１２０からの磁場信号を受け変調周波数と同じ周波数成分の信号を抽出する検波器１３０と、前記検波された信号から磁場分布の像を表示する手段１４０と、を備え、前記変調信号の周波数が１００ｋＨｚよりも高い。 （もっと読む）

【課題】 非破壊検査の効率を向上する。
【解決手段】 従来の被検査体上で光スポットを２次元的に走査する方法の替わりに、被検査体上で光ラインをＸ方向およびＹ方向に１回ずつ走査することにより、２つの１次元像を取得し、取得した２つの１次元像から演算により２次元像を再構築する。これにより、被検査体と光ラインの相対走査が、第１および第２の１次元像を得るための２度の走査で済むため、走査時間が従来に比べ大幅に短縮される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板にガラスを陽極接合した加速度センサの検査方法において、シリコン基板上の絶縁膜の膜厚を非破壊で簡単に評価できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１の上下に陽極接合されるガラス３、２と、シリコン基板１上に形成された絶縁膜のシリコン酸化膜７及びシリコン窒化膜８と、シリコン基板１内に形成された片持梁構造のカンチレバー１ａと、シリコン基板１の表面に形成されたピエゾ抵抗４とを備えた加速度センサ１０において、シリコン窒化膜８上に予め検査用を兼ねて設けたアルミ電極６と、シリコン基板１に導通するアルミ電極５bを備え、このアルミ電極５bとアルミ電極６の測定端子６aと間に容量計１１を接続して、シリコン基板１とアルミ電極６間の静電容量を測定する。この静電容量測定値から、シリコン基板１上の絶縁膜の膜厚を定量的に求めることができ、膜厚の良否を非破壊で容易に評価することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、有機薄膜の垂直方向と水平方向の２つの方向のキャリヤ移動度が測定可能な半導体膜異方性測定装置を提供することにある。
【解決手段】 測定対象物に設けられた電極に接触可能なプローブを有する測定対象物設置手段１２と、測定対象物に光を照射する光照射手段１４と、プローブを介して電極に電圧を印加する電圧印加手段１６と、測定対象物を流れる電流信号を検出する信号検出手段１８と、検出信号を処理するための信号処理手段２０と、を備え、測定対象物設置手段１２は独立して位置決め可能な３本のプローブを含み、電圧印加手段１６は各プローブへ印加する電圧の種類を変更可能に構成され、ＴＯＦ法測定モードと、ＦＥＴ法測定モードとの２種類の測定モードでの測定が可能であることを特徴とする半導体膜異方性測定装置１０。 （もっと読む）

本発明は、エッチング終了後のウエハ基板に照射面積０．００００１ｃｍ^２〜１ｃｍ^２の強度またはエネルギーが時間的に変調された電子線を照射する手段と、該電子線照射によるウエハ基板に励起する基板電流強度または音波強度の該電子線とウエハ基板面の相対角度依存性を検出する手段、その検出手段によりエッチング結果、特にコンタクトホール形成の開口性および形状の良否を判定し、後続するウエハに対するエッチング処理の停止指示、エッチング処理条件の修正指示あるいは処理条件の自動修正を行う手段とを有することを特徴とするエッチング装置を提供するものである。
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材料の表面上の欠陥または汚染を特定する方法およびシステム。この方法およびシステムでは、半導体ウェハなどの材料を提供し、非振動式接触電位差センサを用いてウェハを走査し、接触電位差データを発生し、このデータを処理して、欠陥または汚染の特性を示すパターンを特定する。

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