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Fターム[2G065AB03]の内容

測光及び光パルスの特性測定 (19,875) | 測定光 (3,262) | 波長 (2,087) | 赤外 (1,406) | 遠赤外 (58)

Fターム[2G065AB03]に分類される特許

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【課題】撮像素子部に対して入射される電磁波を透過状態/遮蔽状態を切り換えて結像画像検出を行う撮像装置の小型化。
【解決手段】複数個の画素を有する撮像素子部と、外部からの電磁波を上記撮像素子部に画像として結像させる撮像光学系とを有する撮像装置において、撮像素子部への電磁波の透過及び遮蔽を行う透過/遮蔽部を、撮像光学系における開口絞り位置に配置する。透過/遮蔽部はアクチュエータによって透過状態と遮蔽状態に反復駆動される。そして透過状態となっているときの撮像素子部の画素の出力と、遮蔽状態となっているときの撮像素子部の画素の出力との差動信号を撮像画像信号出力とする構成とする。 (もっと読む)


【課題】テラヘルツ電磁波の検出精度を向上させることができるテラヘルツ放射顕微鏡、これに用いられる、光伝導素子、レンズ及びデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】光伝導素子は、基材と、電極と、膜材とを具備する。前記基材は、光源から発生したパルスレーザーが、観察対象であるデバイスに照射されることにより発生するテラヘルツ電磁波が入射する入射面を有する。前記電極は、前記基材に形成され、前記基材の入射面に入射された前記テラヘルツ電磁波を検出する。前記膜材は、前記基材の前記入射面に形成され、前記テラヘルツ電磁波を透過させ、前記パルスレーザーを反射させる。 (もっと読む)


【課題】信号対雑音比が改善され構造が単純な光センサーを提供する。
【解決手段】光熱変換体と焦電体とが熱結合される。光熱変換体には周期構造が形成される。周期構造においては、単位構造が周期的に配列される。単位構造の一部のみが負の誘電率を持つ物質で占められる。焦電体の電気的性質は、熱より変化する。 (もっと読む)


【課題】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法の提供。
【解決手段】主に本発明の赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は、熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証を含み、先ずエピタキシャルパラメーターの校正を行う。単乙型感知部品製造工程と変温光電量測定検証を行い、これによりエピタキシャルは感知部品の低温変温と変圧測定校正を完成する。焦平面アレー製造工程とその光電均一度の検証を行い、暗電流均一度テストを行う。焦平面アレーと信号読み出し集積回路の接着と研磨製造工程検証を行い、感知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接着を行い光電信号を転換する。熱影像品質統合テスト検証を行い、最適駆動と制御出力パラメーター分析と測定を調整する。熱影像アレーモジュール雛形を継続して行い、インジウム柱接合方式を利用し、焦平面感知アレーと接合し、影像感知アレーモジュール雛形を完成することができる。 (もっと読む)


【課題】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法の提供。
【解決手段】主に本発明の赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は、熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証を含み、先ずエピタキシャルパラメーターの校正を行う。単乙型感知部品製造工程と変温光電量測定検証を行い、これによりエピタキシャルは感知部品の低温変温と変圧測定校正を完成する。焦平面アレー製造工程とその光電均一度の検証を行い、暗電流均一度テストを行う。焦平面アレーと信号読み出し集積回路の接着と研磨製造工程検証を行い、感知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接着を行い光電信号を転換する。熱影像品質統合テスト検証を行い、最適駆動と制御出力パラメーター分析と測定を調整する。熱影像アレーモジュール雛形を継続して行い、インジウム柱接合方式を利用し、焦平面感知アレーと接合し、影像感知アレーモジュール雛形を完成することができる。 (もっと読む)


【課題】テラヘルツ電磁波の検出または発生が効率良く行われ、S/N比を向上させることができる光伝導基板およびこれを用いた電磁波発生検出装置を提供する。
【解決手段】基板3と、基板3上に積層された半導体積層群5と、を備え、半導体積層群5は、第1化合物半導体層51と、第1化合物半導体層51上に、第1化合物半導体層51と屈折率が異なると共に励起光の表面反射を低減できる層厚で成長させた第2化合物半導体層52と、を有している。 (もっと読む)


【課題】キャリア寿命を短縮(制御)することで、テラヘルツ電磁波の発生または検出を効率良く行うことのできる光伝導基板およびこれを用いた電磁波発生検出装置を提供する。
【解決手段】本発明の電磁波発生検出装置1は、基板3と、基板3上に成長させたバッファ層4と、バッファ層4上に成長させた半導体層5と、を備え、半導体層5は、光電効果が生じる領域内に転位を有した光伝導基板2を備え、半導体層5上に形成されたアンテナ6を備えている。 (もっと読む)


