【課題】ろ過性、線幅均一性に優れたレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）環状アルキル構造を有する特定の繰り返し構造単位を含有する酸分解性樹脂、（Ｂ）酸発生剤、（Ｃ）下記（ａ）群から選択される少なくとも1種の溶剤と、下記（ｂ）群〜（ｄ）群から選択される少なくとも1種の溶剤とを含む混合溶剤を含有するポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法。（ａ）群：アルキレングリコールモノアルキルエーテル、（ｂ）群：アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、（ｃ）群：直鎖状ケトン、分岐鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、アルキレンカーボネート、（ｄ）群：乳酸エステル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分（Ａ）は、側鎖に、環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基含有エステル基を有する構成単位（ａ０−１）を有し、質量平均分子量（Ｍｗ）が１００００以下の高分子化合物（Ａ１−１）と、高分子化合物（Ａ１−１）が有する構成単位と同一の構成単位（ａ０−１）を有し、Ｍｗが、高分子化合物（Ａ１−１）のＭｗの１．５倍以上である高分子化合物（Ａ１−２）とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの寸法変化を抑制することができるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】Ｄｅｎｓｅ部及びＦｌａｔ部を有するギャップが存在する被加工基板上に、平坦化膜形成用組成物を塗布して平坦化膜を形成する工程（１）と、平坦化膜上にレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程（２）と、レジスト膜に放射線を照射して、レジスト膜を選択的に露光する工程（３）と、露光したレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程（４）と、レジストパターンをマスクとして用いて、平坦化膜及び被加工基板に所定のパターンを形成する工程（５）と、を含み、平坦化膜形成用組成物が、所定の重合体（Ａ）と、架橋剤（Ｂ）と、有機溶媒（Ｃ）と、を含有するものであるパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を含む構成単位および酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位で表される構成単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤（Ｅ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】微細なパターン形成、フィルム特性や、保護膜としての信頼性に優れた皮膜を有するポリイミドシリコーン、感光性樹脂組成物及びパターン形成方法を提供。
【解決手段】水素原子の一部又は全部が酸不安定基で置換のフェノール性水酸基を分子中に有する式（１）のポリイミドシリコーン。


［Ｘは四価の基で、その少なくとも一部が式（２）


（Ｒ¹は一価炭化水素基、Ｒ²は三価の基、ｎはその平均が１〜１２０）の四価の有機基、Ｙは二価の基の酸不安定基で置換のフェノール性水酸基含有の基］ （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分（Ａ）が、その環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を含むアクリル酸エステル構成単位及び／又はメタクリル酸エステル構成単位と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）及び／又は酸解離性溶解抑制基を含むメタクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１’）とを有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、高分子化合物（Ａ１）中の、該アクリル酸エステルから誘導される構成単位の割合が１５〜８０モル％であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、（Ａ）成分は、側鎖の末端に「−ＳＯ_２−を含む環式基」を含む構成単位（ａ０）を有し、かつ、その構造中に酸解離性溶解抑制基を含む高分子化合物（Ａ１）を含有し、（Ｂ）成分は、一般式（ｂ１−１）［式中、Ｒ^０は置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の炭化水素基である。ただし、−ＳＯ_３⁻における硫黄原子に隣接する炭素原子にはフッ素原子は結合していない。Ｚ^＋は有機カチオンである。］で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含有するポジ型レジスト組成物。
［化１］
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【課題】露光から露光後ベークまでの放置時間に関わらず高感度で現像時の膜減りの小さい感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（ａ）アルカリ可溶性樹脂、（ｂ）光重合性化合物、（ｃ）光重合開始剤、（ｄ）光酸発生剤および（ｅ）酸により反応する架橋剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を含む構成単位（ａ０−１）を有する高分子化合物（Ａ１−１）と、前記高分子化合物（Ａ１−１）が有する構成単位と同一の構成単位（ａ０−１）を有し、構成単位（ａ０−１）の含有割合（モル％）が、前記高分子化合物（Ａ１−１）と異なる高分子化合物（Ａ１−２）とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れた感度で、ＬＷＲの小さい、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物の基材として利用できる高分子化合物、該高分子化合物の構成単位の合成に利用できる化合物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、酸解離性溶解抑制基を含む構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含み、かつ前記構成単位（ａ０）における酸解離性溶解抑制基が、下記一般式（ａ０−０−１）で表される基を含む。［式（ａ０−０−１）中、Ｒ^１’及びＲ^２’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を表し、Ｙ^１は単結合又は二価の連結基であり、Ｒ^３はその環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基である。］
［化１］
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【課題】ポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分（Ａ）が、環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を含む構成単位を有する高分子化合物（Ａ１−１）と、環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を含まず、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する高分子化合物（Ａ１−２）とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】簡単に、高アスペクト比のレジストパターンを製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】マスクパターン層ＭＰを含む土台ユニットＵＴに対し、マスクパターン層ＭＰ上に、ドライフィルムＤＦ２を被せ、ガラス基板１１の裏面１１ｒからの露光によるフォトリソグラフィー法で、ドライフィルムＤＦ２を第１レジストパターンＲＰ１だけに重なるように残す。 （もっと読む）

