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Fターム[2G065AA11]の内容

測光及び光パルスの特性測定 (19,875) | 測定量 (2,442) | 光分布(空間的) (362)

Fターム[2G065AA11]に分類される特許

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【課題】焦電型光検出器の検出出力を高めること。
【解決手段】焦電型光検出器は、基板10と、基板上に支持される支持部材215と、支持部材に接して形成されている焦電型光検出素子251と、を有する。焦電型光検出素子251は、支持部材側に設けられる第1電極234と、第1電極と対向して設けられ、平面視における面積が、第1電極より小さい第2電極236と、第1電極234と第2電極236との間に設けられる焦電体232と、を含むキャパシター230を有する。焦電型光検出素子251はさらに、キャパシター上に形成されている光吸収層270を含む。平面視における光吸収層の面積を受光部面積Aaとし、平面視における第2電極の面積をキャパシター面積Acとし、Aa/Acは、2.0<Aa/Ac<49.0を満足する。 (もっと読む)


【課題】熱源の移動を詳細に検知可能である赤外線センサー装置であって、構造がシンプルで、小型な赤外線センサー装置を提供する。
【解決手段】焦電型赤外線センサー装置1aは、焦電型赤外線センサー20と、光学フィルタ10とを備えている。焦電型赤外線センサー20は、受光面21aを有する焦電体基板21と、受光面21aの上に形成されている第1の電極22a、22bと、焦電体基板21の上に形成されている第2の電極23とを有する。光学フィルタ10は、受光面21aの上に配置されている。光学フィルタ10は、第1の電極22a、22bの一部に対して入射する赤外線の強度を低下させることにより、第1の電極22a、22bが設けられている領域に、入射する赤外線の強度が相対的に高い第1の領域B1〜B4と、入射する赤外線の強度が相対的に低い第2の領域C1,C2とを形成している。 (もっと読む)


【課題】熱源の大きさが赤外線カメラ1画素の検出範囲よりはるかに小さな場合であっても、赤外線カメラの画素数を増やすことなくカメラから熱源までの位置角度を精度良く求める。
【解決手段】検出範囲の最も赤外線カメラから遠くにあり、1画素の検出範囲よりもはるかに小さな熱源であっても、赤外線カメラのレンズの焦点をずらし、3画素に赤外線が入射させ3画素が出力するデータの大小を比較することにより精度の高い熱源の角度検出を行う。 (もっと読む)


【課題】画像処理によって、残像の少ない赤外線画像を可能にする赤外線固体撮像装置を提供する。
【解決手段】一実施形態によれば、感熱画素からなる赤外線検出素子部と、前記赤外線検出素子部により得られた赤外線の画像信号をアナログ−デジタル変換するAD変換器と、デジタル信号に変換された画像信号を処理するデジタル信号処理部からなる赤外線固体撮像装置を提供する。前記デジタル信号処理部が、現フレームの直前フレームの取得画像値を記憶し、現フレームの取得画像値から、前記直前フレームの取得画像値に対し予め定めた0から1の間の定数αを乗算した画像値を減算し、さらに減算した画像値を1/(1−α)倍する処理をすることにより、残像の少ない赤外線画像を提供する。 (もっと読む)


【課題】赤外線サーマルディテクタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】赤外線サーマルディテクタ10は、基板20と、検知部30と、サーマルレッグ50とを含む。検知部30は、基板20から離隔され、入射される赤外線光を、局部的な表面プラズモン共鳴を介して吸収し、吸収された赤外線による温度変化によって、抵抗値が変わるように設けられサーマルレッグ50は、検知部30からの信号を基板20に伝達する。 (もっと読む)


【課題】装置構成が簡易であり、容易に良否検査が可能なビーム走査検査装置およびビーム走査検査方法を提供する。
【解決手段】主走査方向においてスポット径よりも幅の狭い領域で受光し、主走査方向における複数の像高位置で走査光学系から射出されたビームのピーク光量をビーム走査している状態で算出し、主走査方向における各像高位置に対するピーク光量を基に良否を検査する。 (もっと読む)


【課題】犠牲膜をエッチングして形成された空隙を備えるセンサーにおいて、犠牲膜のみをエッチングして空隙を形成する方法を提供する。
【解決手段】基板2上に絶縁膜14を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜14に凹部15を形成する凹部形成工程と、凹部15に酸化シリコンからなる犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、犠牲膜上に支持部23を形成する支持部形成工程と、支持部23上に赤外線検出部4を形成する検出部形成工程と、エッチング液を用いて犠牲膜をエッチングして空隙16を形成するエッチング工程と、を有し、絶縁膜はエッチング液に対して耐食性を有する。 (もっと読む)