【課題】 超電導素子に電磁波を効率よく吸収させることができる超電導電磁波測定器を提供する。
【解決手段】 超電導電磁波測定器1は、電磁波31を内部に入射させることができる入射窓3を有する断熱容器2と、この断熱容器2内に設けられ、入射窓3と対向する面に凹形状部5dを形成する素子基板5と、この素子基板4の凹形状部5dの表面に形成される超電導素子6と、この超電導素子6の両端に電極を接続して超電導素子6の抵抗の変化を測定する抵抗測定装置8とを備える。 (もっと読む)


【課題】光励起によりテラヘルツ波を発生、検出する素子において低温成長半導体の歪みや欠陥がテラヘルツ波発生効率などを制限していた点を解決した光伝導素子等を提供する。
【解決手段】光伝導素子は、半導体低温成長層14を有し、半導体低温成長層14と半導体基板10との間に位置し且つ半導体低温成長層14よりも薄い半導体層11、12、13を有する。半導体低温成長層14は、半導体層11、12、13と格子整合し半導体基板10と格子整合しない半導体を含む。 (もっと読む)


【課題】より広い入射角度の範囲を備えた光を集光させることが可能な光学素子を提供する。より広い入射角度の範囲を備えた光を検出することが可能な光検出デバイスを提供する。
【解決手段】光を集光させる光学素子において、前記光学素子は、一方の側における第一の柱面及び第二の柱面並びに他方の側における第三の柱面を有すると共に、前記第一の柱面の軸及び前記第三の柱面の軸を含む平面は、前記第二の柱面の軸及び前記第三の柱面の軸を含む平面と交差することを特徴とする、光学素子が提供される。光を検出する光検出デバイスにおいて、上記の光学素子及び前記光学素子によって集光させられた光を検出する素子を含むことを特徴とする、光検出デバイスが提供される。 (もっと読む)


【課題】集光効率を向上させ、小型の遠赤外線検出装置を提供すると共に、センサ感度を向上させ、画素が配置されている方向と垂直な方向の変化も検出可能な遠赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】遠赤外線を集光する集光手段と、集光された遠赤外線を検出する検出手段とを含む遠赤外線検出装置であって、集光手段における遠赤外線の入射面側に設けられた曲面と、集光手段における遠赤外線の出射面側に設けられた全反射防止面とを含み、集光手段は、シリンドリカルレンズと凸レンズ群とを含み、検出手段は、シリンドリカルレンズにより集光される遠赤外線と、凸レンズ群により集光される遠赤外線とを検出するセンサ素子とを含む。 (もっと読む)


【課題】高い製造歩留りで作成できる高感度ボロメータ型THz波検出器の提供。
【解決手段】基板に形成された読出回路に接続される電気配線を含む支持部により、前記電気配線に接続されるボロメータ薄膜を含む温度検出部が、前記基板から浮いた状態で支持される熱分離構造を有するボロメータ型THz波検出器であって、前記基板上の前記温度検出部に対向する位置にTHz波を反射する反射膜が形成され、前記温度検出部の表面、裏面あるいは内部に前記THz波を吸収する吸収膜が形成され、前記反射膜と前記吸収膜とで光学的共振構造が形成され、前記反射膜上にTHz波に対して透明な誘電体が形成され、前記誘電体の上面と前記温度検出部の下面との間隔(エアギャップ)が8μm未満となるように、前記誘電体の膜厚が設定されている。 (もっと読む)


【課題】近赤外域〜遠赤外域にわたって高い受光感度を持ち、製造が容易であり、安定して高品質が得られる、受光デバイス、半導体エピタキシャルウエハ、これらの製造方法、および検出装置を提供する。
【解決手段】III−V族半導体基板と、III−V族半導体基板の上に位置し、(InAs/GaSb)が繰り返し積層された多重量子井戸構造の受光層3とを備え、III−V族半導体基板がInAs基板1であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低コスト生産が比較的容易で角度分散や波長分散に対するトレランスが得られやすい遠赤外線検出素子及び遠赤外線検出装置を得る。
【解決手段】基板に互いに異なる材料からなる第一の層と第二の層とが積層された遠赤外線検出素子において、第一の層は遠赤外線を吸収する材料で構成され、第二の層の内部には、第一の層より屈折率が大なる材料であって、かつ遠赤外線とは異なる波長を有する光線に対して共振する微細構造が形成されており、微細構造は第二の層より小なる屈折率を有する材料で構成され、第二の層の面方向において周期的に配置されており、かつ、第二の層の層厚方向において第二の層を構成する材料の一部又は全部が、微細構造の材料に周期的に置き換えて配置されている。 (もっと読む)


