【課題】近接センサ及び照度センサを１チップ化する場合、チップ面積を削減することができる光検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】受光部は、第１の受光素子５０と第２の受光素子５１が半導体を用いて一体的形成されている。第１の受光素子５０と第２の受光素子５１に共通なｐ型基板１を備えている。第１の受光素子５０では、第１のフォトダイオードＰＤ１、第２のフォトダイオードＰＤ２、第３のフォトダイオードＰＤ３が受光面から異なる深さに形成されている。第２の受光素子５１は赤外線透過フィルタ２０を備え、第４のフォトダイオードＰＤ１１、第５のフォトダイオードＰＤ１２、第６のフォトダイオードＰＤ１３が受光面から異なる深さに形成される。可視光領域に感度ピークを有する第１の受光素子５０から出力される光電流と赤外線領域に感度ピークを有する第２の受光素子から出力される光電流から周囲光の照度を測定する。 （もっと読む）

【課題】光子計数装置およびその方法を提供する。
【解決手段】光子計数装置１０は検出器ユニット１２と切替ユニット３０とサンプリングユニットと直並列変換ユニットと評価ユニットを有し、切替ユニットには検出器ユニットにより生成された検出信号２６が衝突し、サンプリングユニットは切替ユニットにより生成された状態信号３２をサンプリングし、直列サンプリングデータを生成する。直並列変換器ユニットはサンプリングデータをサンプリングデータパケットにグループ分けし、評価ユニットはサンプリング頻度を下回る所定の動作サイクルタイムで動作し、動作サイクル時間により決定される各クロックサイクル内にそれぞれのサンプリングデータパケットのうちの少なくとも１つのｎビット２進値を評価して部分的カウンタ計数結果を特定し、個々のクロックサイクル内に特定された部分的カウンタ計数結果を加算して検出光子数を示す全体的カウンタ計数結果を得る。 （もっと読む）

【課題】キャリア寿命を短縮（制御）することで、テラヘルツ電磁波の発生または検出を効率良く行うことのできる光伝導基板およびこれを用いた電磁波発生検出装置を提供する。
【解決手段】本発明の電磁波発生検出装置１は、基板３と、基板３上に成長させたバッファ層４と、バッファ層４上に成長させた半導体層５と、を備え、半導体層５は、光電効果が生じる領域内に転位を有した光伝導基板２を備え、半導体層５上に形成されたアンテナ６を備えている。 （もっと読む）

【課題】 双方向で投受光することが可能な双方向型物体検知センサ、同一構造で互換性のある双方向型物体検知センサ、受光信号を同一投受光装置内や別の投受光装置における投光信号に加えることが可能な双方向型物体検知センサの提供。
【解決手段】 少なくとも投光器と受光器と投光制御部と受光制御部を有する単位投受光器が、対向してまたは並行に複数配置された１組の投受光装置であって、一方の単位投受光器の投光光は他方の単位投受光器により受光され、当該他方の単位投受光器の投光光は前記一方の単位投受光器により受光され、かつ、前記各単位投受光器における投光器の向きと受光器の向きが同一である双方向型物体検知センサを提供する。 （もっと読む）

【課題】
パルス光の時間幅の状態をリアルタイムにモニターできる、パルス光のモニター装置およびパルス光のモニター方法を提供する。
【解決手段】
測定対象であるレーザーパルス光を２つの光に分波する分波器と、分波された２つの光をそれぞれ受ける、第１光検出器および第２光検出器と、信号演算処理器と、出力器と、を有し、前記第１光検出器は１光子吸収を利用して受けた光のエネルギーを第１信号に変換するとともに、前記第２光検出器は２光子吸収を利用して受けた光のエネルギーを第２信号に変換しており、前記信号演算処理器は、前記第２信号を前記第１信号の２乗で除した商を求め、前記商より前記パルス光の時間幅の状態を表す演算機能を有しており、前記パルス光の時間幅の状態を表す信号を、前記出力器に出力しモニターすることを特徴とするパルス光のモニター装置である。 （もっと読む）

【課題】基準ファイバならびに測定対象である光ファイバが無くともＡＰＤの増倍率の補正が容易に出来る光パルス試験器およびその調整方法を提供することを目的とする。
【解決手段】光パルスではなくタイミング制御不要な連続光を試験対象の光ファイバを接続するための外部接続部に向けて射出し、当該連続光の後方散乱光よりレベル大きい反射光をアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）で受光し、ＡＰＤの増倍率を決定するＡＰＤバイアス電圧を変化させ、ＡＰＤの増倍率とＡＰＤバイアス電圧の組み合わせを複数検出することによってＡＰＤの増倍率の補正を行う。 （もっと読む）