【課題】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法の提供。
【解決手段】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は、熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証10を含み、エピタキシャルパラメーターの校正を行う。単乙型感知部品製造工程と変温光電量測定検証20を行い、エピタキシャルは感知部品の低温変温と変圧測定校正を完成する。焦平面アレー製造工程とその光電均一度の検証30を行い、暗電流均一度テストを行う。焦平面アレーと信号読み出し集積回路の接着と研磨製造工程検証40を行い、感知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接着を行い光電信号を転換し、熱影像品質統合テスト検証50を行い、最適駆動と制御出力パラメーター分析と測定を調整し、熱影像アレーモジュール雛形を行い、焦平面感知アレーと接合し、影像感知アレーモジュール雛形を完成60する。 (もっと読む)


【課題】外乱光の多い環境下でも無色・透明の水素火炎の可視化ができる装置であって、小型であり且つコスト性に優れた水素火炎可視化装置およびその方法の提供。
【解決手段】少なくとも930〜950nmの範囲で設定された波長を含む近赤外画像を撮像する近赤外線画像撮像手段20と、熱画像を撮像する熱画像撮像手段40と、可視画像を撮像する可視画像撮像手段30と、演算装置53、表示装置51および記憶装置52を有する処理部2を備え、処理部が、前記各撮像手段で撮像した監視対象領域の各画像を記憶装置に記憶する手段と、近赤外画像撮像および熱画像に同時に同位置に近赤外波長および熱線波長が検出された領域を火炎領域と判定し、火炎領域を着色した可視画像を表示装置に表示させる手段を備えることを特徴とする水素火炎可視化装置及びその方法。 (もっと読む)


【課題】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法の提供。
【解決手段】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証10を含み、エピタキシャルパラメーターの校正を行う。単乙型感知部品製造工程と変温光電量測定検証20を行い、エピタキシャルは感知部品の低温変温と変圧測定校正を完成する。焦平面アレー製造工程とその光電均一度の検証30を行い、暗電流均一度テストを行う。焦平面アレーと信号読み出し集積回路の接着と研磨製造工程検証40を行い、感知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接着を行い光電信号を転換し、熱影像品質統合テスト検証50を行い、最適駆動と制御出力パラメーター分析と測定を調整し、熱影像アレーモジュール雛形を行い、焦平面感知アレーと接合し、影像感知アレーモジュール雛形を完成60する。 (もっと読む)


【課題】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法の提供。
【解決手段】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証10を含み、エピタキシャルパラメーターの校正を行う。単乙型感知部品製造工程と変温光電量測定検証20を行い、エピタキシャルは感知部品の低温変温と変圧測定校正を完成する。焦平面アレー製造工程とその光電均一度の検証30を行い、暗電流均一度テストを行う。焦平面アレーと信号読み出し集積回路の接着と研磨製造工程検証40を行い、感知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接着を行い光電信号を転換し、熱影像品質統合テスト検証50を行い、最適駆動と制御出力パラメーター分析と測定を調整し、熱影像アレーモジュール雛形を行い、焦平面感知アレーと接合し、影像感知アレーモジュール雛形を完成60する。 (もっと読む)


【課題】より広範囲かつ高速に対象を検出することが可能な対象検出装置および対象検出方法を提供する。
【解決手段】対象検出装置101は、検出対象の物性に応じて予め選択された複数の波長帯について、2次元画像を撮像するための撮像部11と、2次元画像の各画素における物質を検出するための検出部12とを備える。 (もっと読む)


【課題】人物の表面温度と背景物体の表面温度との温度差が少ない状態でも、人物を判別する。
【解決手段】遠赤外線撮像素子を有する撮像装置において、人物の表面温度が第一の所定温度以上かつ第二の所定温度以下の場合、第一の所定温度を温度画像信号の下限値とし、第二の所定温度を温度画像信号の上限値となるように温度画像信号を出力画像信号に変換し、人物の表面温度が第一の所定温度以下の場合、人物の表面温度を温度画像信号の下限値とし、第二の所定温度を温度画像信号の上限値となるように温度画像信号を出力画像信号に変換し、人物の表面温度が第二の所定温度以上の場合、第一の所定温度を温度画像信号の下限値とし、人物の表面温度を温度画像信号の上限値となるように温度画像信号を出力画像信号に変換する。 (もっと読む)


