説明

Fターム[2G060KA16]の内容

電気的手段による材料の調査、分析 (24,887) | 方法 (1,099) | キズ、欠陥の検知のための方法 (309) | 不良品を検知するための方法 (145) | 半導体の不良品を検知するための方法 (41)

Fターム[2G060KA16]に分類される特許

1 - 20 / 41


【課題】欠陥予備軍であっても発熱検査によって特定することができる配線欠陥検査方法および装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態に係る配線欠陥検査装置100は、半導体基板の配線経路に電圧を印加して、短絡欠陥に至っていない短絡予備軍を短絡させた後、電圧無印加状態を所定時間維持した後で、該半導体基板に印加して該短絡欠陥を含む配線もしくは配線間を発熱させ温度上昇させた後、該半導体基板を赤外線カメラで撮影する。 (もっと読む)


【課題】電極とシリコンとのオーミック・コンタクトを容易に得ることができ、その電極を使用してシリコンのライフタイム測定ができ、その測定に利用できる測定ヘッドを提供する。
【解決手段】測定対象であるシリコン1に電極2A,2Bを押し当てて回転させ、シリコン1と電極2A,2Bとの接触部にオーミック・コンタクトを形成し、シリコン1にパルス光を照射し、その照射により発生する過剰キャリアにより変化する電気伝導度の時間的な変化量を測定して少数キャリアの再結合ライフタイムを測定する。電極2A,2Bをシリコン1に押し付けるシリンダと、電極2A,2Bを回転させるモータと、当該電極と電気的に導通するプローブと、シリコン1に励起エネルギーを出射する光照射部を備え、電極を押し具でシリコン1に押し付けながらモータで回転させて、電極2A,2Bとシリコン1とのオーミック・コンタクトを得られるようにした。 (もっと読む)


【課題】酸素濃度が異なる場合にも対応して窒素濃度の値を求めることができるシリコン単結晶中の窒素濃度を算出する方法および抵抗のシフト量を算出する方法を提供する。
【解決手段】窒素をドープしたシリコン単結晶中の窒素濃度を算出する方法であって、前記窒素ドープシリコン単結晶における、酸素ドナーを消去する熱処理後の抵抗率と窒素酸素ドナーを消去する熱処理後の抵抗率との差から求められるキャリア濃度差分Δ[n]と、酸素濃度[Oi]と、窒素濃度[N]との相関関係を予め求めておき、該相関関係に基づいて、前記キャリア濃度差分Δ[n]と前記酸素濃度[Oi]とから、窒素ドープシリコン単結晶中の未知の窒素濃度[N]を算出して求めるシリコン単結晶中窒素濃度算出方法。 (もっと読む)


【課題】短時間で簡易に半導体素子を検査できる半導体素子の検査方法、検査装置および検査システムを提供する。
【解決手段】半導体素子の検査システムは、電流源1と、電流計2と、電圧計3と、電流制御部4と、電圧読出部5と、判定部6とを備えている。半導体素子に大きな順方向電流を印加してPN接合の温度を上昇させ、高温時の順方向電圧を計測する。そして、常温時の順方向電圧との差に基づいて、半導体素子が良品か不良品かを判断する。そのため、簡易な検査システムで短時間に半導体素子の検査を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】ワイドバンドギャップ半導体などの光応答性の低い試料においても、精度の高いCPM測定が可能となる測定方法を提供する。
【解決手段】CPM測定の際、ワイドバンドギャップ半導体などの光応答性の低い試料に光を照射することで生成される光励起キャリアを、試料に設けられた測定用の2電極に加えて設けられた第3の電極に正のバイアス電圧を印加することにより瞬時に追い出す。光励起キャリアが追い出されることにより、光電流値の制御性が高まり、光応答性の低い試料においても精度よくCPM測定を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、電子線照射後のライフタイム値を簡便に見積もることができ、測定時間を大幅に短縮することができ、デバイス作製の生産性を向上させることができるライフタイム値の測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 電子線照射後のウエーハのライフタイム値を検査する方法であって、電子線照射前キャリア濃度算出工程、電子線照射前準位密度算出工程、電子線照射工程、電子線照射後キャリア濃度算出工程、キャリア濃度差算出工程、準位密度差算出工程、及びライフタイム値算出工程を有することを特徴とするライフタイム値の測定方法。 (もっと読む)


【課題】インプリントパターンの欠陥の有無の検査を効率化する。
【解決手段】下地層1上に導電層2を形成し、導電層2上にインプリントパターン4を形成し、インプリントパターン4に電解液6を接触させ、電解液6に電極7を接触させ、導電層2と電極6との間に電圧を印加し、導電層2と電極7との間に流れる電流を計測し、その電流の計測結果に基づいてインプリントパターン4の欠陥の有無を判定する。 (もっと読む)