【課題】アバランシュフォトダイオードを利用する単一光子検出装置及び光子数分解検出装置が提供される。
【解決手段】発明によるアバランシュフォトダイオードを利用する単一光子検出装置及び光子数分解検出装置は補助信号発生部、受光素子、合成部及び判別部を含む。前記補助信号発生部は補助信号を発生させ、前記受光素子は光子を受信して電気的な信号を出力し、前記合成部は前記受光素子の出力信号及び前記補助信号を合成し、前記判別部は前記光子の受信可否或いは受信した前記光子の数を判別する。本発明の実施形態による単一光子検出装置或いは光子数分解検出装置は、静電容量性応答の振幅より小さい振幅のアバランシュを検出することができる。また、アフターパルスが発生される確率が減少され、光子を検出する速度が向上される。また、ゲート信号の波形に影響が小さく、ゲート信号周波数の連続的な変化が可能である。 （もっと読む）

【課題】極紫外線（ＥＵＶ）光源のための測定機器を提供する。
【解決手段】「ＥＵＶ光源」測定のためのシステム及び方法。第１の態様では、ＥＵＶ光源電力出力を測定するためのシステムは、ＥＵＶ光経路に沿って配置された光電子原料物質を含み、この物質を露出させてある一定量の光電子を発生させることができる。システムは、更に、光電子を検出してＥＵＶ電力を示す出力を生成するための検出器を含むことができる。別の態様では、ＥＵＶ光強度を測定するためのシステムは、ＥＵＶ光経路に沿って配置可能な多層ミラー、例えばＭｏ／Ｓｉを含み、このミラーを露出させてミラーに光電流を発生させることができる。電流モニタをミラーに接続し、光電流を測定してＥＵＶ電力を示す出力を生成することができる。更に別の態様では、オフラインＥＵＶ測定システムは、光特性を測定するための計器、及びＭｏＳｉ₂／Ｓｉ多層ミラーを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】トリガー光の光子エネルギーが光伝導アンテナを構成している半導体基板のバンドギャップエネルギーよりも小さい場合でもテラヘルツ波の検出感度を向上させる。
【解決手段】テラヘルツ波検出装置は、トリガー光が照射されるとキャリアを発生させる基板と、前記基板上に所定のギャップを有するように形成された１対の金属パターンからなり、前記基板にテラヘルツ波が照射されることにより生じる前記キャリアに基づく電流を検出するアンテナと、を備え、前記基板のバンドギャップエネルギーは前記トリガー光の光子エネルギーよりも大きく、前記アンテナの所定のギャップが５μｍ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光量を検出する光量検出装置において、微弱光量から強光量まで広いダイナミックレンジで測定できる光量検出技術を提供する。
【解決手段】
光量検出装置において、フォトンカウント型光検出器の検出信号をＡ／Ｄ変換する。Ａ／Ｄ変換された検出信号が、予め設定したしきい値以上の場合にはそのまま後段の光子数算出回路に検出信号を送り、しきい値以下の場合には、あらかじめ設定された基準値を後段に送るしきい値処理をおこなう。光子数算出回路では、光量測定が終了するまで取得した検出信号波形の面積から、フォトンカウント型光検出器に入射した光子数あるいは光量を求める。 （もっと読む）

【課題】検出された光子数を判定できるように構成された光子検出システムの提供。
【解決手段】検出システムは、アバランシェフォトダイオード５１と、照明においてアバランシェによる信号がシステムの飽和値よりも小さいようにフォトダイオードの両端にバイアスを印加する手段と、アバランシェ信号の大きさを測定する手段と、を具備するようにしている。 （もっと読む）

【課題】従来技術よりも簡便な構成により高速性が向上された光子検出器を提供すること。
【解決手段】ＡＰＤ７０１からの電圧信号と、パルス電源７０３からのゲート電圧印加時刻を示す信号とが光子入射判別手段７０４に入力され、光子入射判別手段７０４において、ＡＰＤ７０１からの電圧信号のうちのゲート電圧の微分波形電圧とＡＰＤ７０１に対する光子入射による光子入射信号とをゲート電圧印加時刻を用いて判別する。そして、ゲート電圧印加時刻を含まない光子検出時刻のみを示す信号を出力する。光子入射判別手段７０４は、入力された信号が所定の閾値を超えたときに信号パルスを出力する閾値回路を有する。ここで、所定の閾値は、ゲート電圧の微分波形電圧のピーク値および光子入射信号のピーク値よりも小さく設定する。このように閾値が小さくても、上記構成によれば正しく光子入射が検出できる。 （もっと読む）

【課題】励起光の反射抑制と光伝導層の高抵抗化を実現した光伝導素子を提供することである。
【解決手段】光伝導素子１００は、化合物半導体結晶からなる光伝導層１０２と、光伝導層の上に配置された２つ以上の電極１０３を少なくとも備える。光伝導層１０２は、光による光励起キャリアが発生するキャリア発生部１０４と、キャリア発生部１０４の表面に電気的に接続され幅とピッチがλ未満（λ：前記光の波長）の複数の突起構造１０６を含み構成される表面部１０１を有する。 （もっと読む）