【課題】ウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイを製造する方法を提供する。
【解決手段】ウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイの製造方法は、検出器ウエハーを形成する。該形成は、複数の検出器アレイ及び複数の読出し回路を形成する。該方法は又、蓋ウエハーを形成する。該形成は、磁気閉じ込めチョクラルスキー(MCZ)ウエハーの表面を研磨し、MCZウエハーにチョクラルスキー・ウエハーを接合し、且つチョクラルスキー・ウエハー内に複数のポケットを形成する。各ポケットはMCZウエハーの研磨面の一部を露出させる。更に、各検出器アレイ及び読出し回路が異なるポケット内で封止されるように蓋ウエハーと検出器ウエハーとを接合する。これにより、複数のウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイが形成される。更に、複数のウエハーレベルパッケージ焦点面アレイからウエハーレベルパッケージ焦点面アレイを分離する。 (もっと読む)


【課題】所定の赤外線またはテラヘルツ波長範囲内の電磁放射線を検出するボロメータアレイ検出器を提供する。
【解決手段】基板(16)と、支持アームによって基板の上方に懸架された、前記放射線を検出するボロメータマイクロプレートのアレイと、を備えた、所定の赤外線またはテラヘルツ波長範囲内の電磁放射線を検出するボロメータアレイ検出器である。該ボロメータアレイ検出器が、各マイクロプレートの上方及び周囲に配置された金属膜を備え、開口(26)が、金属膜内に形成され、;金属膜(22)内の前記開口(26)が、λ/n以下の周期で、少なくとも一つの所定の軸に沿って金属膜(22)内に周期的に配置され、λが、検出される波長範囲内の波長であり、nが、マイクロプレートを金属膜(22)から分離する媒体の平均屈折率である。 (もっと読む)


【課題】電磁放射の信頼性があり正確な測定を可能にする検出装置を提供する。
【解決手段】電磁放射を検出するための装置は、電磁放射8に対して感受性を有する第1の要素12を備えたアクティブ・ボロメータ7と、アクティブ・ボロメータと同一であり、電磁放射8に対して感受性を有する第2の要素13を備えた基準ボロメータ10とを含む。アクティブ・ボロメータ7および基準ボロメータ10は、同じ基板14上に互いに接近して配置される。カバー15が、電磁放射に晒される第2の感受性要素13の少なくとも一部分を被覆し、かつ、第2の感受性要素13とカバー15の間に空きスペースを設ける。カバー15の内壁17は、少なくとも第2の感受性要素13から放射された熱放射線を吸収する材料から作られた吸収性層から構成される。反射シールドが、電磁放射8に晒される外壁16の少なくとも一部分を形成する。 (もっと読む)


【課題】レンズ部以外の部位であるベース部を通して赤外線検出素子の受光面へ赤外線が入射するのを防止することが可能な半導体レンズ、半導体レンズの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レンズ3は、パッケージ2において赤外線検出素子1の受光面の前方に形成された矩形状の透光窓23を覆うようにパッケージ2の内側から配設される。半導体レンズ3は、赤外線検出素子1の受光面へ赤外線を集光するレンズ部3a以外の部位であるベース部3bの外周形状が矩形状に形成されている。また、半導体レンズ3は、透光窓23の内側に位置するベース部3bを通して赤外線検出素子1の受光面へ入射しようとする赤外線を吸収することで阻止する赤外線阻止層3cを備えている。赤外線阻止層3cは、不純物(例えば、ボロンなど)が高濃度ドーピングされた高濃度不純物ドーピング層により構成してある(つまり、赤外線阻止層3cをベース部3b内に形成してある)。 (もっと読む)


【課題】高感度ボロメータ型THz波検出器の提供。
【解決手段】基板に形成された読出回路に接続される電気配線を含む支持部により、前記電気配線に接続されるボロメータ薄膜を含む温度検出部および該温度検出部の周縁部から内側と外側に延びて形成された庇が、前記基板から浮いた状態で支持される熱分離構造を有するボロメータ型THz波検出器であって、該庇のうち該温度検出部の周縁部から内側に延びて形成された庇の一部に1個または複数の穴を有し、前記基板上の前記温度検出部に対向する位置にTHz波を反射する反射膜が形成され、前記庇上に前記THz波を吸収する吸収膜が形成され、前記反射膜と前記吸収膜とで光学的共振構造が形成される。 (もっと読む)


【課題】 テラヘルツ波を精度良く検出することができるテラヘルツ波検出器、及びそのようなテラヘルツ波検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】 テラヘルツ波検出器1では、アンテナ本体11で変換された電流は、アンテナ配線15を介して抵抗膜13に供給される。そして、アンテナ本体11が基板3に形成されているのに対して、アンテナ配線15は基板4に形成されている。これにより、ボロメータ配線16と同程度にアンテナ配線15を細長くしてアンテナ配線15の熱抵抗を増すことができ、その結果、絶縁膜12、抵抗膜13及びボロメータ膜14をアンテナ本体11から熱的に分離することができる。 (もっと読む)


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