【課題】従来よりも外的要因による膜抜け箇所の検出への影響を抑えることができるとともに、膜抜け箇所の定量的な評価が可能な基板検査装置および基板検査方法を提供する。
【解決手段】基板の透明導電膜側の表面に金属粒子を含むガスを吹き付けるためのガス吹き付けユニットと、基板の透明導電膜側の表面の表面電位を測定するための表面電位測定ユニットと、を備えた、基板検査装置である。また、基板の透明導電膜側の表面に金属粒子を含むガスを吹き付けて表面電位を測定する基板検査方法である。 (もっと読む)


【課題】半導体記憶装置のトンネル絶縁膜の電荷分布を評価することが可能な半導体記憶装置の評価方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置の評価方法は、浮遊ゲート型の半導体記憶装置の評価方法である。時間の対数の変化に対する前記半導体記憶装置のメモリセルの閾値電圧Vtの変化率に、ε*Cr*2k/Tox/qを乗じる。なお、εはトンネル絶縁膜の誘電率であり、Crは前記メモリセルのカップリング比であり、Toxは前記メモリセルのトンネル酸化膜の膜厚であり、kは電荷がデトラップする時の存在確率の減衰率でありk=(2mE/(h/2π)2)0.5と表され、mは電子の質量、 Eは前記トンネル絶縁膜のトラップのエネルギー準位、hはプランク定数、πは円周率である。これにより、前記メモリセルのトンネル絶縁膜中の電子濃度分布を求める。 (もっと読む)


【課題】ワイヤ接合部の剥離やクラック発生による劣化を高精度かつ容易に診断可能とした半導体パワーモジュールの劣化診断方法及び劣化診断装置を提供する。
【解決手段】半導体パワーモジュールを構成する半導体チップとボンディングワイヤとの接合部の劣化を診断するための劣化診断方法において、半導体チップを複数、直列に接続して各半導体チップのオン時における飽和電圧の合計値を測定し、この合計値が閾値を超えたことから前記接合部に劣化が生じたと判断する。または、前記接合部を第1の接合部とすると共に、半導体チップとボンディングワイヤとの線膨張係数の差よりも大きい線膨張係数の差を持つようなダミー基板とボンディングワイヤとの接合部を、第2の接合部として別個に備え、第1の接合部と第2の接合部とを直列に接続して主回路電流を通流し、第2の接合部の劣化状態から第1の接合部の劣化を予測する。 (もっと読む)


【課題】非接触方式で回路パターンの欠陥を測定してピンプローブの消耗を減少させることができるとともに、回路パターンの欠陥測定に対する信頼性を高めることができる、回路パターンの欠陥検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された回路パターンの一側にレーザービームを照射するレーザー部と、前記回路パターンの一側とビアを介して連結された他側に非接触方式で対向するキャパシタセンサーと、前記キャパシタセンサーに連結されて電圧を印加する電圧源と、前記キャパシタセンサーと連結され、前記キャパシタセンサーに生成されたインピーダンスの変化を感知する測定部とを含む、回路パターンの欠陥検査装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】連結回路パターンにキャパシタセンサーが非接触式で設置されて、接触圧力による誤測定の頻度を減らし、測定時間を節減する基板の回路パターン欠陥検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】基板の検査対象回路パターン106に接触して電圧を入力するためのピンプローブ101;検査対象回路パターン106と電気的に連結される連結回路パターン107に非接触方式で対向する膜電極103を備え、連結回路パターン107から膜電極103に作用する静電引力による電極間の変位によって発生する静電容量及び静電容量変化を感知するためのキャパシタセンサー102;及びキャパシタセンサー102に連結され、キャパシタセンサー102から入力される膜電極103の変位による静電容量を測定するための静電容量測定部104を含む。 (もっと読む)


UMG-Si原料バッチ中のボロンおよびリンの濃度を決定するための品質管理プロセスを提供する。シリコン検査インゴットは、UMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの方向性凝固によって形成される。シリコン検査インゴットの抵抗率を上部から底部まで測定する。次いで、シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルをマッピングする。シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルから、UMG-Siシリコン原料バッチのボロンおよびリンの濃度を算出する。さらに、UMG-Si原料バッチにそれぞれ対応する複数の検査インゴットを、多るつぼ結晶成長器において同時成長させてもよい。

(もっと読む)