【課題】光源に流れる電流の設計を容易にして量産性を向上し、光源消灯時の光源に流れる電流を完全にカットして電力の浪費を無くした上で、光源の寿命を縮めることの無い光源駆動回路を提供する。
【解決手段】光源７の一端にドレインが接続され、ソースがグラウンド電位に接続されるｎＭＯＳトランジスタ６１、反転入力端子１０１ｂ、非反転入力端子１０１ａ、出力端子１０１ｃを有する演算増幅器１０１を含み、演算増幅器１０１の出力端子１０１ｃがｎＭＯＳトランジスタ６１のゲートに接続され、光源７の消灯時、演算増幅器１０１の反転入力端子１０１ｂに、非反転入力端子１０１ａに供給されるバイアス電圧ＶBIASよりも高い電圧を供給し、光源７の点灯時、演算増幅器１０１の反転入力端子１０１ｂをｎＭＯＳトランジスタ６１のソースに接続する切替器６５によって光源駆動回路を構成する。 （もっと読む）

本発明は、レーザパルス（２４）を形成するためのレーザ装置（２６）と、レーザ装置（２６）を光学的にポンピングするためのポンプ光源（３０）とを備えている、内燃機関（１０）、特に自動車の内燃機関（１０）のためのレーザ点火装置（２７）に関する。本発明によれば、ポンプ光源（３０）とレーザ装置（２６）との間の光学的な結合部（２８０）の領域にフォトダイオード装置（２７０）が配置されており、ポンプ光源（３０）によって形成されたポンプ放射も、レーザ装置（２６）によって形成されたレーザ放射も、それぞれ少なくとも部分的にフォトダイオード装置（２７０）のフォトダイオード（２７１）に入射させられる。
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【課題】検出または発生する電磁波を有効に増倍（増強）させる電磁波検出装置、電磁波発生装置およびこれらを用いた時間領域分光装置を提供する。
【解決手段】屈折率の異なる２つの光学層を、電磁波が入射する入射軸方向に１組以上積層した第１電磁波増幅部２と、屈折率の異なる２つの光学層を、入射軸方向に１組以上積層した第２電磁波増幅部３と、入射軸方向において、第１電磁波増幅部２と第２電磁波増幅部３との間に介設した電磁波検出部４と、を備え、第１電磁波増幅部２における２つの光学層間の屈折率比と、第２電磁波増幅部３おける２つの光学層間の屈折率比と、が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光測定器の光源側となる光通信発光装置において、簡易な構成で、測定に関する情報を取得できるようにする。
【解決手段】光ファイバを介して光の授受を行なう光通信発光装置であって、レーザダイオードと、レーザダイオードを発光素子として動作させるか受光素子として動作させるかを切り替える動作切替部と、レーザダイオードを発光素子として動作させる場合に、レーザダイオードのレーザ発光を制御し、レーザダイオードを受光素子として駆動させる場合に、レーザダイオードが受信した信号に基づく処理を行なう制御処理部とを備えた光通信発光装置。 （もっと読む）

【課題】 光子計数装置及び方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一態様によって、光子は、多数の計数器を通じて計数される。それぞれの計数器は、自分の可用状態を表わすフラグ信号を生成する。該生成されたフラグ信号は、スイッチ制御器に入力される。スイッチ制御器は、受信されたフラグ信号に基づいてデッドタイムがない計数器に信号を入力させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】より省エネ効果を高めた赤外線受光回路を提供する。
【解決手段】赤外線信号を受光し電流を出力するフォトダイオードと、フォトダイオードの出力電流の低周波成分を阻止するハイパスフィルタと、ハイパスフィルタを通過したフォトダイオードの出力電流を電圧に変換する電流−電圧変換回路を備える赤外線受光回路において、短絡電流がフォトダイオードよりも大きい受光素子を少なくとも１つ以上直列接続したバイアス回路を備え、前記フォトダイオードと前記受光素子に光が照射されたとき、前記バイアス回路が発生する順方向電圧で、前記フォトダイオードに逆バイアスをかけることを特徴とする赤外線受光回路。 （もっと読む）

【課題】デッドタイム終了直後に過剰なバイアス電圧が発生することを防止し、誤検出を回避することが可能にする。
【解決手段】光子を検出するためのＡＰＤを備えた光子検出器であって、光子到着予定時刻に応じた周期的なゲートパルス３ｃと直流電圧源６からの直流電圧との和をＡＰＤバイアス電圧７ａとしてＡＰＤ８に印加するゲートパルス発生器２'およびバイアスティー５と、ＡＰＤ８が光子を検出した直後の所定時間の間、ゲートパルス３ｃの出力を抑制し、当該所定時間経過後にゲートパルス３ｃの出力を再開させるデッドタイム信号発生器１３とを備えている。また、ゲートパルス３ｃは、正のゲートパルス３ａと負のゲートパルス３ｂとが組み合わされた正負のゲートパルスである。 （もっと読む）