【課題】コンデンサマイクロフォンの代わりにシリコンマイクロフォンを採用して、チャンバを不要化し、光を直接に検出できるようにする。
【解決手段】音響、静圧変動、動圧変動、加速度、光の照射変化、および温度変化などの物理現象に関わる複数の物理変量を検出する検出部１、および検出部１から出力された出力信号に基づいて物理変量の種類を判定する判定手段３を具備した多変量検出装置であって、検出部１をシリコンマイクロフォン５で構成した。また、金属酸化膜半導体素子(CMOS)として機能させ、光を電子的に検知する。シリコンマイクロフォンを収容する筐体に集光レンズ１３を設ける。 （もっと読む）

【課題】 小型化が図れる音圧空間微分検出センサを提供する。
【解決手段】 それぞれ扁平な直方体形状であって厚さ方向を互いに揃えて長手方向を互いに直交させる向きで配置された２個の振動板１と、振動板１を短手方向の両側から間に隙間を空けて挟む挟み部２０を各振動板１についてそれぞれ有するパッケージ２と、各振動板１に２個ずつ設けられそれぞれ振動板１の長手方向の中央部であって短手方向の一端ずつとパッケージ２の挟み部２０との間に架設された支持体３と、各振動板１の長手方向の両端部の測定点Ａ〜Ｄについてそれぞれ厚さ方向の変位を検出する変位検出手段（図示せず）とを備える。１枚の振動板１につき１方向の音圧空間微分を検出可能であるから、１方向の音圧空間微分を検出するために複数枚ずつの振動板を用いる場合に比べ、小型化が図れる。 （もっと読む）

高分解能デジタル地震及び重力センサは、１つまたは複数の力感知共振器に接続された慣性質量体を含む。この慣性質量体の重量は、静重力場の力に曝されている時、バネ配列によって実質的に排除される。地震及び重力センサのベースに加えられた地震加速度、又は重力場の変化が、負荷を発生させ、この負荷が力感知共振器に伝達されることで、その共振周波数の変化が上記加えられた負荷に関連付けられる。従って、共振周波数の変化は、地震加速度及び重力場変動の測定値である。 （もっと読む）

本発明は、フロー（１２）が当たり得るボディ（１６）におけるフロー状態を検出するための、フロー状態センサ（１０）に関する。構造簡単であり、評価しやすいフロー状態センサ（１０）は、本発明によれば、そのフロー状態の少なくとも１つの所定周波数特性を検出する、少なくとも１個の周波数検出デバイス（２０）を特徴とする。周波数検出デバイス（２０）は、フロー（１２）による共鳴発振運動（３０）で励起し、所定周波数特性適合する、特に所定周波数特性に対応する共鳴周波数または固有周波数を有する、少なくとも１個の発振素子（２２；２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）を備える。フロー測定デバイス（６２）、およびフロー測定方法に、フロー状態センサ（１０）を使用すること、およびフロー状態センサ（１０）のための有利な製造方法を提案する。
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【課題】振動トランスデューサの感度を高める。
【解決手段】基板と、前記基板上の堆積膜からなり導電性を有するダイヤフラムと、前記基板上の堆積膜からなり導電性を有するプレートと、前記ダイヤフラムを構成している導電膜からなり前記ダイヤフラムから切り離されているガード部と、上層絶縁膜からなり、前記プレートと前記ガード部とに接合され、前記ダイヤフラムとの間に空隙を挟んで前記プレートを支持する、プレートスペーサと、前記基板と前記ガード部とに接合されている下層絶縁膜と、を備え、前記ダイヤフラムが前記プレートに対して振動することにより前記ダイヤフラムと前記プレートとで形成される静電容量が変化する、振動トランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】振動トランスデューサの感度を高めつつダイヤフラムのスティクションを防止する。
【解決手段】基板と、前記基板上の堆積膜からなり、導電性を有し、中央部と前記中央部から外側に放射状に延びる複数の腕部とを備えるダイヤフラムと、前記基板上の堆積膜からなり、導電性を有するプレートと、前記基板上の堆積膜からなり、複数の前記腕部のそれぞれに接合され、前記プレートとの間に空隙を挟んで前記ダイヤフラムを支持するダイヤフラム支持部と、を備え、前記基板または前記プレートに前記ダイヤフラムが付着することを防止する複数の突起が前記ダイヤフラムの腕部に形成され、前記ダイヤフラムが前記プレートに対して振動することにより前記ダイヤフラムと前記プレートとで形成される静電容量が変化する、振動トランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】任意の複素数荷重を与えることのできる振動波検出方法及び装置を提供する。
【解決手段】それぞれが異なる特定の周波数に共振する複数の共振ビーム５１ａ〜５ｎｂに振動波を伝播させ、共振ビーム５１ａ〜５ｎｂそれぞれの前記周波数による共振に伴う電気的出力を、共振ビーム５１ａ〜５ｎｂそれぞれに設けたピエゾ抵抗６１ａ〜６ｎｂにて検出する振動波検出方法であって、複数の共振ビーム５１ａ〜５ｎｂのピエゾ抵抗６１ａ〜６ｎｂに共通の周波数で共振ビーム５１ａ〜５ｎｂごとに位相の異なる交流バイアス電圧を印加し、複数の共振ビーム５１ａ〜５ｎｂのピエゾ抵抗６１ａ〜６ｎｂの出力を合成する。さらに、前記交流バイアス電圧は、その交流バイアス電圧が印加される複数の共振ビーム５１ａ〜５ｎｂのうち少なくとも１つの共振ビームにおいて振幅が異なる。 （もっと読む）

【課題】静電容量型の音響センサにおいて、小型化、耐ノイズ性の向上、及び高感度化を実現すると共に安価なものとする。
【解決手段】本実施形態の音響センサ１は、シリコン基板２に形成され音響によって振動する振動板３と、振動板３に対向するバックプレート４とを有し、両者間の容量変化を検出することによって音響を検出するセンサであって、容量変化の信号を受信して増幅する増幅部が参照するための容量成分１０を基板２上に備えている。参照用の容量成分１０は、半導体構造から成り、音響センサ１の本体の音響検知部を形成する材料と製造プロセスとによって形成されている。 （もっと読む）

【目的】 検出できる接触状態、即ち検出できる外力の範囲が広い振動型の触覚センサを提供する。
【構成】 弾性金属と、該弾性金属の表面に形成された強磁性体膜と、該強磁性体膜の上に形成された第１の電極及び第２の電極と、を備える触覚センサ本体部と、第１の電極へ駆動電圧を印加する駆動電圧印加回路部と、第２の電極の出力を検出する検出回路部と、を備える触覚センサであって、触覚センサ本体部が複数の共振モードで共振するように、第１の電極へ印加する駆動電圧の周波数を変化させ、前記触覚センサ本体部において被検体へ接触する部分に弾性体を配設し、該弾性体のばね定数は外力の変化に応じて変化するものである。 （もっと読む）