【課題】微小な撮像の対象物がその表面、又は内部に存在する透光性の基板に存する対象物を安価に撮像することを可能とする技術を提供する。
【解決手段】撮像装置100は、点光源として機能する孔34と、撮像を行う撮像素子53とを、基板60の互いに反対側に位置させた状態で備える。孔34から出た光は、L2/L1倍に拡大されて撮像素子53の撮像面53Aに至り、レンズなしでの拡大撮像が実現される。 (もっと読む)


【課題】ウェハ1枚当たりの赤外線センサの取れ数の減少を抑えつつ、ウェハごとに2種類の熱電要素のゼーベック係数を管理することが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1の基礎となるウェハ200の一表面側へのn形ポリシリコン層34(第1の熱電要素)の形成と同時に第1シート抵抗モニタ部234を形成し、且つ、ウェハ200の上記一表面側へのp形ポリシリコン層35(第2の熱電要素)の形成と同時に第2シート抵抗モニタ部235を形成するようにし、第1シート抵抗モニタ部234のシート抵抗および第2シート抵抗モニタ部235のシート抵抗それぞれを測定し、予めデータベース化されているシート抵抗とゼーベック係数との関係に基づいて、第1シート抵抗モニタ部234および第2シート抵抗モニタ部235のゼーベック係数がそれぞれの管理規格範囲内にある良品か管理規格範囲外にある不良品かを判定する。 (もっと読む)


【課題】製造歩留まりの向上を図ることが可能な赤外線センサチップの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハを用意し、この半導体ウェハから複数個の赤外線センサチップを製造する赤外線センサチップの製造方法であって、半導体ウェハの用意にあたっては、1個の単結晶半導体インゴット300を元に形成された複数枚の単結晶半導体ウェハ301の中から検査用として抜き取った単結晶半導体ウェハ301bの形状および結晶性それぞれについて、予め規定した検査項目の検査を行い、検査規格を満足した検査用の単結晶半導体ウェハ301bの形成元の単結晶半導体インゴット300から形成した他の単結晶半導体ウェハ301aを半導体ウェハとして用意する。 (もっと読む)


【課題】パラサイト赤外線に対する統合化されたシールドを有する赤外線撮像デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本デバイスは、赤外線検出器(40)を有する支持体(62)と、検出器に面する少なくとも1つの光学デバイス(28)と、パラサイト赤外線に対するシールドとを備える。シールドは、互いに離間し、支持体から光学デバイスまで延び、ベントを有し、支持体と光学デバイスの間を横方向に貫通するパラサイト赤外線を顕著に減衰させる材料で作成された、少なくとも2つの連続するビード(c1,c2)を備える。これらベントを有する2つのビードは、バッフルを形成する。デバイスは、フリップチップ技術を用いて製造される。 (もっと読む)


【課題】感度の調整ができる検出装置、センサーデバイス及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】検出装置は、焦電素子10と、焦電素子10に接続され、焦電素子10の出力電圧の電圧感度を調整する感度調整回路30と、焦電素子10に接続される検出回路20とを含む。感度調整回路30は、感度調整用の可変容量回路40を含み、可変容量回路40に並列に接続される可変抵抗回路50をさらに含む。可変容量回路40の容量値が小さな値に設定された場合に、可変抵抗回路50の抵抗値は大きな値に設定され、可変容量回路40の容量値が大きな値に設定された場合に、可変抵抗回路50の抵抗値は小さな値に設定される。 (もっと読む)


【課題】 近赤外の長波長領域まで受光でき、かつ画素ピッチを密にしても受光感度を確保できる、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】 この受光素子アレイ10は、近赤外波長領域に対応するバンドギャップエネルギを有する受光部Pが、複数、配列され、受光部は、選択拡散によって形成されたp型領域6の先端部にpn接合15を有し、受光部Pを区分けするように、n型領域7が該受光部の間に位置することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ICチップの発熱に起因した赤外線センサチップの面内でのS/N比のばらつきを抑制することが可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線センサは、赤外線センサチップ100と、赤外線センサチップ100の出力信号を信号処理するICチップ102と、赤外線センサチップ100およびICチップ102が収納されたパッケージ103とを備える。赤外線センサチップ100は、複数の熱型赤外線検出部3が半導体基板1の一表面側においてアレイ状に配置されている。パッケージ103は、パッケージ本体104と、パッケージ本体104に接合されたパッケージ蓋105とを有する。ICチップ102は、パッケージ本体104に実装されている。赤外線センサチップ100は、パッケージ本体104に保持された支持部材106に支持され、パッケージ103内でICチップ102の厚み方向においてICチップ102から離れて配置されている。 (もっと読む)


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