【課題】 磁界中において渦電流の発生を低減して発熱による検出誤差を低減可能な赤外線センサ及びこれを備えた電磁加熱調理器を提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム２と、絶縁性フィルム２に設けられ一対の端子電極を有する感熱素子３と、絶縁性フィルム２にパターン形成され一対の端子電極に接続された導電性の一対の配線パターン４とを備え、一対の配線パターン４が、線状に形成され、感熱素子３を中心にして該感熱素子３から半径方向外方に向けて放射状に延在する複数の放射状パターン４ａを有している。 （もっと読む）

【課題】画像処理によって、残像の少ない赤外線画像を可能にする赤外線固体撮像装置を提供する。
【解決手段】一実施形態によれば、感熱画素からなる赤外線検出素子部と、前記赤外線検出素子部により得られた赤外線の画像信号をアナログ−デジタル変換するＡＤ変換器と、デジタル信号に変換された画像信号を処理するデジタル信号処理部からなる赤外線固体撮像装置を提供する。前記デジタル信号処理部が、現フレームの直前フレームの取得画像値を記憶し、現フレームの取得画像値から、前記直前フレームの取得画像値に対し予め定めた０から１の間の定数αを乗算した画像値を減算し、さらに減算した画像値を１／（１−α）倍する処理をすることにより、残像の少ない赤外線画像を提供する。 （もっと読む）

【課題】 設置環境に応じて熱バランスの補正が容易にでき、ネジ等を用いずに低コストである赤外線センサを提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム２と、該絶縁性フィルム２の一方の面に互いに離間させて設けられた第１の感熱素子３Ａ及び第２の感熱素子３Ｂと、絶縁性フィルム２の一方の面に形成され第１の感熱素子３Ａに接続された導電性の第１の配線膜４Ａ及び第２の感熱素子３Ｂに接続された導電性の第２の配線膜４Ｂと、第２の感熱素子３Ｂに対向して絶縁性フィルム２の他方の面に設けられた赤外線反射膜とを備え、絶縁性フィルム３の第１の感熱素子３Ａ及び第２の感熱素子３Ｂの周囲に、複数の孔部Ｈが並んで形成されている。 （もっと読む）

【課題】赤外線検出部が配置された支持部が凹部と対向する場所に位置し、支持部が凹部の底に張り付くのを防止できる赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に設置され空隙１７を囲む凹部１５を備えた絶縁膜１４と、一端が基板２に固定される梁２２によって保持され空隙１７と対向する場所に位置する支持部２３と、支持部２３上に設置され赤外線を検出する赤外線検出部４と、を備え、凹部１５はポリシリコンを含む撥水膜１６に覆われ、梁２２及び支持部２３は窒化シリコンまたは炭窒化シリコンを含む。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いて基板に接着されても中空構造の空間に接着膜が形成され難い構造の赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】第１表面２ａと第１表面２ａの反対側の第１裏面２ｂとを有し、第１裏面２ｂに第１凹部４を有し第１表面２ａの第１凹部４と対向する場所に赤外線を検出する赤外線検出部３を有する第１基板２と、第２表面８ａと第２表面８ａの反対側の第２裏面８ｂとを有し、第１凹部４と向かい合う場所の第２裏面８ｂに第２凹部９を有する第２基板８と、第１裏面２ｂと第２裏面８ｂとを接着する接着膜７と、を有し、第２表面８ａに接着剤を付着させて用いられ、第２凹部９が第２裏面８ｂと交差する第２外周部９ｂは第１凹部４が第１裏面２ｂと交差する第１外周部４ｂを囲んでいる。 （もっと読む）

【課題】放射温度計が設置された雰囲気において、センサヘッドの外部からの熱外乱が起こり、センサ素子の熱バランスがくずれ、変換器へ出力される信号に生ずる誤差を抑え、センサヘッド外部からの熱の影響のない放射温度計センサ素子断熱構造を提供する。
【解決手段】センサヘッド筺体０１０１と、センサヘッド筺体内に収められ、赤外線放射エネルギーを検出するセンサ素子０１０２と、赤外線放射エネルギーを透過する赤外線レンズ０１０３と、赤外線レンズを透過した赤外線放射エネルギーをセンサ素子へ導く鏡筒０１０４と、センサ素子が検出した信号を変換器へ出力するための出力ケーブル０１０５と、センサ素子の端子と接続された第一接続部０１０６と、出力ケーブルと接続された第二接続部０１０７と、第一接続部と第二接続部を接続する接続導線０１０８と、からなる放射温度計センサ素子の断熱構造。 （もっと読む）