【課題】液晶パネルの寿命検査にかかる時間を短縮するとともに、より現実に近い条件での検査を可能にする。
【解決手段】液晶パネルPに光を照射する照射部13と、液晶パネルPの比抵抗値を測定する比抵抗測定部11と、基準となる寿命を有する基準液晶パネルPrに対して前記光と同等の光を照射した時に、基準液晶パネルPrの比抵抗値が所定の値だけ変化するのに要する基準期間を記憶する記憶部16と、液晶パネルPの比抵抗値が所定の値だけ変化するのに要した第1期間と基準期間とを比較することにより、液晶パネルの良否を判断する演算部18とを備える。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスの電気的特性評価方法及び電子デバイスの電気的特性評価装置に関し、実電子デバイスの電気特性を高精度でモニタリングするとともに、実測したモニタリング結果から抽出した物性値を用いて理論計算を行って精度の高いキャリア分布を取得する方法の提供。
【解決手段】電子デバイス試料の電気的物性値を測定する測定工程と、前記電子デバイス試料の歪み分布及び元素分布を数値的に畳み込んだ電気抵抗モデルを用いて、前記電子デバイス試料の電気的物性値を計算する計算工程と、前記測定工程で取得した実測値と前記計算工程で取得した計算値を照合して、前記実測値との差分が最小になるまで畳み込みの度合いを変化させて反復計算を続ける反復計算工程とを用いて前記電子デバイス試料のキャリア分布を取得する。 (もっと読む)


【課題】試料を破壊することなく、迅速かつ正確にシリコン半導体薄膜の結晶性の評価結果を得ること。
【解決手段】基材上に成膜されたシリコン半導体薄膜の結晶性を評価するための装置であって、シリコン半導体薄膜の表面の所定の領域にキャリアを励起させるための励起光14を照射するLED1と、前記所定の領域における表面光電圧を検出してその検出信号を出力する透明電極6と、前記検出信号を処理してシリコン半導体薄膜の結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置11とを備えている。 (もっと読む)


【課題】基板を平坦化しつつ支持するとともに測定部を基板に容易に近接させて高精度な測定を実現する。
【解決手段】基板測定装置では、第1多孔質部材211から基板9の上面91上の対象領域911の周囲に向けて第1流体が噴出され、基板9を挟んで第1多孔質部材211と対向する第2多孔質部材221から基板9の下面92に向けて第2流体が噴出される。これにより、第1多孔質部材211と第2多孔質部材221との間において基板9を平坦化しつつ支持することができる。また、測定部移動機構4により測定電極31を第1多孔質部材211に対して上下方向に相対的に移動することにより、第1流体の制御のみでは近接させることが困難な所望の位置(測定電極31と基板9の上面91との間の距離が0.3μmとなる位置)まで測定電極31を基板9に容易かつ迅速に近接させることができ、これにより、高精度なC−V特性の測定を実現することができる。 (もっと読む)


非振動式接触電位差プローブおよび振動式接触電位差プローブを使用して、ウエハ表面の接触電位差を決定するための方法およびシステムが提供される。この方法およびシステムは、非振動式接触電位差センサを用いてウエハ表面を走査するステップと、得られたデータを積分およびスケーリングするステップと、積分およびスケーリングされたデータを振動式接触電位差センサを使用して行われた測定に整合させるために、データの個々のトラックにオフセットを適用するステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】シリコン単結晶の金属汚染の要因となる引き上げ装置の金属不純物の発生状況を確実に把握できるシリコン単結晶の金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】引き上げ軸7とルツボ2との間に電圧の印加が可能な引き上げ装置を用いてCZ法によりシリコン単結晶9を育成する際、シリコン単結晶9の非製品部である直胴部9bの下端部またはテイル部9cを育成する過程で、引き上げ軸7を負極としルツボ2を正極として電圧印加を行う。この電圧印加を伴って育成された直胴部9bの下端部またはテイル部9cからサンプルウェーハ15を採取し、このサンプルウェーハ15の金属汚染を評価する。サンプルウェーハ15は、金属不純物の濃度が高く、金属汚染の評価を十分に行うことができる。このような金属汚染評価を、順次育成するシリコン単結晶9ごとに行う。 (もっと読む)


【課題】レーザ光を用いて欠陥検査を行う際の検査精度の向上を図る。
【解決手段】欠陥検査装置1は、レーザ光5aの照射位置とその照射順序との関係を示す座標テーブル6aを設定する座標テーブル設定部6を有する。座標テーブル設定部6は、試料20のある照射位置にレーザ光5aを照射したときに生じる熱の分布を考慮し、その照射位置から所定距離離れた箇所に次の照射位置が設定されるように、座標テーブル6aを設定する。欠陥検査装置1は、座標テーブル6aを用い、レーザ光5aを試料20の所定位置に所定順序で照射し、照射によって生じる温度変化ΔTに起因した信号を検出し、欠陥検査を行う。各照射位置に周囲温度の影響を抑えてレーザ光5aを照射して信号を検出することができ、欠陥検査の精度向上が図られる。 (もっと読む)


1 - 20 / 41