【課題】膜表面の疎水性が高いレジスト膜を形成できるポジ型レジスト組成物、及び当該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】その環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を含む（メタ）アクリル酸エステル構成単位（ａ０）と酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）とを有する高分子化合物（Ａ１）と、酸発生剤成分（Ｂ）と、塩基解離性基を含有する構成単位を有する含フッ素高分子化合物（Ｆ１）とを含有するポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型フォトレジスト組成物において、ラインエッジラフネス（ＬＷＲ）の更なる改善を図ること。
【解決手段】環状ポリシロキサンと、該環状ポリシロキサンを構成する珪素原子に結合した１又は２以上の側鎖と、を備え、前記側鎖のうち少なくとも一部が、光の作用により酸を発生する光活性基を含み、該光活性基が同一分子中に複数存在するときそれらは同一でも異なっていてもよい、光活性化合物。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性に優れたポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分（Ａ）は、芳香族基を有する構成単位（ａ０）、その環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を含む（メタ）アクリル酸エステル構成単位（ａ５）及び酸解離性溶解抑制基を含む構成単位（ａ１）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有する。 （もっと読む）

【課題】レジストパターン形成時においてスカムが発生せず、基板とのマッチングが良好なポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物の基材として利用できる高分子化合物、およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分（Ａ）は、カルボキシル基を含有する構成単位、環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を含む構成単位、及び酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する高分子化合物（Ａ１）を含有する。 （もっと読む）

【課題】膜表面の疎水性が高いレジスト膜を形成できるポジ型レジスト組成物、及び当該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】側鎖の末端に「−ＳＯ_２−を含む環式基」を含有する構成単位（ａ０）と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）とを有する高分子化合物（Ａ１）と、酸発生剤成分（Ｂ）と、フッ素原子を有していてもよい酸解離性溶解抑制基含有基を含み、かつ少なくとも１つのフッ素原子が含まれる構成単位（ｆ１）を有する含フッ素樹脂成分とを含有するポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性が良好で、形成されるレジストパターンの形状も良好なポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、および含窒素有機化合物成分（Ｄ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、環骨格中に−ＳＯ_２−を含む構成単位を有し、かつ、その構造中に酸解離性溶解抑制基を含む高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記含窒素有機化合物成分（Ｄ）を少なくとも２種含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物、および該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、その環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を側鎖に有するアクリル酸エステル系の特定の構成単位（ａ０−１）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記有機溶剤（Ｓ）が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、および２−ヘプタノンを含有することを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】 対象基材上に、絶縁樹脂組成物の塗膜による被覆層が、テープ基材の剥離によっても接着性および電気絶縁性が劣化せず、その特性が維持された状態で形成される被覆層形成方法の提供。
【解決手段】 被覆層形成方法は、テープ基材上に粘着膜が形成された保護テープを用い、対象基材の一面上に、その粘着膜が前記対象基材の一面上に接触する状態に保護テープを貼り合わせる工程と、粘着膜に熱または光を与えて気体を発生させた後、テープ基材を粘着膜から剥離する工程とを、この順に行って粘着膜による被覆層を対象基材の一面上に形成する方法であって、粘着膜が、熱または光を受けることにより気体を発生する気体発生剤を含有する絶縁樹脂組成物の塗膜よりなることを特徴とする。 （もっと読む）