【課題】 熱型検出素子を基体から熱分離する空洞部の深さを規定するスペーサー部材を配線構造として兼用し、かつ、その配線構造により、確実に熱分離できる空洞部の深さを確保することができる熱型検出器、熱型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 熱型検出器は、基体１００と、基体１００より突出するスペーサー部材１０４と、スペーサー部材１０４に支持される支持部材２１０と、支持部材に支持される熱型検出素子２２０と、基体内に配置されて熱型検出素子と接続される検出回路５１０，５２０と、熱型検出素子と検出回路とを接続する配線部と、を有する。配線部は、基体内に配置された少なくとも一層の第１導電層ＬＩＡ，ＬＩＢと、スペーサー部材内に配置された少なくとも一層の第２導電層ＬＩＣ，ＬＩＤと、支持部材に支持された第３導電層２１４，２３８と、第１，第２及び第３導電層の隣接層同士を接続する複数のプラグＨＬＡ〜ＨＬＤとを含む。 （もっと読む）

【課題】断熱性能に優れた小型化可能な赤外線センサユニットを提供する。
【解決手段】熱型赤外線センサとこれに対応する半導体装置とが共通の半導体基材上に形成された赤外線センサユニット。絶縁上層が半導体基材上に被覆されて、半導体基材の表層部に形成した半導体装置を覆う。熱型センサは、断熱支持部によって半導体装置の上方に支持されるセンサ台座に搭載され、センサ台座及び断熱支持部材は絶縁上層に積層された多孔質材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】リード配線の曲率半径を小さくすることなく、その配線長を長くできる温度センサを提案する。
【解決手段】温度センサ１００は、熱源の温度に対応した電気信号を出力する感温素子１０と、電気信号を出力するためのリード配線３１，３２と備える。リード配線３１，３２は、所定点の周囲を巻回するように配線されている。 （もっと読む）

【課題】配線から熱が散逸するのを抑制した焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】焦電型検出素子は支持部材に搭載される第１電極２３４と第２電極２３６と焦電材料２３２を含み、第１電極が焦電材料が積層形成される第１領域２３３Ａと第１領域より延在形成された第２領域２３３Ｂを有するキャパシター２３０を含み、キャパシターを覆う層間絶縁膜２６０と層間絶縁膜に形成されて第１電極の第２領域に通ずる第１コンタクトホール２５２と第１コンタクトホールに埋め込まれた第１プラグ２２６と層間絶縁膜に形成されて第２電極に通ずる第２コンタクトホール２５４と第２コンタクトホールに埋め込まれた第２プラグ２２８と第１プラグに接続される第１電極配線層２２２と第２プラグに接続される第２電極配線層２２４を含む。第２電極配線層を形成する材料は第２プラグと接続される部分の第２電極を形成する材料の熱伝導率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】熱源の温度を正確かつ応答性よく測定できる温度センサを提供する。
【解決手段】温度センサ１００は、熱源から輻射される赤外線を吸収して発熱する赤外線吸収膜２０と、赤外線吸収膜２０の熱量を検知することにより熱源の温度に対応した電気信号を出力する感温素子１０と、感温素子１０から電気信号を出力するためのリードパターン３１，３２と、赤外線吸収膜２０に分布する熱量を感温素子１０に集熱するための集熱パターン４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】検出感度及び応答性が高く、製造が容易で、表面実装可能な小型の熱センサを提供する。
【解決手段】熱センサ１０１は、熱センサ本体となる負特性（ＮＴＣ）サーミスタセラミックスで構成されるセラミック素体１０、熱検知用内部電極１，２、空洞部５、温度補償用内部電極６，７、外部電極３，４及び温度補償用外部電極８を備えている。セラミック素体１０内の、熱検知用内部電極１，２が形成された熱検知部と、温度補償用内部電極６，７が形成された温度補償部との間に空洞部５が形成されている。熱検知部と温度補償部との対向距離は空洞部５の中央部で小さく周辺部で大きく、且つ周辺部が温度補償部方向に延在するように空洞部５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 焦電体を有するキャパシターの熱が、キャパシターを支持する支持部材を介して逃げ難くした構造を有する焦電型光検出器、焦電型光検出装置及び電子機器を提供することにある。
【解決手段】 焦電型光検出器２００は、第１電極２３４と第２電極２３６との間に焦電体２３２を含み、温度に基づいて分極量が変化するキャパシター２３０と、空洞部１０２と面する第１面と対向する第２面にキャパシターを搭載して支持する支持部材２１０とを有する。支持部材２１０上に配置される第１電極２３４の熱コンダクタンスＧ１が、第２電極の熱コンダクタンスＧ２よりも小さい（ＧＣ１＜Ｇ２）。 （もっと読む）

