Fターム[2H025AC00]の内容
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Fターム[2H025AC00]に分類される特許
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パターン形成方法および電子デバイスの製造方法
【課題】 煩雑な工程で形成されるレジストパターンを用いずに微細なパターンを形成し得る方法を提供する。
【解決手段】 基材の被エッチング層表面に重合開始剤を含む下地活性層を選択的に形成する工程と、有機モノマーをリビングラジカル重合させて前記下地活性層に重合体層を形成する工程と、前記重合体層をマスクとして前記被エッチング層を選択的にエッチングする工程とを含むことを特徴とする。
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