【課題】 熱型光検出器における熱容量の低減と、機械的強度の確保とを両立すること。
【解決手段】 熱型光検出器は、基板に支持されている支持部材５０を含み、支持部材５０は、熱型光検出素子を搭載する搭載部５１と、一端が搭載部に連結され、他端が基板に支持された少なくとも一本のアーム部５２と、を有し、搭載部および少なくとも一本のアーム部に含まれる第１アーム５２ａ、の少なくとも一方は、基板側に設けられる、横断面形状の横幅が第１幅に設定されている第１部材４１と、熱型光検出素子側において第１部材に対向して設けられ、横断面形状の横幅が第１幅に設定されている第２部材４５と、第１部材と第２部材とを連結すると共に、少なくとも一つの横断面の形状の高さが所定高さに設定され、その横幅が第１幅よりも小さい第２幅に設定されている第３部材４３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 熱コンダクタンスを低減させる連結構造または支持構造の加工に最適なＭＥＭＳの製造方法等を低起用すること。
【解決手段】 固定部６０上に形成された、第１空洞部３０を有する被エッチング層２２を加工するＭＥＭＳの製造方法は、被エッチング層２２の露出面のうち、被エッチング層２２が第１空洞部３０に臨む少なくとも側壁２２Ａに、マスク層２４を形成する第１工程と、マスク層２４の表面２４Ａ側の第１空洞部３０内に供給されたエッチャントを、マスク層２４の裏面２４Ｂ側に導いて被エッチング層２２を等方性エッチングして、第１空洞部３０に連通する第２空洞部３２をマスク層２４の裏面２４Ｂ側に形成して被エッチング層２２を加工する第２工程とを有する。被エッチング層２２はアンダーカット形状またはアーチ形状に加工される。 （もっと読む）

【課題】 赤外線検知用と温度補償用との感熱素子間で高い温度差分が得られると共に小型化が可能で、安価な構造を有している赤外線センサを提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム２と、該絶縁性フィルム２の一方の面に互いに離間させて設けられた第１の感熱素子３Ａ及び第２の感熱素子３Ｂと、絶縁性フィルム２の一方の面に形成され第１の感熱素子３Ａ及び第２の感熱素子３Ｂが別々に接着された一対の接着電極４と、第１の感熱素子３Ａに対向して絶縁性フィルム２の他方の面に設けられた赤外線吸収膜５と、第２の感熱素子３Ｂに対向して絶縁性フィルム２の他方の面に設けられた赤外線反射膜６と、を備え、第１の感熱素子３Ａ及び第２の感熱素子３Ｂが、板状のサーミスタ素体と、該サーミスタ素体の表裏面にそれぞれ形成され一方が接着電極４に接着される一対の電極層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 赤外線検知用と温度補償用との感熱素子間で高い温度差分が得られると共に小型化が可能で、安価な構造を有している赤外線センサを提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム２と、該絶縁性フィルム２の一方の面に互いに離間させて設けられた第１の感熱素子３Ａ及び第２の感熱素子３Ｂと、絶縁性フィルム２の一方の面に形成され第１の感熱素子３Ａに接続された導電性の第１の配線膜４Ａ及び第２の感熱素子３Ｂに接続された導電性の第２の配線膜４Ｂと、第２の感熱素子３Ｂに対向して絶縁性フィルム２の他方の面に設けられた赤外線反射膜６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】光学部材（１６０）の温度をより正確に算出する。
【解決手段】照明装置（１００）における光源部（１４０）から発光された照明光を透過させる光学部材（１６０）の温度を測定する温度測定装置（３００）であって、光学部材における既知の測定点から放射される熱放射線を受け、熱放射線に基づいた計測温度を検出する放射線検出部（３２０）と、照明装置内部における環境温度を検出する環境温度検出部（３３０）と、光学部材の熱放射線の放射率値を格納する放射率値格納部（３４０）と、環境温度に対応付けて、光学部材の複数の領域における放射率値の分布定数を格納する温度分布格納部（３４０）と、放射線検出部で検出された計測温度、放射率値、および、環境温度に応じた分布定数に基づいて、光学部材において注目している領域の温度を出力する温度出力部（３５０）とを備える温度測定装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】信号読出し回路部の電気的絶縁における信頼性を確保しつつ、高速応答が可能で高感度な赤外線撮像素子を提供する。
【解決手段】この発明に係る赤外線撮像素子は、半導体基板上に配置された複数の画素と画素からの電気信号を読み出す回路とを半導体基板上に有する熱型の赤外線撮像素子であって、画素はプレーナー型のシリコンｐｎ接合ダイオードによって温度を検出する検出部と検出部を半導体基板より離して保持する支持体とｐｎ接合ダイオードと回路とを結線する配線とを備えた画素を有し、ｐｎ接合ダイオードを構成するｐ型あるいはｎ型の半導体層のうちで、一方の半導体層よりも広い領域を持つ他方の半導体層の厚みが、一方と他方の半導体層同士が重ならない部分において、重なっている部分よりも薄いことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】センサ部から電荷転送素子部への熱拡散を最小限に抑える。
【解決手段】焦電センサのセンサ部１０Ｂと電荷転送素子部２０とを、それらの間にシリコン犠牲層１６を挟み込んで一体とした状態で、センサ部１０Ｂを画素単位でパターニング加工し、センサ部１０Ｂの電極層１３と電荷転送素子部２０の入力電極２２とを接続する引き出し電極３０等を形成したのち、最終工程でシリコン犠牲層１６を除去して、センサ部１０Ｂと電荷転送素子部２０との間に空隙層を形成して熱的に分離する。 （もっと読む）